POLITECHNIKA LUBELSKA w LUBLINIE
LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI		Ćwicz. nr 1
TEMAT: BADANIE CHARAKTERYSTYK STATYCZNYCH TANZYSTORA		DATA: 1997.03.14
WYKONALI: Remigiusz Szafraniec, Marcin Drob, Bober Dariusz	GRUPA: ED 4.1	OCENA:

Celem ćwiczenia jest wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora p-n-p. w układzie WB i WE. Następnie określenie z otrzymanych charakterystyk mieszanych parametrów przyrostowych.

1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB.

Pomiary przeprowadza się w układzie przedstawionym na rys.1:

Rys 1. Układ do wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB

1.1 Charakterystyka wejściowa I_e=f(U_eb) przy U_cb=const.

Charakterystyka przejściowa I_c=f(I_e) przy U_cb=const.

Wyniki pomiarów przedstawia poniższa tabela:

Tabela 1

UCB=1 V			UCB=1.5 V			UCB=2 V			UCB=2.5 V
UEB	IE	IC	UEB	IE	IC	UEB	IE	IC	UEB	IE	IC
[V]	[mA]	[mA]	[V]	[mA]	[mA]	[V]	[mA]	[mA]	[V]	[mA]	[mA]
0,56	9,6	10	0,56	9,8	10	0,57	10,5	10	0,55	10	10
0,59	19,7	20	0,59	19,7	20	0,59	20,4	20	0,58	20	20
0,61	30,2	30	0,61	29,9	30	0,61	30,8	30	0,61	30	30
0,64	40,6	40	0,63	39,7	40	0,63	40,6	40	0,63	40	40
0,66	50,9	50	0,65	50,3	50	0,65	50,6	50	0,65	50	50
0,67	60,0	60	0,66	60,9	60	0,66	60,6	60	0,66	60	60
0,68	70,2	70	0,68	70,7	70	0,68	70,4	70	0,67	70	70
0,70	80,2	80	0,69	80,0	80	0,69	80,8	80	0,69	80	80
0,72	91,4	90	0,71	90,2	90	0,70	90,2	90	0,70	90	90
0,73	102,1	100	0,72	100,1	100	0,72	100	100	0,71	100	100

1.2 Charakterystyka wyjściowa I_C=f(U_CB) przy I_E=const.

1. Charakterystyka oddziaływania wstecznego U_EB=f(U_CB) przy I_E=const

1. Tabela 2

IE=20 mA			IE=40 mA			IE=60 mA			IE=80 mA
UCB	IC	UB	UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB
[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]
0,1	20,8	0,59	0,1	40,2	0,64	0,1	60,1	0,67	0,1	79,8	0,71
0,2	20,6	0,60	0,2	40,6	0,63	0,2	60,5	0,67	0,2	80,1	0,71
0,3	20,4	0,59	0,3	39,9	0,64	0,3	60,2	0,67	0,3	79,9	0,71
0,4	20,6	0,59	0,4	40,1	0,64	0,4	60,3	0,67	0,4	80	0,71
0,5	20,8	0,59	0,5	40,2	0,64	0,5	60,1	0,67	0,5	80,1	0,71
0,6	20,3	0,59	0,6	40,1	0,64	0,6	60	0,67	0,6	80,1	0,71
0,7	20,1	0,59	0,7	40	0,64	0,7	60	0,67	0,7	80,1	0,71
0,8	20,5	0,59	0,8	40	0,64	0,8	60,2	0,67	0,8	80	0,71
0,9	20	0,59	0,9	40	0,64	0,9	60,3	0,67	0,9	80	0,71
1,0	20,4	0,59	1,0	40,3	0,64	1,0	60,2	0,67	1,0	80,2	0,71

Na podstawie tabel wykreśliliśmy charakterystyki (patrz rys.3)

Korzystając z rysunku wyznaczyliśmy parametry hybrydowe tranzystora w układzie WB

oporność wejściowa:

współczynnik wzmocnienia prądowego:

admitancja wyjściowa:

oddziaływanie wsteczne:

1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE.

Pomiary przeprowadziliśmy w układzie przedstawionym na poniższym rys.

Rys 1. Układ do wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE

1.1 Charakterystyka wejściowa I_b=f(U_be) przy U_ce=const.

Charakterystyka przejściowa I_c=f(I_b) przy U_ce=const.

Wyniki pomiarów przedstawia poniższa tabela:

Tabela 3

Uce=0,5 V			Uce=1 V			Uce=1,5 V			Uce=2 V
UEB	Ib	Ic	UEB	Ib	Ic	UEB	Ib	Ic	UEB	Ib	Ic
[V]	[mA]	[mA]	[V]	[mA]	[mA]	[V]	[mA]	[mA]	[V]	[mA]	[mA]
0,55	101	9,3	0,56	100	10,2	0,57	100	9,6	0,55	100	10,3
0,57	199	21,1	0,59	200	21,8	0,59	200	22,8	0,59	200	23,6
0,62	300	35,2	0,62	300	34,6	0,61	300	36,7	0,61	300	31,4
0,64	400	47,9	0,63	400	48,3	0,63	400	50,0	0,63	400	52,3
0,65	500	61,5	0,66	500	66,9	0,65	500	64,9	0,65	500	66,0
0,67	600	76,5	0,67	600	77,9	0,66	600	78,1	0,66	600	81,1
0,69	700	87,4	0,68	700	92,6	0,68	700	93,3	0,67	700	96,0
0,70	800	102,1

2,2 Charakterystyka wyjściowa I_C=f(U_CB) przy I_E=const.

1. Charakterystyka oddziaływania wstecznego U_EB=f(U_CB) przy I_E=const

1. Tabela 2

IE=200 mA			IE=398 mA			IE=600 mA			IE=800 mA
UCB	IC	UB	UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB
[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]
0,1	8,1	0,56	0,1	13,7	0,6	0,1	17,3	0,63	0,1	20,3	0,66
0,2	18,7	0,59	0,2	38,0	0,63	0,2	49,7	0,66	0,2	49,7	0,68
0,3	20,1	0,59	0,3	46,6	0,635	0,3	71,6	0,66	0,3	89,7	0,69
0,4	21,4	0,59	0,4	47,2	0,635	0,4	74,3	0,66	0,4	100,7	0,69
0,5	21,5	0,59	0,5	47,6	0,635	0,5	74,6	0,66
0,6	21,6	0,59	0,6	48,0	0,635	0,6	76,0	0,66
0,7	21,7	0,59	0,7	45,8	0,635	0,7	76,7	0,66
0,8	21,8	0,59	0,8	49,0	0,635	0,8	77,2	0,66
0,9	21,9	0,59	0,9	49,4	0,635	0,9	77,5	0,66
1,0	22,0	0,59	1,0	49,7	0,635	1,0	77,5	0,66

Na podstawie tabel wykreśliliśmy charakterystyki (patrz rys.4

Korzystając z rysunku wyznaczyliśmy parametry hybrydowe tranzystora w układzie WE

oporność wejściowa:

współczynnik wzmocnienia prądowego:

admitancja wyjściowa:

oddziaływanie wsteczne:

Wnioski

Z parametrów hybrydowych możemy odczytać podstawowe własności tranzystorów.

Widzimy tu, że tranzystor w układzie WB ma impedancję wejściową mniejszą (rzędu dziesiątek omów) niż tranzystor w układzie WE (rzędu omów). Posiada natomiast mniejszy współczynnik wzmocnienia prądowego.

Tranzystor w układzie WB posiada duży współczynnik oddziaływania wstecznego.







Rys. 3 Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie WB




Rys.4 Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie WE.

---