4 (2075)

\iu

tj. liczbę sygnałów sterujących, po których licznik wraca do 'nu początkowego (dla układu z rys. 6.11 liczba ta równa jest 8).

^a)    Q₂

b)

4    5

CK,,

0

Qo

0

Qi

o

q₂

o

d)

777777777,	WA	V777,	V///	V77\	7777%	777,	Y77/	_£S
									t
	777777,		7777777,		7777777,		7Z777?
						i l ł f i			t
		y///////////////				7/777777/7/777?,
i				77777	.......	^77777/	..11		t
	ti								t
Stan 000	001	010	^011	100	101	no	m	000	001

0    1    2    3    4    5    6

Rys. 6.11. Licznik dwójkowy: a) schemat, b) przebiegi wejściowe, c) przebiegi wyjściowe, d) stan

licznika [8]

W praktyce liczniki są realizowane jako asynchroniczne (szeregowe) i synchroniczne (równoległe).

Licznik asynchroniczny może być zrealizowany z przerzutników typu T, przy czym wejście połączone jest z wyjściem poprzedniego przerzutnika. Sygnały zliczane podawane są na wejście pierwszego przerzutnika. Szybkość zliczania sygnałów jest niezbyt duża, bowiem każdy z przerzutników zmieni stan wtedy, gdy zmieni się stan na wyjściu poprzedniego (rys. 6.11). Całkowite opóźnienie zliczania sygnałów jest równe sumie opóźnień wszystkich przerzutników.

W licznikach synchronicznych — rys. 6.12 — zliczane impulsy podawane są jednocześnie do wszystkich wejść przerzutników, co powoduje jednoczesną zmianę ich stanów wyjściowych.

Aktualnie produkowana jest szeroka gama liczników w wersji scalonej. Jednym z nich jest układ scalony UCY7493 — licznik dwójkowy o pojemności 16 bitów (modulo 16) — który jest także dzielnikiem częstotliwości 16-krotnym.

Ważnym zastosowaniem przerzutników są pamięci półprzewodnikowe przechowujące informacje cyfrowe w postaci ciągu 0 i 1.

Istotnym elementem pamięci jest przerzutnik, który umożliwia zapamiętanie jednego bitu (tzw. komórki pamięci). Istotą pamięci jest możliwość zapisu i odczytu informacji. Dostęp do danej komórki jest możliwy z wykorzystaniem dekodera, który dołącza wybr. * komórki pamięci do wejścia przy zapisie informacji lub do wyjścia przy odczycie.

Rys. 6.12. Licznik synchroniczny dwójkowy [8]

Sygnał

zerujący

Adresy kolumn

Rys. 6.13. Schemat blokowy pamięci [8]

Schemat blokowy pamięci półprzewodnikowej pokazano na rys. 6.13. Aby wybrać daną komórkę pamięci należy podać jednocześnie adres jej wiersza i kolumny. Informacje zapisywane lub odczytywane przechowywane są najpierw w dodatkowym rejestrze, pełniącym rolę bufora (często pełniącym także rolę separatora między pamięcią a szyną danych). Podanie sygnału odczyt umożliwia dostęp do zapisanej informacji (sygnały wejściowe są nieaktywne), natomiast sygnał zapis umożliwia wpisanie danych do wybranej komórki pamięci (wyjścia są nieaktywne).

Informacje są przechowywane w pamięci tylko wtedy, gdy dołączone jest napięcie zasilające, natomiast przy braku napięcia zasilającego informacja jest kasowana. Opisane pamięci są tzw. pamięciami typu RAM (Random Access Memory).

Produkowane są również pamięci półprzewodnikowe, pozwalające tylko na odczyt wcześniej zapisanych informacji, tzw. pamięci stałe ROM (Read Only Memory), np. typu EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory). Pamięć ta jest pamięcią programowalną, umożliwiającą wielokrotne zapisywanie informacji za pomocą specjalnych programatorów. Parametrami charakteryzującymi pamięci są pojemność wyrażona w bajtach (MB lub GB), czas dostępu do informacji w sekundach (w praktyce ns lub ms), szybkość transmisji danych z i do pamięci w MB/s, wielkość bufora przechowującego wstępnie dane w kB. W układach cyfrowych (np. systemy mikrokomputerowe) pamięci o dużej pojemności i szybkim czasie dostępu wykonane są w technice unipolarnej MOS (tranzystory z izolowaną bramką).

91