r < Br" < S2" < SCN" < Cl" < NO," < N," < F < OH" < CA2" < H20 < NCS" < CH,CN < py < NH, < en < 2,2’-bipirydyna < phcn < N02" < PPh, < CN" < CO
Stan utlenienia metalu także ma wpływ na wartość A. Wyższy stopień utlenienia danego metalu jest skorelowany z większą wartością przerwy energetycznej. Przykładowo kompleks V3* ma wyższą wartość A niż połączenia kompleksowe V2+ dla takiego samego zbioru ligandów. Wywołane jest to większą gęstością ładunku dodatniego w przypadku V3* przez co elektrony ligandów znajdują się bliżej orbitali d metalu co prowadzi do ich silniejszego wzajemnego odpychania się.
Kompleksy nisko- i wysokospinowe
53
diagram rozszczepienia pola krystalicznego dla kompleksu niskospinowego [FcfNOłk]1"
Ligandy powodujące duże rozszczepienie energii orbitali molekularnych d określane są mianem ligandów silnego pola, przykładem mogą być CN" lub CO. Kompleksy zawierające te Ugandy wykazują tendencją do lokowania elektronów na orbitalach o niższej energii. Prowadzi to do sytuacji w której orbitale te są całkowicie wypełnione zanim zacznie się wypełnianie orbitah wysokoenergetycznych. Kompleksy tego rodzaju nazywane są kompleksami niskospinowyini. Przykładowo. N02" jest Ugandem silnego pola wprowadzającym duże A. Oktaedryczny jon PFe(N02)6]J” mając 5 elektronów na orbitalach d posiada oktaedryczny diagram rozszczepienia, w którym wszystkie pięć elektronów znajduje się na poziomie energetycznym t2g.
53
Diagram rozszczepienia pola krystalicznego dla kompleksu wysokospinowego fFeBr6)3’
Natomiast ligandy takie jak I" i Br" powodują małe rozszczepienie energetyczne A orbitah d i nazywane są kompleksami słabego pola. W ich przypadku wprowadzenie elektronów na poziomy wysokoenergetyczne jest bardziej preferowane niż tworzenie par elektronów na poziomach o niższej energii (wynika z reguły Hunda). Dlatego też elektrony najpierw są umieszczane na wyższych poziomach a dopiero później są parowane. Efektem jest tworzenie kompleksu nazywanego wysokospinowym. Przykładem może być kompleks [FeBr6]3~, mając pięć elektronów na orbitalach d posiada oktaedryczny diagram rozszczepienia.
Warunkiem koniecznym do powstania kompleksu niskospinowego jest na tyle znaczna różnica w energiach pomiędzy poziomami t i g by bardziej opłacalne energetycznie było umieszczanie kolejnego