KONDENSATORY SPRZĘGAJĄCE -blokują przenikanie składowych stałych między źródłem sygnału (np. generator) i wzmacniaczem oraz wzmacniaczem i odbiornikiem wzmocnionego sygnału (np. głośnik)
KONDENSATORY DO FILTRÓW - podstawowe elementy w układach kształtujących charakterystyki częstotliwościowe (np. wzmacniaczy)
KONDENSATORY w generatorach napiąć ia sinusoidalneg KONDENSATORY W UKŁADACH CZASOWYCH - właściwośd zależności napiąciowD-piądowych w kondensatorach od czasu wykorzystywana jest między innymi do o kie ślania związków cza sowych w gene ratorach przebiegów pio stokątnyc h i piłokształtnych
KONDENSATORY WYKORZYSTYWANE ZE SCALONYM UKŁADAM CZASOWYM - np. z timerem '555 do układówprzerzutników astabilnych i mono stabilnych
Pojemno śc i między elektrodami tranzystorów ograniczają maksymalną czę stotli wd śd pracy
Pojemno śc i pasożytnicze śc leżek sygnałowych oraz wejśd bramę k cyfrowych powodują zwiększanie czasów propagacji
2. POLARYZACJA ZAPOROWA P-N
Zwiększona bariera potencjału (DB +U) powoduje całko wity zanik piądów dyfuzyjnych nośników większościowych.
Pozo staj ą nie żale zne od napięć ia prądy uno szenia nośników mniej szo śc iowyc h
Zmmej szonabanera potencjału (DB-U) powoduje przepływ dużych piądów dyfuzyjnych nośników większościowych i małych piądów unoszenia nośników mniejszościowych
4. DIODY W UKŁADACH ELEKTRONICZNYCH POWIELACZE NAPIĘCIA
POMPA ŁADUNKOWA
OGRANICZNIK DIODOWY
KSZTAŁTOWANIE PRZEBIEGÓW NAPIĘCIOWYCH
DETEKTOR S ZC ZYTO WY
BRAMKA DIODOWA
PROSTOWNIK
5. Z ląc ze dyfuzyjne (linio w e) - d)f uzja pierwiastka donorowe go lub akc eptorowego Złącze implantów ane(skokowe) - bombardowanie kryształu Si jonami domieszek rozpędzonymi
do dużej eneigii (setki keV)
Z ląc ze epitaksjalnej koko we) -nanoszenie warstwy epitaksjalnej półprzewodnika z atmosfery
wzbogaconej o pierwiastki domieszek
• Szybko śd generacji nośników nie jest równa szybkości rekombinacji:
■ Nie obowiązuje prawo działania mas:
■ Obojętno śd elektryczna może byd zaburzona
7. GENERACJA - przejście elektronu z pasma walencyjnego od przewodnictwa Generacja par elektron-dziura może odbywad się np. pod wpływem ciepła, światła, promieniowania, jomzacji zderzeniowej.
8. REKOMBINACJA - przejście „powrotne" elektronu z pasma przewodnictwa do walencyjnego
- Rekombinacja bezpośrednia