3582321292

2.

1. Podaj parametry stanów logicznych w technice TTL

	uwe	Uwy
Stan wysoki H	2 - 4,75V	2,4- 3,8V
Stan niski L	0- 0,8V	po £» 1—* < i
Stan zabroniony	0,8 - 2V	0,4- 2,4V

	1 we	Iwy
Stan wysoki H	E <>r o o <	0,4m A
Stan niski L	l,6mA	16mA

Charakterystyka przejściowa bramki NAND w technice TTL wraz z punktami charakterystycznymi

U, CMI

i 5-

i

X

/-

£>y ca

-

4 A

i.

2 _

tl ||

Z

<-

1 1

1

_

h

£v

’1

0.5\

A

o [/

S 3

O J

A

5

i

Punkt X na charakterystyce przejściowej odpowiada napięciu wejściowemu ok. 0,65V. Napięcie na bazie tranzystora Tl jest wtedy równe ok. 1,3V, co oznacza zapoczątkowanie przewodzenia tranzystora T2 wskutek oddziaływania napięcia wejściowego przez przewodzące złącze emiter-baza transformatora Tl i przepływ prądu kolektora. Nachylenie charakterystyki przejściowej między punktami X i Z równe jest w przybliżeniu -1,6 V/V. Tranzystor T3 w układzie wtórnika emiterowego powtarza zmiany napięcia zachodzące na kolektorze T3.

Punkt Z na charakterystyce przejściowej wyznacza wartość napięcia, przy której zaczyna przewodzić złącze emiter-baza tranzystora T3, pod wpływem przyrostu napięcia na oporniku R3. Od tego punktu zaczyna się stroma część charakterystyki, ponieważ coraz silniej przewodzi tranzystor T3. Powoduje on też wzmożony pobór prądu kolektora, przez co przyspiesza zetknięcie tranzystora T4. W końcu dochodzi do osiągnięcia na wyjściu bramki stanu niskiego.

3. Podaj parametry bramki w standardowej technice TTL