plik


ÿþ382 17 SZUMY W UKAADACH ELEKTRONICZNYCH 17.1. yRÓDAA I RODZAJE SZUMÓW 17.1.1. Uwagi wstpne Szumy s efektem przypadkowych fluktuacji elektrycznych, powstajcych wskutek ziarnistej struktury elementów bdz Badunków elektrycznych. BezBadny ruch Badunków powoduje, |e chwilowa warto[ prdu lub napicia fluktuuje przypadkowo wokóB [redniej warto[ci. Charakter i poziom tych fluktuacji zale|y od rodzaju elementu, sposobu wykonania i warunków jego pracy. Wypadkowy szum ukBadu elektronicznego jest wynikiem superpozycji poszczególnych rodzajów szumów, powstajcych w ka|dym elemencie tego ukBadu. Najwikszy poziom sygnaBu w ukBadzie wyznaczaj charakterystyki obwodu, jednak|e najmniejsz rozró|nialn warto[ sygnaBu determinuje poziom szumów. Skutki szumów ujawniaj si w stopniu wyj[ciowym toru elektronicznego, natomiast zródBa szumów tkwi w wej[ciowej, niskoszumnej cz[ci ukBadu. Postp w minimalizowaniu szumów elementów i ukBadów elektronicznych jest niewielki w porównaniu z postpem technologii wytwarzania elementów i ukBadów i jest ograniczony sam natur szumów. Szum jest sygnaBem caBkowicie stochastycznym. Jest on utworzony ze skBadowych czstotliwo[ciowych o przypadkowej amplitudzie i fazie. Mo|emy zmierzy warto[ skuteczn szumu, jednak|e nie mo|emy przewidzie jego warto[ci chwilowej. Mo|liwy jest opis szumu pojciami teorii prawdopodobieDstwa. Dla przebiegów stochastycznych okre[la si gBówne parametry: - warto[ oczekiwan (warto[ [redni) + 1 (17.1) E i t = i(t) =lim ( ) [ ] +"i(t) p(i,t) dt ’!" T - - wariancj (kwadrat warto[ci skutecznej skBadowej zmiennej) +T/2 22 1 2 Ã = E t - i t = lim p i,t dt (17.2) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) [i ]T +" [i t - i t ] T’!" -T/2 W zale|no[ciach (17.1 oraz 17.2) symbol   oznacza u[rednienie w czasie, a p i, t jest funkcj gsto[ci ( ) prawdopodobieDstwa rozkBadu amplitudy przebiegu. 383 Omówione w dalszej cz[ci rodzaje szumów (z wyjtkiem szumu wybuchowego) maj normalny (gaussowski) rozkBad prawdopodobieDstwa chwilowej amplitudy przebiegu szumowego. ëø 1 i2 p i, t = exp - (17.3) ( )Ã 2 À íø 2 Ã öø ìø ÷ø 2 øø Rys.17.1 ilustruje pojcie rozkBadu prawdopodobieDstwa amplitudy przebiegu szumowego > [ ] Rys.17. 1. RozkBad prawdopodobieDstwa amplitudy przebiegu szumowego Zrednia warto[ fluktuacji prdu szumów jest równa zeru. Ze wzgldu na mechanizm powstawania szumów najogólniej mo|na podzieli szumy na: cieplne, [rutowe, strukturalne (nazywane równie| szumami migotania lub typu 1 f ), wybuchowe i lawinowe. 17.1.2. Szumy cieplne Szum cieplny, nazywany równie| szumem Johnsona, powstaje wskutek przypadkowych drgaD cieplnych no[ników Badunku w przewodnikach. W temperaturze powy|ej zera bezwzgldnego elektrony znajduj si w ustawicznym bezwBadnym ruchu, którego energia zale|y od temperatury. Z ka|dym elektronem porusza si Badunek e = 159 Å"10-19 C, zatem pojawia si ogromna ilo[ elementarnych , impulsów prdowych zwizanych z ruchem pojedynczych Badunków. Fluktuacje