DSCN5320 (2)

Statyczna pamięć RAM (SRAM)

• elementarna komórka (1 bit) zbudowana z przerzutnika: 4-6 tranzystorów

P    U r-D—1 L

•**»    T-'.------

•    wewnętrznie - tablica komórek: n rzędów x m kolumn

•    szybki dostęp    — rllr ■ I!.":.'" ^ Li£i

«LHi

•    nie wymaga odświeżania zawartości - utrzymuje zawartość tak długo, jak jest zasilana • b. mały pobór prądu w stanie jałowym - zawartość może być podtrzymywana bateryjnie