39 (304)

Rodzaje wykorzystywanych materiałów

Wpływ warsbvy pasywacyjnej na ruchliwość nośników w 2DEG (ang. Two Dimensional Electron Gas)

Wpływ napięcia bramka-dren na prąd upływu bramki dla tranzystora z elektrodą połową A IN i z bramką Schottky’ego

Technologie wytwarzania dielektryków

Fizyczne osadzanie z fazy gazowej PVD (ang. Physical Vapor Deposition)

-    Termiczne odparowanie (thermal evaporation)

-    Rozpylanie jonowe (sputtering)

-    Platerowanie jonowe (ion plating, reactiv ion plating)

-    Natryskiwanie plazmowe (plasma spraying)

Chemiczne osadzanie z fazy gazowej CVD (ang. Chemical Vapor Deposition)

Utlenianie termiczne i elektro-chemiczne Nanoszenie techniką Spin-On

Chemiczne osadzanie z fazy gazowej CVD

Klasyfikacja ze względu na stosowane ciśnienie:

-    osadzanie przy ciśnieniu atmosferycznym APCVD (ang. Atmospheric Pr es surę CVD)

-    osadzanie przy obniżonym ciśnieniu LPCVD (ang. Low Pressure CVD)

-    osadzanie w wysokiej próżni UHVCVD (ang. Ultrahigh Yacuum CVD)

Różne odmiany CVD:

-    osadzanie ze związków metaloorganicznych MOCVD (ang. Metalorganic CVD)

-    osadzanie wspomagane plazmowo PECVD (ang. Plasma Enhance CYD)

-    osadzanie warstw atomowych ALCVD (ang. Atomie Layer CYD)

CVD - Chemiczne osadzanie z fazy gazowej

Osadzanie dielektryków i warstw krzemu (mono- i polikrystalicznego) Reagenty są dostarczane w postaci gazowej Na grzanym podłożu zachodzą reakcje chemiczne Powstająca warstwa jest ciałem stałym.

Można wytwarzać:

- Azotek krzemu (Si₃N₄)

•    3SiH₄ + 4NH₃-> Si₃N₄+12H₂

*    warstwa odporna na utlenianie

-    Poli-krzem

•SiH₄-> Si + 2H₂

-    Tlenek krzemu

•SiH₄ +0₂-> Si0₂ + 2H₂

PECYD - wspomagane plazmowo CYD

P= 10-500 Pa T = 250°C - 400°C Osadzanie: Si₃N₄, Si0₂, SiC

R> <&>

’ ^

:    ® o _t

''sśfcsttata |

(+) Plazma przyśpiesza reakcje chemiczne

(+) Niska temperatura podłoża

(+) Dobre pokrycie stopni

(-) Niepożądane domieszkowanie

(-) Wbudowywanie się wodoru w warstwy (Powstają

naprężenia ściskające, zmieniające się na

rozciągające podczas wygrzewania)

(-) Dziury i luki w warstwach