tego prdu powoduj powstawanie na koDcówkach przewodnika ró|nicy potencjaBów o warto[ci [redniokwadratowej siBy 2 2 elektromotorycznej eT lub równowa|nego zródBa prdu iT , okre[lonych zale|no[ci Nyquista 2 uT = 4 k T R "f (17.4a) 384 1 2 iT = 4 k T "f (17.4b) R W powy|szych zale|no[ciach k jest staB Boltzmana. Na rys.17.2 przedstawiono schemat zastpczy rezystora z uwzgldnieniem zastpczego zródBa szumowego: napiciowego lub prdowego. b) a) R (bezszumny) 4kT"f bezszumny R iT = R uT = 4kTR"f Rys.17. 2. Schematy zastpcze rezystora uwzgldniajce zródBa szumów cieplnych Gsto[ widmowa szumu cieplnego jest staBa a| do czstotliwo[ci 10 [Hz]. Szum cieplny jest zatem  szumem biaBym . Rezystancja R zawarta w równaniu (17.4) jest rzeczywist cz[ci impedancji zespolonej elementu. W temperaturze pokojowej (300 K) gsto[ widmowa szumów cieplnych rezystora 1 k&! wynosi: 2 2 uT "f = 16 Å"10-18 V Hz co oznacza, |e napicie szumów tego [] rezystora w pa[mie 1 Hz ma warto[ 4nV/ Hz . 17.1.3. Szumy [rutowe Szumy [rutowe, nazywane te| szumami Schottky ego, zwizane s zawsze z przepBywem skBadowej staBej prdu przez barier potencjaBu. Szumy te powstaj w zBczowych przyrzdach póBprzewodnikowych wskutek fluktuacji dyfuzji (gBównie no[ników mniejszo[ciowych) czyli nieregularnego przechodzenia no[ników przez bariery potencjaBu, a [ci[lej przez obszary Badunku przestrzennego na styku obszarów p - n póBprzewodnika. Podobny efekt wywoBuje przej[cie no[ników przez strefy graniczne metal - póBprzewodnik (bariery Schottky ego) lub metal - izolator. Prd pByncy przez zBcze zawiera dwie skBadowe, z których jedna wywoBana jest przez no[niki mniejszo[ciowe generowane cieplnie w warstwie zaporowej, natomiast druga skBadowa (odgrywajca gBówn rol przy polaryzacji w kierunku przewodzenia) reprezentuje dyfuzj no[ników wikszo[ciowych przez barier potencjaBu na zBczu, obni|on na skutek doprowadzenia do zBcza zewntrznego napicia 385 polaryzujcego. Obie skBadowe prdu wywoBuj peBny szum [rutowy i cho kierunki ich przepBywu s ró|ne, to jednak [redniokwadratowe warto[ci szumów przez nie wytworzonych dodaj si. Mo|na wykaza, |e je|eli prd i t zBo|ony jest z serii ( ) przypadkowych, niezale|nych impulsów o [redniej warto[ci IQ , to [redniokwadratowa warto[ szumów [rutowych wynosi 2 is = 2 q IQ "f A2 (17.5) [ ] gdzie: q - Badunek elektronu (1.6 10 C), IQ - skBadowa staBa prdu [A], "f - szeroko[ pasma [Hz]. Z równania (17.5) wynika, |e [redniokwadratowa warto[ prdu szumów [rutowych jest wprost proporcjonalna do szeroko[ci pasma "f czstotliwo[ci pomiaru. Wynika std, |e gsto[ widmowa mocy generatora prdowego 2 is szumów = 2 q IQ jest staBa w funkcji czstotliwo[ci, czyli szum "f tego typu jest szumem biaBym. StaBa gsto[ widmowa wystpuje w przedziale czstotliwo[ci znacznie mniejszych od 1 Ä , czyli od czstotliwo[ci wynikajcej z czasu przelotu no[ników (Ä ) przez warstw zubo|on zBcza, stanowic jedyne miejsce oddziaBywania pola zewntrznego na no[niki aktywne. 17.1.4. Szumy strukturalne (szumy 1 f lub szumy migotania) Terminem tym okre[la si skBadow szumów dominujc w zakresie maBych czstotliwo[ci o gsto[ci widmowej mocy b proporcjonalnej do 1 f (zwykle b H" 1, std ich nazwa). Szum ten wystpuje zarówno w przyrzdach póBprzewodnikowych, jak te| i w elementach biernych. Powstawanie szumu 1 f mo|na przypisa w decydujcym stopniu efektom powierzchniowym, a gBównie procesom puBapkowania swobodnych no[ników zwizanych z powolnymi stanami powierzchniowymi. Pewien wkBad w szumy 1 f daj centra generacyjno - rekombinacyjne znajdujce si w obszarze zubo|onym póBprzewodnika. W elementach elektronicznych szum 1 f mo|e wystpowa jedynie w warunkach ich polaryzacji. 386 Zredniokwadratow warto[ prdu szumów 1 f w pa[mie "f okre[la zale|no[ a IQ i2 = K1 b "f (17.6) f f gdzie: IQ - skBadowa staBa prdu, K1 - staBa dla danego przyrzdu póBprzewodnikowego (mo|e by ró|na nawet dla tranzystorów tego samego typu), a - staBa w przedziale 0,5 do 2, b - staBa równa prawie jedno[ci. Gsto[ widmow szumów 1/f przedstawiono na rys.17.3. Chocia| gsto[ widmowa mocy szumów 1/f jest najwiksza przy maBych czstotliwo[ciach, to jednak w przyrzdach wykazujcych du|y poziom tych szumów, mog one by dominujcym skBadnikiem szumów w pasmie od maBych czstotliwo[ci a| do zakresu MHz. i2 f "f 1 f Rys.17.3. Gsto[ widmowa szumów 1/ f f skala log 17.1.5. Szumy wybuchowe Ten typ niskoczstotliwo[ciowych szumów ma szczególne znaczenie w ukBadach scalonych (gBównie we wzmacniaczach operacyjnych), ale wystpuje równie| w ukBadach dyskretnych. 2 a) b) iw "f t skala log f 1 fc f Rys.17.4. a) Typowy oscylogram szumów wybuchowych, b) gsto[ widmowa szumów wybuchowych skala log Amplituda szumów 387 Mechanizm ich powstawania nie jest w peBni wyja[niony, ale wi|e si on z obecno[ci zanieczyszczeD w postaci jonów ci|kich metali. Nazwa  szum wybuchowy wywodzi si std, |e obserwowany na oscyloskopie przebieg szumowy ma ksztaBt niestacjonarnych fluktuacji typu impulsowego, pojawiajcych si co pewien czas. Czstotliwo[ impulsów szumu wybuchowego mie[ci si w pa[mie czstotliwo[ci akustycznych, a jego gsto[ widmowa mo|e by opisana zale|no[ci c IQ 2 iw = K2 "f (17.7) 2 ëø öø f 1+ ìø ÷ø fc íø øø gdzie: K2 - staBa charakterystyczna dla danego przyrzdu, IQ - skBadowa staBa prdu polaryzacji, c - staBa w granicach 0,5 do 2, fc - czstotliwo[ charakterystyczna, zale|na od mechanizmu powstawania szumów. 17.1.6. Szumy lawinowe Powstawanie szumów lawinowych wi|e si z przechodzeniem no[ników przez zBcza p-n spolaryzowane zaporowo. W tym przypadku zaporowe napicie polaryzacji musi by jednak na tyle du|e, aby pole elektryczne w warstwie zaporowej zapewniaBo no[nikom przy zderzeniu energi, wystarczajc dla lawinowego uwolnienia pary elektron - dziura. Ka|de zderzenie wytwarza impuls prdowy q / Ä , przy czym Ä jest [rednim czasem pomidzy zderzeniami. Szum zjawiska lawinowego mo|e by opisany za pomoc modelu Hinesa, przy pomocy którego okre[la si gsto[ widmow takiego szumu 2 q I 2 iz = (17.8) 2 2 À f Ä () I oznacza [redni warto[ prdu zBcza spolaryzowanego zaporowo. Przyjmuje si, |e rozkBad warto[ci chwilowych przebiegów szumu lawinowego jest normalny. 388 17.2. SZUMOWE MODELE PRZYRZDÓW PÓAPRZEWODNI- KOWYCH 17.2.1. Dioda póBprzewodnikowa Szumowy schemat zastpczy diody póBprzewodnikowej jest pokazany na rys.17.5 iD T = 0K i2 Rys.17.5. Szumowy schemat zastpczy T = 0K = diody póBprzewodnikowej Przy polaryzacji w kierunku przewodzenia maBosygnaBowy schemat zastpczy diody zawiera rezystancj ró|niczkow rd i rezystancj szeregow rS . Poniewa| r jest rezystancj fizyczn, dlatego nale|y doBczy do niej zródBo napiciowe szumów termicznych. Równolegle do rd nale|y doBczy zródBo prdowe reprezentujce szumy [rutowe i szumy 1 f . 2 us = 4 k T rs "f (17.9) a ID i2 = 2 q ID "f + K "f (17.10) f Rezystancje rS i rd w schemacie zastpczym s bezszumne. 17.2.2. Tranzystor bipolarny Szumowy model tranzystora bipolarnego w jego aktywnym obszarze pracy tworzy si w ten sposób, |e do schematu zastpczego hybryd À doBczamy symboliczne zródBa szumów reprezentujce odpowiednie procesy fizyczne generujce szumy (rys.17.6). Szumy cieplne w tranzystorach s wytwarzane przez fizyczne rezystancje rozproszone obszarów emitera, bazy i kolektora. Praktycznie uwzgldnia si jedynie szumy cieplne obszaru bazy rbb' 2 ub = 4 k T rbb' "f (17.11) 389 2 ub rbb' B B' C C 2 Ub'e 2 ib ic rb'e C gmUb'e rce E Rys.17.6. Szumowy model tranzystora bipolarnego No[niki prdu wstrzykiwane przez emiter do bazy, gdzie staj  si no[nikami mniejszo[ciowymi, dyfunduj w kierunku zBcza kolektorowego, gdzie s przyspieszane przez pole elektryczne warstwy zubo|onej w kierunku kolektora. Nieregularne przechodzenie no [ników przez obszar Badunku przestrzennego zB cza kolektorowego daje w efekcie szum [rutowy 2 ic = 2 q IC "f (17.12) 2 Powstawanie szumu [rutowego ib zwizane jest z przepBywem poszczególnych skBadowych prdu bazy. W zBczu baza - emiter powstaje równie| szum 1 f oraz szum wybuchowy, co wi|e si gBównie ze zjawiskami powierzchniowymi i ze zjawiskiem rekombinacji w objto[ci bazy. Wypadkowy szum reprezentowany jest przez pr dowe zródBo szumów a c IB IB 2 ib = 2 q IB "f + K1 "f + K2 "f 2 ëø öø f f 1 + ìø ÷ø (17.13) fc íø øø szum [rutowy szum 1 / f szum wybuchowy 2 Wypadkow gsto[ szumów ib , okre[lon na podstawie równania (17.13), przedstawiono na rys.17.7. 2 ib a IB K1 "f f 2qIB skala log Rys.17.7. Gsto[ widmowa f szumów prdu bazy fa skala log 390 17.2.3. Tranzystor unipolarny JFET W dziaBaniu tranzystorów unipolarnych bierze udziaB tylko jeden rodzaj no[ników, std mniejsza rola zjawisk zwizanych z rekombinacj, a zatem mniejsza rola szumów [rutowych. Z tego powodu dominuj szumy cieplne oraz szumy 1 f . Szumowy schemat zastpczy tranzystora JFET jest pokazany na rys.17.8. Cgd D G Cgb 2 2 rds id ig Cgs Ugs gmUgs S Rys.17. 