4962385094

4	T,Q	Tranzystor połowy z izolowaną bramką IGFET typu MOSFET o kanale zubożanym typu N
je:	T,Q	Tranzystor połowy z izolowaną bramką IGFET typu MOSFET o kanale zubożanym typuP
	T, Q	Tranzystor połowy z izolowaną bramką IGFET typu MOSFET o kanale wzbogacanym typu N
j^	T, Q	Tranzystor połowy z izolowaną bramką IGFET typu MOSFET o kanale wzbogacanym typu P
je:	T,Q	Tranzystor połowy z izolowaną bramką IGFET typu MOSFET o kanale wzbogacanym typu N
j^	T,Q	Tranzystor połowy z izolowaną bramką IGFET typu MOSFET o kanale wzbogacanym typu P
<	T, Q	Tranzystor połowy z izolowaną bramką IGFET cienkowarstwowy TFT o kanale typu N
<	T,Q	Tranzystor połowy z izolowaną bramką IGFET cienkowarstwowy TFT o kanale typu P
	T,Q	Fototranzystor NPN
X	T,Q	Fototranzystor PNP
tE)	T,Q	Fototranzystor NPN
tE)	T,Q	Fototranzystor PNP
+	D, Q, DIAC	Diak - tyrystor diodowy dwukierunkowy
A	Th, TR	Tyrystor (SCR) - tyrystor triodowy jednokierunkowy
“Sn	T, TK, Q, TRIAC	Triak - tyrystor triodowy dwukierunkowy
—z	P, W, Wł, S	Przełącznik
R	P,PZ,S	Przekaźnik (cewka i styk)

Układy scalone można przestawiać na schematach tak jak na rysunku A, ale sposób ten zaciemnia schemat i utrudnia analizę działania urządzenia.