Wyliczone wartości punktu pracy tranzystora, w każdym z układów polaryzacji nieznacznie odbiegały od założeń teoretycznych. Spowodowane to było tym, że rezystory potrzebne do realizacji danego układu nie zawsze były dostępne. Należało dobrać przybliżone wartości rezystancji, które były dostępne w sali laboratoryjnej. Wpływ na otrzymane wartości punktu pracy, a głównie na wartość prądu Ic miały zmiany współczynnika wzmocnienia Po, który z kolei zależał od temperatury. Jednak, zbyt wysoka temperatura, może spowodować przejście tranzystora w stan nasycenia. Przy zbyt wysokiej temperaturze i braku ograniczeń prądowych może nastąpić przebicie cieplne tranzystora.
Dla badanego tranzystora wzmocnienie prądowe wynosiło zaledwie po = 55,5 (zwiększyło się wraz ze wzrostem temperatury). Wiadomo jednak, że im większa wartość współczynnika p0 tym większy jest wpływ zmian UBe-
Dla pierwszych dwóch układów polaiyzacji, otrzymaliśmy zmniejszenie wartości Ic przy jednoczesnym wzroście Uce, dła zwiększającej się temperatury, chociaż zgodnie z teorią powinno być odwrotnie.
W niniejszym sprawozdaniu pominięte zostały wykresy zależności Ic(T) oraz UCe(T), ponieważ w ćwiczeniu pomiary przeprowadzane były jedynie dla dwóch temperatur (30° i 90°). W związku z tym należałoby naiysować wykres na podstawie tylko dwócli punktów, który nie odzwierciedla rzeczywistej charakterystyki.