8. Szumowy model tranzystora JFET Z prdem upBywno[ci bramki zwizany jest szum [rutowy 2 ig = q IG "f (17.14) 2 Szum ten ma praktyczne znaczenie tylko w przypadku, gdy rezystancja zródBa sterujcego jest du|a. 2 Generator id reprezentuje szumy termiczne przewodz cego kanaBu oraz szumy 1 f , które powstaj gBównie w wyniku pewnych zjawisk powierzchniowych oraz wskutek fluktuacji Badunku w centrach generacyjno - rekombinacyjnych warstwy zubo |onej. 2 2 ID ëø 2 id = 4 k T gmöø "f + K1 "f ìø ÷ø f 3 íø øø (17.15) szum termiczny szum 1/ f 17.2.4. Tranzystor unipolarny MOSFET Szumowy schemat zastpczy tranzystora MOSFET mo|e by taki sam jak tranzystora JFET, przy ilo[ciowych modyfikacjach generatorów szumowych. Szumy cieplne w tranzystorach MOSFET s  równie| zwizane z konduktancj przewodzcego kanaBu. Szumy 1 f s zdeterminowane gBównie przez zjawiska powierzchniowe, które stanowi równocze[nie podstaw dziaBania tych przyrzdów. Tranzystory MOS maj lepsze wBa[ciwo[ci szumowe w zakresie w. cz. 391 ni| tranzystory JFET, chocia| maj znacznie wy|szy poziom szumów w zakresie maBych czstotliwo[ci. Gsto[ widmowa szumów cieplnych przewodzcego kanaBu tranzystora MOSFET mo|e by okre[lona zale|no[ci: 4 k T ñø obszar liniowy ôø SIT = ôø RFET (17.16) òø ôø4 k T ëø 2 gmöø obszar nasycenia ìø ÷ø ôø íø øø 3 óø gdzie: RFET - jest ekwiwalentn rezystancj przewodzcego tranzystora w obszarze liniowym, gm - maBosygnaBowa transkonduktancja tranzystora w obszarze nasycenia. 8 k T , Dla temperatury 300K: = 11Å"10-20 V Å" A Å" sec 3 Gsto[ widmowa szumów strukturalnych (1/f) zarówno dla obszaru liniowego jak i nasycenia, wynosi 2 Kf K' ID SIf = (17.17) C0x L2 f przy czym: 2 Kf - wspóBczynnik szumów migotania, typowo Kf = 3Å"10-24 V F , ID - prd drenu w spoczynkowym punkcie pracy tranzystora, Cox - pojemno[ bramka - kanaB na jednostk powierzchni, K' - parametr transkonduktancji, L , W - dBugo[ i szeroko[ kanaBu. 17.3. SUMOWANIE yRÓDEA SZUMOWYCH Zastpcze zródBa szumów zawieraj wielk liczb skBadowych sinusoidalnych o ró|nych czstotliwo[ciach oraz przypadkowej amplitudzie i fazie. Gdy poBczymy szeregowo dwa niezale|ne zródBa szumów (rys.17.9), to moc wyj[ciowa jest sum nieskorelowanych mocy wyj[ciowych od poszczególnych skBadowych, co pozwala na wyra |enie wypadkowej warto[ci [redniokwadratowej napicia szumów jako sumy [rednich kwadratów napi kolejnych skBadowych. Powy|sze stwierdzenie jest wa|ne równie| dla prdowych zródeB szumów poBczonych równolegle. 392 R1 2 u1 2 uT R2 2 Rys.17.9. Sumowanie niezale|nych zródeB u2 szumowych Rozwa|my przykBadowo termiczne napicie szumów rezystorów R1 i R2 poBczonych szeregowo, jak na rys.17.9 2 u1 = 4 k T R1 "f (17.18) 2 u2 = 4 k T R2 "f (17.19) Zredniokwadratowa warto[ napicia szumów o chwilowej warto[ci zastpczej uT t = u1 t + u2 t (17.20) ( ) ( ) ( ) wynosi 2 2 2 2 (t)u2 ( uT (t) =[u1(t)+u2(t)] =u1(t) +u2(t) +2u t) 1 0 Poniewa| szumy pochodz z ró|nych rezystorów, s one zatem nieskorelowane i [rednia warto[ u1 t u2 t musi by równa zeru. ( ) ( ) Zatem 