123376

283

283

Rys. 34.1. Poślizgi w monokrysztale cynku

sieci krystalicznej w sąsiedztwie płaszczyzny poślizgu, co wpływa hamująco na ruch poślizgowy tak, że przerzuca się on na drugą z kolei płaszczyznę o tej samej orientacji krystalograficznej. Natej drodze tworzą się stopniowo nowe płaszczyzny poślizgu, oddzielone nie odkształconymi warstwami krystalograficznymi. Grubość tych warstw, czyli odległość pomiędzy płaszczyznami poślizgowymi jest rzędu 1 (Hem. Mechanizm powstawania poślizgów w monokrysztale przedstawiono na rys. 34.1.

Płaszczyznami łatwego poślizgu, w których metal stawia najmniejszy opór odkształceniu, są płaszczyzny z najgęstszym ułożeniem atomów. Płaszczyzny łatwych

poślizgów w układach krystalograficznych typu A1, A2 oraz A3 przedstawia rys. 34.2.

Jak widać, najmniej płaszczyzn i kierunków łatwego poślizgu występuje w układzie heksagonalnym A3, toteż metale krystalizujące w tym układzie, jak np. magnez i cynk odznaczają się mniejszą plastycznością, zaś największą- w układzie regularnym A1.

Rys. 34.2. Płaszczyzny łatwego poślizgu

Przedstawiony wyżej mechanizm odkształcenia plastycznego nie jest ścisły; w rzeczywistości poślizg przy odkształceniu plastycznym jest procesem przemieszczania się dyslokacji, jak to schematycznie przedstawiono na rys. 34.3.

O ile na kryształ o idealnej sieci krystalicznej działa siła zewnętrzna P, to początkowo wystąpią przesunięcia sprężyste atomów w pionowych rzędach 1, 2 oraz 3 nad płaszczyzną poślizgu A-A (rys. 34.3a). Przy dalszym wzroście siły P drugi rząd atomów wytworzy ekstra-płaszczyznę, tj. powstanie dyslokacja (rys. 34.3b); teraz wystarczy przyłożyć niedużą siłę zewnętrzną, ażeby spowodować przesuwanie się poszczególnych pionowych rzędów atomów nad płaszczyznę poślizgu A-A. Przesunięcia