23282

c) ścieżki przewodzące, rezystory, warstwy izolacyjne, kondensatory, cewki, układy wielowarstwowe TFM, a nie obejmują układów wielowarstwowych LTCG termistorów, warystorów

7.    Podłoża stosowane w mikroelektronicznych technologiach grubowarstwowych winna cechować

a)    odporność na wysokie temperatury, dobre przewodnictwo cieplne, dobra izolacja elektryczna, płaskość powierzchni, elastyczność

b)    odporność na wysokie temperatury, płaskość powierzchni, elastyczność

c)    QdpQm^ćna.>yysQki£.Ł£iiii2^alury,-dQbi£.prŁgwQdmŁtv>:Q.d£pliiŁ.dQkaiiŁQlaŁiŁ. elektryczna, płaskość powierzchni

8.    Pasty stosowane w technologii grubowarstwowej na ogół:

a)    posiadają lepkość niezależną od temperatury

b)    nie wymagają wypału

c)    Dosiadają lepkość zależna od prędkości ścinania

9.    W procesie FODEL nie ma potrzeby:

a)    trawienia pasty światłoczułej

b)    stosowania fotorezystu

c)    naświetlania UV

10.    Prawo Gordona Moore’a mówi, że gęstość upakowania tranzystorów (y) w układzie scalonym zmienia się tak jak funkcja:

a)    Liniowa y(t)=at + b₀

b)    Kwadratowa y(t) = ct²+yo

c)    Eksponencjalna vf 0 Ag,\p(Bt)

11.    Elementy spintroniczne wykazują stan wysokiej lub niskiej rezystancji zależnie od:

a)    kierunku namagnesowania elektrod.

b)    polaryzacji napięcia zasilania,

c)    kierunku pola magnetycznego

12.    Jednym z podstawowych parametrów elementów spintronicznych jest magnetorezystancja (MR). Definiuje ją równanie?

a)    M R —( Rw + Rp)/ Rn,

b)    MR =(Rw~Rn)/R>

c)    MR =( Rn+Rw)/2,

gdzie: R_w- rezystancja wysoka elementu, R_N- rezystancja niska elementu.

13.    Elementem spintronicznym stosowanym obecnie w budowie głowic odczytowych dysków twardych i komórek pamięci M-RAM jest magnetyczne złącze tunelowe. Aby złącze to mogło być wykorzystane w budowie głowicy odczytowej dysku twardego powinno się cechować:

a)    koercją charakterystyki rezystancji od pola magnetycznego,

b)    dwustanowością charakteiystyki rezystancja od pola magnetycznego,

c)    liniowością i bezkoercyinościa charakterystyki rezystancji od pola magnetycznego.

14. Z analizy piku dyfrakcyjnego w pomiarze 0-29 (goniometrycznym) można uzyskać informacje o: