793 (2)

793 (2)



Domieszki


Utworzenie 4 wiązań (In) z Si możliwe jes-t po pobraniu elektronu z kryształu (pasma walencyjnego).

Atom domieszki (At) z większą liczbą elektronów niż atom sieci macierzystej. Po utworzeniu 4 wiązań z Si ma jeden nadmiarowy elektron.

W*

wH

• Si • •

SI •

• Ś|

■ si •

•SI •

/fi

•SI •

Jl

ki

#

W

• •

• si t

|t

SI

• Si

•SI *

• Si •

■r

lyctnny

y

«

W

•SI • •

»•

•SI

•Sł •

•Si

•SI •

M

dsrnra *

ptknK


elektron w pniac

prroodtuctwi


• SI    *3M

M M •

r» -^fC

dodatni I

§si-

■|



półprzewodnik n



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
IMAG0578 Domieszki Umorzenie-ł wiązań (Ta)z Si możliwe jest po pobraniu elektronu z kryształu
r1 (3) , pocenie na rynku zależy m in. od możliwości ulokowania jak największego wolumenu swych prod
41187 r1 (3) , pocenie na rynku zależy m in. od możliwości ulokowania jak największego wolumenu swyc
r1 (3) , pocenie na rynku zależy m in. od możliwości ulokowania jak największego wolumenu swych prod
148 Ćwiczenia laboratoryjne z fizyki Domieszka B Al Ga In P As Sb Bi przejść w
CZAS - IL TEMPO UZUPEŁNIJ LUKI: 1. In I    si fa sempre piu caldo. (wiosna) 2. S
29 (126) REGULACJA DŹWIĘKU Dokładna regulacja krzywej korekcyjnej Możliwa jes! zmiana częstotliwości
57366 Nartowska Różnice indywidualne0002 dorosłych lub okoliczności zewnętrzne (brak in- 1 nej możli
17430 NEUFERT 6 ogrzew wentyl Sb. i si © Możliwości ustawienia znormalizowanych zbiorników mag. na o
Egzam1 TPD bminei: Eo powodzenie na rynku zalety m in. od możliwości ulokowania jak największego wol
DSC03283 /wiązanymi in. in. z: Nozologią - czyli nauką u chorobach w o golnęło ich klasyfikacją Etio
P1280538 Wstawić do złożenia osłonę. Utworzyć wiązanie między płaszczyznami prawymi wirnika a
Wiązanie siloksanowe (mostek) Si-O-Si Wiązanie siloksanowe Si-O-Si    promienie sfer

więcej podobnych podstron