DSCN5321 (2)
Dynamiczna pamięć RAM (DRAM)
* elementarna komórka (1 bit) zbudowana z tranzystora i kondensatora
row addrcss demirK
• stan bitu (1 / 0) określony naładowaniem / rozładowaniem kondensatora
• wymaga cyklicznego odświeżania zawartości (refresh)
• zorganizowana jako tablica n rzędów x m kolumn
• adres podzielony na adres rzędu i adres kolumny
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
DSCN5319 (4) Statyczna pamięć RAM (SRAM) • elementarna komórka (1 bit) zbudowana z przerzutnika: 4-6
DSCN5320 (2) Statyczna pamięć RAM (SRAM) • elementarna komórka (1 bit) zbudowana z przerzutnika: 4-6
SIMM (Single In Linę Memory Module) Moduły SIMM z układami dynamicznej pamięci RAM dla poszczególnyc
DSCN5390 (3) Niezależnie od typu pamięci RAM... po włączeniu zasilania jej komórki znajdują się w lo
188 189 188 Rys. 5*73* Komórka statycznej pamięci RAM: a) bipolarna, b) MMOS rzy przerzutnlk, połącz
5 (1857) Pamięci można sklasyfikować jako statyczne i dynamiczn *V pamięci statycznej komórki pamięc
5 (1909) Pamięci można sklasyfikować jako statyczne i dynamiczń *V pamięci statycznej komórki pamięc
14 6. Instrukcie logiczne 59 iloczyn przesyłany jest do akumulatora (A), • komórki wewnętrznej pami
RAM: 1) DRAM 2) SRAM 1) DRAM - elementy pamiętające - wartość
DSCN5322 (2) Synchroniczna pamięć DRAM (SDRAM) * dane / rozkazy sterujące przesyła
DSCN5323 (2) Synchroniczna pamięć DRAM (SDRAM) • dane / rozkazy sterujące przesyła
DSCN5325 (2) Synchroniczna pamięć DRAM (SDRAM) Podstawcie cykle pracy transfer danych
DSCN5327 (2) Synchroniczna pamięć DRAM (SDRAM) Podstawowe cykle pracy:
DSCN5328 (2) Synchroniczna pamięć DRAM (SDRAM)* praca w trybie potokowym / z przeplotem (pipelined /
MG&04 t/hn t StftJFt; ~ ■ Realizacja pamięci RAM process llbrary leee; use ieee.stdJoglc_1164.all;
Slajd23 (115) Pamięć RAM
Image609 Pamięć RAM (akumulatory) Pamięć RAM charakteryzuje się pojemnością 16 słów 4-bitowych z
więcej podobnych podstron