DSC00306 (7)

4.5, Właściwości oloklrycino ciał

Efekt fotowoltaiczny

	Grupa
Okres	III A	IVA	VA	MA	VII \
1	1 1 B	5,2 (	N	O	F
	hor		u/ol	tlen	fluor
II	Al	1 1 Si	l 5 p	s^w	a
	*^|m	krzem	Moc	Marki	chlor
III	C*a	075 CiC	U As	J 7 Se	Br
	>l^łl	ftrman	.11 SC 11	vck n	brom
IV	In	1 ON Sn	1.9 Sb	1 12 Tc	1 25 1
	kkI	Ml i	antymon	ullur	jod
V	Tl	Pb	Bi	Po	At
	tal		bizmut	polon	asl.it

□ półprti wariatki

IkjJjji w. prwmgórmm lunermku o/iuk<«

> erOkoiU! p i snu*/bronione ci c\

\\ półprzewodniku z wytworzonym /l,|cvini />-„ _!1Uvvl.in/owmym zewnętrznym n.ipięcicm tlck-_|1%V iiym zjawisko fotoclekiry orne wewnętrzne wywołuje pojawienie su, między obszarami pm stałego _n ipi_Vv i tzw foiowoliak/nego. Zląc/c wykonane Kst w wa śpośfib /v na gruKj tytrstwic półprzc-* Kl uka typu / naniesiona je si cienka (rzędu pm) w i siw a połpizewodmka typu n Padające promieniowanie w\t\\ u/a w warstwie typu p elektrony , J. iun Wytworzone elektrony d> fundują w ku.run 1,0 uiM r~ⁿ przedostają się do warstwy polpi/c-woJiuśa pu n Dziury pozostają w warstwie typu p Wskutek tego warstwa typu /> ładuje się dodatnio, warstw i typu rt ujemnie Radzicie me no^mkow | lunku powoduje powstanie na złączu różnicy po-uikm'w tsity elektromotorycznej) Przyrząd półprzewodnikowy ze światłoezuły m złączem fy~n_% pra-_vuiaey bez polaryzjtji zewnętrznej, nazywamy fotoogniwem Produkowane vi głównie fotoogniwa krzemowe o n pięciu maksymalnym 0,5 \ W zestawach fotoogniw tworzących baterie słoneczne osią-wJ >ie sprawność przemiany energii świetlnej na Jckrwczną ok 10*. Baterie słoneczne używane są do zasilania urządzeń elektrycznych w sputnikach i •• itkaeh kosmicznych, w stacjach meteorologicznych i tektonicznych ni terenach słabo zaludnionych

w

Mrumkn światła

Fotoogniwo krzemowe ze złączem p-n

<'haraktcryMyki pmdowo-iMipięeiowc tMa ro/nuh wartości sfnimiuii wiatki ^

Światłoczułe złącze spolaryzowane w kierunku zaporowym nazywamy fotodiodą Padające na złącze promieniowanie powoduje zwiększenie licz Iw elektronów -nośników większościowych w obszarze p, a tym vmiym zmniejs/enie szerokości warstwy zaporowej oraz zwiększenie się prądu wstecznego Ikz oświetlenia w obwodzie płynu, prąd o małym natężeniu |/ |. Oświetlenie fotodiody powoduje wzrost prądu a z.a lun i spadku napięcia na oporze tf włączonym yv ob wod przy czym spadek napięcia jest proporcjonalny do natę/uua św iatła Potrzebne napięcie zasilania wynosi kilka woltów Fotodiody mogą pracować jako fotoogniwa w urządzeniach pomiarowe) kontrolnych Fototranzystor to fotoclcmcnt z dwoma złączami !>-n-p lub/r-/>-/i bez oświetlenia (strumień świetlny 0    0) przez fototranzystor płynie prąd ciemny

Wskutek naświetlania w bazie powstają elektrony i dziury flcktrony dyfundują do kolektora, zwiększ ijąc prąd w obwodzie kolektora /atem światło steruje natężeniem prądu yv obwodzie kolektora Fototranzystor ma większą czułość ixl fotodiody dzięki wzmocnieniu wewnętrznemu Wzmocnienie prądowe w obwodzie otrzymuje się przy pomocy elementów p-n-p i /!-/>-« Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne znalazły zastosowanie w różnych dziedzinach techniki i gałęziach elektroniki, np automatyce, telekomunikacji, mikroelektronice Rożne sa tendencje rozwojowe poszczególnych rodzajów przyrządów optoelektronicznych Dotyczą one miniaturyzacji, niezawodności, sprawności energetycznej funkcjonalności Szczególnym kierunkiem rozwoju jest monolityczna optyka scalona Jest to dziedzina zajmująca się mikronuniaturyzacją układów optoelektronicznych Jej rozwój może doprowadzić do powstania nowych zastosowań dla tych układów

f fragment układu okresowego ptcrwtuUkim wcbKł/ącfch w sktad potpacworinikow

O