91092

Test 2.

1.    Półprzewodnik to:

a)    Materiał nieorganiczny lub organiczny o rezystywności poniżej 10 ⁶Om

b)    Materiał nieorganiczny lub organiczny o rezystywności powyżej 10⁶Om

c)    Materiał nieorganiczny lub organiczny o rezystywności 10* - 10⁶Om

d)    Rezystywność półprzewodnika zależy od temperatury, oświetlenia, stopnia czystości

e)    Materiał o szerokości pasma zabronionego mniejszego od 5eV

2.    Defekt strukturalny to:

a)    Nieprawidłowe rozmieszczenie atomów w sieci krystalicznej

b)    Atomy obce w węzłach lub położeniach międzywęzłowych sieci krystalicznej

c)    Wakanse, węzły sieci krystalicznej przypadkowo nieobsadzone przez właściwe atomy

d)    Lokalna zmiana składu chemicznego materiału rodzimego

e)    To atom lub grupa atomów, powodująca lokalną zmianę sieci krystalicznej materiału półprzewodnikowego, skutkująca poprawą jakości kryształu

3.    Ładunek punktowy (+q)

a)    Ładunek pozwalający na badanie natężenia pola elektrycznego

b)    Ma wartość ładunku elementarnego le

c)    Ładunek naładowanego ciała o małych wymiarach geometrycznych w porównaniu z odległością punktu w przestrzeni w którym znajduje się ładunek Q od tego ciała

d)    Umieszczony w dowolnym pkt w przestrzeni, oddalony od ładunku Q będącego źródłem pola określa się F = E x q

e)    Pozwala na określenie wartości napięcia elektrycznego w polu E

4.    Pojemność zastępcza połączonych równolegle kondensatorów płaskich o pojemnościach Ci, C2, Cj odpowiednio wynoszących 0,lnF, 0,2nF, 0,3nF wynosi:

a)    0,6 nF

b)    10/6 nF

c)    1/(6) nF

d)    600 pF

e)    0,003 nF

5.    Półprzewodnik samoistny to:

a)    Półprzewodnik występujący w przyrodzie

b)    Półprzewodnik domieszkowy pracujący w bardzo wysokich temperaturach

c)    Półprzewodnik, w którym nośnikami ładunku są pary elektron-dziura

d)    Półprzewodnik w którym koncentracja dziur jest równa koncentracji elektronów

e)    Półprzewodnik samoistnie zmieniający poziom domieszkowania