DSC00966 Flat
Składowa ftrtoełektryczm I? prą&i pł\aąct$o pnez próbkę jak na Rys 3.62 będzie:
1F =sAa£ P6.6)
*to**eH*>*-£ h* , A.
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
DSC00925 Flat Efekt HalPn odkryty w r. 1879 pracz Ii. H IliilPa. Polega na powstawaniu pola elektryc
DSC00971 Flat przenTO
DSC00971 Flat przenTO
S1032934 341 ę0lpittsa z tranzystorem potowym NJFET jmuje się układ jak na rys. 7/7.1, z odprowadzan
DSC01581 (7) — /•i Rym* 4-12. napięciowo —prądów e luku o — w warunkach jak na rys. 4.i0etbfc: d — w
DSC00973 Flat Dielektryk jest ośrodkiem oddziałującym głównie ze składową elektryczną
DSC00973 Flat Dielektryk jest ośrodkiem oddziałującym głównie ze składową elektryczną
DSC00907 Flat feranyd OfeTfenp* fcjttfcl oiV sanek n snę* ?n lnmkapi
DSC00908 Flat LlliOOK Wt OK. 30 CK lOOOKYy v;«w, v**»vyo fooV w-,‘Vc,4oV
DSC00909 Flat Zerwanie wiązania kowalentncgo -uwolnienie elektronu z wiązania eh odpowiada w modelu
DSC00911 Flat ■ domiHiki m i 5 u mniim tuki moja uyu iHKuwmty od atomu domleoki I możo »wobodnla pon
DSC00912 Flat ^ elektronu dom nmki wprowadzone) do sieci kryształu. Wprowadzenie do sieci kryształu
DSC00915 Flat rj/mnmgn rp AM jMno tApfMttp V/ mo hyoMu np V i** "4 rtmttpftjtrm W
DSC00916 Flat pasmowej dodatkowego pasma - poziomu akceptorowego - Ryt.4.4, w którym poziom dak
DSC00917 Flat Wpu WRNięPłU (HV* ¥.1) n.i il.,rujmwr37 ►leKtnonów z Ob* 9
DSC00926 Flat iii -mb Nu poruszające się w polu magnetycznym elektrony <l/jnlii glin l.oront/.’n
więcej podobnych podstron