97792

Ćwiczenie 3: Charakterystyka I-U złącza p -nJDiody.

1.    Budowa złącza p-n, symbol diody, polaryzacja.

2.    Rodzi je nośników i me chanizmy ich prze pływu w złączu p-n.

3.    Model pasmowy złącza p-n be z polaryzacji i dla polaryzacji przewodzenia.

4.    Model pasmowy złącza p-n be z polaryzacji i dla polaryzacji zaporowej.

5.    Pojęcia: warstwę zubożona złącza, nośniki prądu.

6.    Co to jest napięcie dyfuzyjne złącza p-n?. Od czego zależyjego wartość?

7.    Wzór Shockleya. Uproszczenie wzoru dla kierunku zaporowego i przewodzenia.

8.    Wyprowadzenie wzoru na wpółczynnik doskonałości złącza (ze wzoru Shockleya).

9.    Rezystancja dynamiczna złącza p-n. Zależność od prądu złącza.

10.    Rezystancja szeregowa złącza p-n. Wyznaczanie doświadczalne.

11.    Współczynnik idealności złącza, n. Wyznaczanie doświadczalne.

12.    Charakterystyka I-U diody Si oraz Ge dla kierunku przewodzenia. Wyjaśnić różnice.

13.    Charakterystyka I-U diodySiorazGe dla kierunku zaporowego. Wyjaśnić różnice.

*

Ćwiczenie 4: Elementy stabilizacyjneDioda Zenera.

1.    Mechanizmy przebicia w złączu p-n spolaryzowanym w kierunku zaporowym.

2.    Zakres pracy ( polaryzacja) diody prostowniczej oraz diody stabilizacyjnej.

3.    Charakterystyka I-U diody stabilizacyjnej. Parametry dopuszczalne i charakterystyczne.

4.    Wpływ temperatury na charakterystyką I-U złącza p-n, w zakre sie przebicia.Zdefiniować odpowiedni współczynnik temperaturowy.

5.    Układ pracy stabilizatora w ćwiczeniu, zastosowane przyrządy pomiarowe.

6.    Stabilizator napięcia z diodą Ze nera. Zasada działania.

7.    Współczynnik stabilizacji napięcia badanego stabilizatora. Jak mierzymy?

8.    Przebiegi czasowe napięcia na wejściu i wyjściu stabilizatora.

9.    Zasada doboru rezystora szeregowego w układzie stabilizatora.

10.    Rola filtra (kondensatora) w układzie stabilizatora.

Ćwiczenie 5: Wpływ temperatury na półprzewodnik (termistory) oraz

na złącze p-n

1.    Podać ogólną zależno ść koncentracji n> w półprzewodniku samoistnym od temperatury oraz rodzaju półprzewodnika.

2.    Półprze środnik domieszkowany o koncentracji akceptorów N». Madei pasmowy. Jak wyznaczyć koncentrację dziur i elektronów?

3.    Półprzewodnik domieszkowany o koncentracji donorów Nd. Madei pasmo wy. Jak wyznaczyć koncentrację elektronowi dziur?

4.    Wykres konduktywności od temperatury dla pałprzewodnika typu-n. Cbjaśnić zależność.

5.    Podać i objaśnić wzór na konduktywność półprzewodnika samoistnego.

6.    Podać i objaśnić wzór na konduktywność półprzewodnika domieszkowanego w temperaturze pokojowej.

7.    Objaśnić zależność konduktywności półprzewodnika samoistnego od temperatury.

8.    Wpływ temperatury na charakterystykę I-U złącza p>-n, dla kierunku zaporowego, przed wystąpieniem przebicia. Padać wartość odpowiedniego współczynnika temperaturowego.

9.    Wpływ temperatury na charakterystykę I-U złącza p-n, dla kierunku przewodzenia.Podać wartość odpowiedniego współczynnika temperaturowego

10.    Omówńć zależność zmian rezystancji termistora z temperaturą.