108727

Dioda jest elementem elektronicznym zbudowanym z dwochpolprzewodnikow (typu p i typu n). Właściwie jest to miejsce zetknieciasie tych dwochpolprzewodnikow.

Półprzewodnik typu p posiada atomy czterowartosciowe i atomy trójwartościowe. W wyniku tego występują "braki" elektronów. Sa to dziury (nadmiarowe nosnikiwiekszosciwe). Prąd w tym polprzewodnikuskladasie praktycznie tylko z dziur.

W półprzewodniku typu n sytuacja jest podobna, lecz sa tu atomy o wartościowości 5. W wyniku tego występuję nadmiar elektronów. Sa to nadmiarowe nosnikiwiekszosciwe dla tego typu półprzewodnika. Prąd w tym polprzewodnikuskladasie praktycznie tylko z elektronów.

Działanie diody jest następujące:

W miejscu styku dwochroznychpolprzewodnikow tworzy sie bariera potencjałów (spowodowana roznicaladunkowatomow domieszki obu półprzewodników).

Polaryzacja diody w kierunku przewodzenia powoduje odlozeniesienajwiekszegonapiecia na złączu (najwiekszaopornosc) w wyniku tego napięcie na złączu maleje, maleje szerokość obszaru zubożonego i maleje natezenie pola elektrycznego    w    złączu.    Po    osłabieniu    pola

nosnikiwiekszosciowebedamoglypokonywaczlacze ruchem dyfuzyjnym, a w obwodzie zewnetrznympoplunie znaczny prąd.

Polaryzacja diody w kierunku zaporowym powoduje:

1.    Zwiekszenieszerokosci obszaru zubozonegogdyzprzylozonenapiecieodkladasie przede wszystkim na złączu.

2.    Zwiększenie pola elektrycznego w złączu i skuteczne zachamowanie dyfuzyjnego ruchu nosnikowwiekszosciowychjuz przy napięciu 0.1V.

3.    Pojawienie sie w obwodzie zewnętrznym niewielkiego pradupochodzacego od dryftowego ruchu nosnikowmniejszosciowych. Prąd ten posiada malawartoscgdyz koncentracje nosnikownmniejszosciowychsamale, a sredniapredkoscnosnikowrowniez jest mała.

Przy zwiekszaniunapiecia wstecznego diody dochodzi do przebicia zlacza. W diodach prostowniczych jest to zjawisko nieodwracalne (występuję tu przebicie cieplne), natomiast w diodach Zennera jest to zjawisko odwracalne poniewazwystepuje tu przebicie lawinowe (Uz> 6V) i przebicie tynelowe (Uz< 8V). Przebicie lawinowe polega na wybiciu elektronów z sieci krystalicznej półprzewodnika poprzez bombardowanie jej innymi elektronami (o duzejszybkosci - rozpędzone przez pole elektryczne). Przebicie tunelowe polega na wyrwaniu elektronów z sieci krystalicznej przez podanie batdzodyzego pola elektrycznego.