2 2 2 uT = u1 + u2 (17.21) Podstawiajc (17.18) i (17.19) do (17.21), otrzymujemy 2 uT = 4 k T R1+ R2 "f (17.22) () W przypadku, gdy cz[ szumów w obu zródBach pochodzi od procesów fizycznych zwizanych ze sob, to wypadkowa [redniokwadratowa warto[ napicia szumów cz[ciowo skorelowanych wynosi 2 2 2 uT = u1 + u2 + 2 Cr u1 u2 (17.23) gdzie Cr oznacza wspóBczynnik korelacji i mo|e przybiera warto[ z przedziaBu -1;+1 . [ ] 393 17.4. CAAKOWITY SZUM ZASTPCZY ODNIESIONY DO WEJZCIA WZMACNIACZA 17.4.1. Zastpcze zródBa szumów odniesione do wej[cia wzmacniacza Dla dowolnego czwórnika istnieje uniwersalny schemat zast pczy szumów, przedstawiony na rys. 17.10. ui2 ii2 bezszumna Rys.17. 10. Zastpcze zródBa szumów odniesione do wej[cia czwórnika Mo|na wykaza konieczno[ u|ycia dwóch zródeB zastpczych na wej[ciu wzmacniacza - prdowego i napiciowego, które reprezentuj sob wszystkie mo|liwe wkBady szumowe pochodzce od elementów czwórnika, analizujc zachowanie si ukBadu dla granicznych warto[ci rezystancji Rg . Gdy Rg = 0, zródBo ii2 na rys.17.10 jest zwarte i dla reprezentacji szumów na wyj[ciu ukBadu nale|y zastosowa zródBo napiciowe ui2 . Podobnie, gdy Rg =" , zródBo napiciowe ui2 nie wytwarza szumów na wyj[ciu ukBadu i dla ich reprezentacji na wej[ciu nale|y zastosowa prdowe zródBo szumów ii2 . 17.4.2. Zastpcze zródBa szumów tranzystora bipolarnego Zastpcze zródBa szumów na wej[ciu tranzystora bipolarnego mo|emy wyznaczy na podstawie jego szumowego schematu zastpczego, przedstawionego na rys.17.11a. Szumy obwodu wyj[ciowego s analizowane przy zwartym obci|eniu i pominiciu pojemno[ci C . jc UkBad zastpczy z rys.17.11b reprezentuje szumy tranzystora w postaci równowa|nych generatorów szumów na wej[ciu, dajc te same szumy na wyj[ciu przy dowolnej impedancji zródBa sterujcego. Zwierajc wej[cia obu ukBadów zastpczych (rys.17.11) wyznaczymy 394 warto[ zastpczego zródBa napiciowego szumów ui2 . 2 a) Ub'e 2 2 rb'e rce ic ib gmUb'e 2 b) Ub'e 2 rb'e rce gmUb'e Rys.17.11. a) Szumowy schemat zastpczy tranzystora bipolarnego, b) ukBad równowa|ny z zastpczymi zródBami szumowymi na zaciskach wej[ciowych Przyjmujemy, |e poszczególne zródBa szumów s ze sob nieskorelowane oraz pomijamy ich znaki, poniewa | s to sygnaBy stochastyczne. ZakBadajc rbb << rb'e otrzymujemy gm ubb + ic = gm ui (17.24) std ic ui = ubb + (17.25) gm oraz 2 ic 2 ui2 = ubb + (17.26) 2 gm Podstawiajc zale|no[ci (17.11) i (17.12) do równania (17.26) otrzymujemy 2 q IC "f ui2 = 4 k T rbb "f + (17.27) 2 gm IC q IC Poniewa| gm = = , to z równania (17.27), otrzymujemy ÕT k T ëø öø ui2 1 = 4 k T rbb + (17.28) ìø ÷ø "f íø 2 gm øø Gsto[ widmow zastpczego zródBa prdowego szumów ii2 "f wyznacza si przy rozwarciu wej[ obu ukBadów zastpczych 395 (rys.17.11). Porównujc ze sob prdy wyj[ciowe, otrzymujemy ² jÉ ii = ic + ² jÉ i (17.29) ( ) ( ) b std ic ii = ib + (17.30) ² jÉ ( ) ZakBadajc, |e zródBa szumów ib oraz ic s nieskorelowane, otrzymujemy 2 ic 2 ii2 = ib + (17.31) 2 ² jÉ ( ) gdzie ²0 ² jÉ = (17.32) ( ) É 1 + j É ² Podstawiajc zale|no[ci (17.12) i (17.13) do równania (17.31) otrzymujemy a îø ii2 IB IC ùø ' = 2 q ïøIB + K1 +2 úø (17.33) "f f ² jÉûø ïø ( ) úø ðø gdzie: K1 ' K1 = (17.34) 2 q Dla uproszczenia pominito szumy wybuchowe. Uwzgldniajc na wej[ciu rezystancj zródBa sterujcego i zwizane z ni szumy termiczne, liczb zastpczych zródeB szumowych na wej[ciu wzmacniacza zredukowano do trzech, dzi ki zastosowaniu zródeB ii2 oraz ui2 (rys.17.12a), przy czym tranzystor T mo |e by uwa|any za bezszumny. 2 2 2 a) b) 2 Rys.17.12. a) Zastpcze zródBa szumowe odniesione do wej[cia wzmacniacza, b) caBkowite, zastpcze zródBo szumowe na wej[ciu wzmacniacza 396 Jak pokazano na rys.17.12b, zastpcze zródBo szumów na wej[ciu 2 uiN reprezentuje sumaryczny wpByw wszystkich trzech zródeB szumów w miejscu, w którym umieszczone jest zródBo sygnaBu. Dziki temu okre[lenie stosunku S N (sygnaB / szum) jest bardzo uBatwione. ZakBadajc, |e skBadowe zródBa szumów s nieskorelowane otrzymujemy uiN = ug + ui+ iiRg (17.35) 2 2 2 uiN = ug + ui2 + ii2 Rg (17.36) Wykorzystujc równania (17.28), (17.33) oraz (17.36) otrzymujemy 2 îø ëø öø uiN 1 IC ùø 2 = 4 k T Rg + 4 k T rbb + + Rg 2 q ïøIB + úø (17.37) ìø ÷ø 2 "f 2 gm íø øø ² jÉûø ïø ( ) úø ðø Równanie (17.37) jest sBuszne przy maBych warto [ciach rbb . 17.4.3. Zastpcze zródBa szumów tranzystorów polowych Zastpcze zródBa szumów na wej[ciu tranzystora polowego wyznaczymy w podobny sposób, jak to uczyniono dla tranzystora bipolarnego. Na rys.17.13a przedstawiono szumowy schemat zastpczy tranzystora JFET, a na rysunku 17.13b jego równowa |ny ukBad z zastpczymi zródBami szumowymi na zaciskach wej[ciowych. Analiza zostanie przeprowadzona przy zwartym wyj [ciu i pominiciu pojemno[ci Cgd . Przy zwartym wej[ciu obu ukBadów, porównujc prdy i , otrzymujemy id = gmui (17.38) Std 2 id ui2 = (17.39) 2 gm Podstawiajc (17.15) do (17.39) otrzymujemy 2 ui2 2 1 ID = 4 k T + K1 2 (17.40) "f 3 gm gm f 397 a) 2 2 2 b) 2 Rys.17.13. a) Szumowy schemat zastpczy tranzystora JFET, b) ukBad równowa|ny z zastpczymi zródBami szumowymi na wej[ciu Na rys.17.14 przedstawiono zale|no[ gsto[ci widmowej napicia szumów zastpczego zródBa wej[ciowego ui2 "f w funkcji czstotliwo[ci. 2 2 " 10-14 10-15 1 10-16 10-17 10-18 f 10 102 104 106 107 108 103 105 Rys.17. 14. Gsto[ widmowa napicia szumów zastpczego zródBa wej[ciowego dla tranzystora JFET " W przeciwieDstwie do tranzystora bipolarnego, zastpczy generator napiciowy szumów tranzystora JFET, odniesiony do wej [cia ukBadu, zawiera skBadow szumu migotania (1 f ) rozcigajc si w nietypowy sposób, a| do zakresu czstotliwo[ci rzdu MHz. Szumy migotania maj szczególne znaczenie w tranzystorach MOSFET, które wi| si z energetycznymi stanami powierzchniowymi na granicy Si - SiO . W tranzystorach MOS, dla czstotliwo[ci mniejszych od 1 do 10 kHz, szumy migotania s wiksze od szumów termicznych, najcz[ciej niezale|nie