97982

RAM:

1)    DRAM

2) SRAM

1)    DRAM - elementy pamiętające - wartość ładunku na kondensatorach. Samo zasilanie nie wystarczy, kondensatory tracą ładunek - jest konieczne odświeżanie informacji, inaczej na kondensatorach mogą odłożyć się dowolne ładunki

2)    SRAM - przerzutnik - element pamiętający - musi być utrzymana wartość logiczna => konieczne zasilanie

Odczyt i zapis

Odczyt z ROM (lub SRAM):

1)    ustawienie adresu (odwołanie się do pamięci) - linie adresowe (np. AO ... A14), ile linii - zależy od tego ile pamięci jest w systemie. Na podstawie adresu zostaną zaktywowane linie MREQ lub im odpowiadające

2)    CE/ (Chip Enable) - linie wyboru określonego układu pamiętającego, aktywne stanem niskim

3)    OE/ albo RD/ - Output Enable/Read - linie odczytu - ustawia akcję odczytu

4)    to wszystko wysyłane do układu pamiętającego na linię adresową (np.

DO ... D7)

Zapis do SRAM

Wybór adresu i układu jak poprzednio, zmiana linii WRITE - dane z pamięci muszą być ustawione przed ustawieniem linii WRITE w stan aktywny (przez procesor lub układ DMA). Procesor lub DMA musi utrzymać dane przez czas wymagany dla pamięci, ale bez zwrotu informacji o tym, że zapis się udał czy nie.

Odczyt z DRAM:

Pojawiają się linie RAS i CAS

1)    na magistrali adresowej jest podawany adres wiersza - jak się adres ustawi, to

2)    linia RAS przechodzi w stan aktywny (poziom niski) - potwierdzenie, że na magistrali jest adres wiersza

3)    na magistrali adresowej przełączanie adresu (stan niestabilny) - żeby pojawił się adres kolumny - linia CAS przechodzi w stan aktywny (poziomem niskim)

Po zakończeniu adresacji - wskazanie linii MREQ.

13