116478

-    o - energia powierzchni granicznej między: LP - cieczą i podkładką (ciałem obcym), PS - podkładką i powstającym kryształem, SL - powstającym kiysztalem i cieczą

10.    Modyfikowanie przemian fazowych - dwa sposoby działania modyfikatorów

-    wprowadzenie do skrzepniętych metali w stanie ciekłym, substancji zapewniających powstanie odpowiednio aktywnych cząstek np tlenków, azotków, węglików

-    wprowadzenie niektórych pierwiastków, które nie tworzą trudno topliwych cząstek lecz rozpuszczają się w ciekłym metalu. Podczas krystalizacji atomy tych pierwiastków gromadzą się na powierzchniach granicznych ciecz-ciało stałe i zmieniają energię powierzchniową. Są stosowane szczególnie w celu zmiany kształtu ziam w stopach dwufazowych)

11.    Liniowa szybkość wzrostu kryształu (drugi etap krystalizacji) zależy od:

-    prawdopodobieństwa powstania płaskiego zarodka, a tym samym od częstości zarodkowania

-    obecności dyslokacji śrubowej

-    przechłodzenia

12.    Parametry i kształt krzywej kinetyki krystalizacji

-    kształt litery S

-    ma różne nachylenie w zależności od przechłodzenia • to funkcja stopnia przemiany od czasu

13.    Od jakich parametrów i czynników zależy wielkość ziarna po krystalizacji

-    rozmiar ziam jest wprost proporcjonalny do szybkości wzrostu, a odwrotnie proporcjonalny do liczby zarodków

14.    Krystalizacja dendrytyczna zachodzi gdy:

-    gradient temperatury w cieczy jest ujemny

-    na granicy międzyfazowej powstanie jakaś wypukłość

15.    Segregacja dendrytyczna polega na

-    zróżnicowaniu składu chemicznego wewnątrz jednego dendrytu

-    powstaje podczas krystalizacji stopów i nasila się w miarę wzrostu odległości między likwidusem a solidusem