108724

-unikać zgrubień w miejscach łączenia się ścian odlewu (unikanie powstawania jam skurczowych) -unikanie dużych węzłów cieplnych

-przejścia jednej ściany w drugą powinny być łagodne -zaokrąglenia w narożach

-dla żeliwa nadlew w miejscu największych węzłów cieplnych -metoda "kół wpisanych"

-powiększanie się odlewu ku górze od miejsca największej jamy skurczowej -stosuje się pochylenia ścianek bocznych 6-10 stopni (likwidacja obciągnięcia i karbu)

10.    Podać przybliżone warunki, w których nie stosuje się nadlewów:

-Dla materiałów, które nie mają tendencji do tworzenia jamy skurczowej, zwłaszcza żeliw niższej jakości i niektórych gatunków brązu (np.: brąz cynowy).

-Gdy dochodzi do krzepnięcia jednoczesnego , gdyż nie byłoby to wtedy w żaden sposób uzasadnione (krzepnięcie jednoczesne: równomierna grubość ścianek i brak węzłów cieplnych; doprowadzenie układu wlewowego do miejsc odlewu o małym przekroju - przegrzanie formy i wyrównanie czasu krzepnięcia we wszystkich częściach formy; stosowanie materiałów formy o różnych właściwościach termofizycznych lub ochładzalników - znów wyrównanie czasu krzepnięcia)

11.    Proces krystalizacji odlewu z podeutektycznego siluminu (stopu Al-Si):

Rozpoczyna się gdy stop zostanie przechłodzony względem temperatury równowagowej T_R(l>.

Na odcinku AB powstają i wzrastają do wielkości krytycznej i większej zarodki roztworu stałego krzemu w aluminium

(faza a). Ciepło krystalizacji zarodkowania fazy a jest odprowadzane do formy przez otaczającą te zarodki fazę ciekłą co sprawia, że temperatura tej fazy ciekłej wzrasta ( do punktu B na krzywej stygnięcia).

W odlewach występuje zarodkowanie heterogeniczne ponieważ w cieczy krzepnącego odlewu są zawsze powierzchnie rozdziału będące podłożem do zarodkowania: wtrącenia niemetaliczne, powierzchnia formy, błonki tlenków na powierzchni cieczy, nieroztopione kryształy (np. Si).

Na odcinku BC następuje wzrost kryształów fazy a. W fazie a zawartość Si zmienia się według linii solidus (S) -maksymalna zawartość Si = 1,65 %, a w cieczy w tym czasie następuje wzrost zawartości Si według linii likwidus (L) - gdy faza ciekła wzbogaci się do składu eutektycznego, który dla równowagowego układu podwójnego Al-Si wynosi 12,5 % (jest to 1 z dwóch warunków aby zarodkowała eutektyka). W czasie procesu krystalizacji odlewów z podeutektycznego stopu, faza ciekła zawsze wzbogaca się w drugi składnik, w tym przypadku w Si i zawsze jakaś część fazy ciekłej osiągnie skład eutektyczny.