od prdów polaryzujcych i geometrii tranzystorów. W wikszo[ci przypadków amplituda zastpczego zródBa napiciowego szumów tranzystora MOS jest odwrotnie proporcjonalna 398 do jego aktywnej powierzchni bramki. Gdy powierzchnia bramki jest du|a, wikszo[ defektów powierzchniowych i zwizanych z nimi energetycznych stanów powierzchniowych znajduje si pod bramk, powodujc ogólne zmniejszenie szumów. Gsto[ widmowa zastpczego zródBa szumów, odniesionego do wej[cia tranzystora MOS, mo|e by opisana zale|no[ci Kf ëø öø ui2 2 1 = 4 k T + (17.41) ìø ÷ø "f íø øø 3 gm WL C0x f Gsto[ widmow zastpczego zródBa prdowego szumów wyznaczamy przy rozwarciu wej[ obu ukBadów zastpczych (rys.7.13). Porównujc skuteczne warto[ci wyj[ciowych prdów szumów io obu ukBadów otrzymujemy gm gm ii = ig + id (17.42) jÉ Cgs jÉ Cgs Std jÉ Cgs ii = ig + id (17.43) gm Poniewa| ig oraz id s niezale|ne, to z równania (17.43) otrzymujemy 2 É2 Cgs 2 2 ii2 = ig + id (17.44) 2 gm Podstawiajc zale|no[ci (17.14) i (17.15) do (17.44), otrzymujemy 2 2 ii2 É2 C îø 2 ID ùø ëø = 2 q IG +gs k T gmöø + K1 úø (17.45) ìø ÷ø 2 øø "f gm ïø4 íø 3 f ðø ûø W równaniu (17.45) wielko[ gm Ki = (17.46) É Cgs oznacza wzmocnienie prdowe. Std szumy generowane na wyj[ciu przenoszone s na wej[cie ze wspóBczynnikiem 1 Ki2 . W zakresie maBych czstotliwo[ci zastpcze zródBo prdowe szumów jest determinowane przez prd upBywno[ci bramki IG , który jest bardzo maBy ( IG < 10 A). W tranzystorach polowych MOSFET skBadowa szumów determinowana przez prd upBywno[ci bramki (2q IG ) jest 399 pomijalnie maBa. W przypadku zródBa sterujcego o du|ej impedancji, gdy w ogólnym bilansie caBkowitego zastpczego szumu wej[ciowego dominujc rol odgrywa zródBo prdowe, tranzystory JFET zapewniaj mniejszy poziom szumów na wyj[ciu ni| tranzystory bipolarne. Proporcje te mog by czasami odwrócone na korzy[ tranzystorów bipolarnych w przypadku zródBa sterujcego o maBej impedancji, gdy w bilansie zastpczego szumu wej[ciowego dominujc rol odgrywa zródBo napiciowe. Dzieje si tak dlatego, |e dla danego prdu polaryzacji tranzystory bipolarne maj wiksz warto[ transkonduktancji gm . 17.5. WPAYW SPRZ{ENIA ZWROTNEGO NA PARAMETRY SZUMOWE WZMACNIACZA Stosowanie dwóch zastpczych zródeB szumowych na zaciskach wej[ciowych tranzystora, przy umownym uczynieniu reszty schematu bezszumnej, jest szczególnie przydatne przy rozwa|aniu wpBywu sprz|enia zwrotnego na wBa[ciwo[ci szumowe wzmacniacza. Na rys.17.15a przedstawiono schemat blokowy wzmacniacza ze sprz|eniem zwrotnym napiciowym - szeregowym, w którym zastosowano unilateralny, idealny czwórnik sprz|enia zwrotnego. 2 2 Zastpcze generatory szumów uik oraz iik reprezentuj szumy czwórnika wzmacniajcego k, za[ ui2 oraz ii2 (rys.17.15b) s zastpczymi generatorami szumów wzmacniacza ze sprz|eniem zwrotnym. Warto[ ui2 mo|emy wyznaczy zwierajc wej[cia obu ukBadów na rys.17.15. 2 2 a) b) 2 k k 2 ² ² Rys.17.15. a) Schemat blokowy wzmacniacza z idealnym sprz|eniem zwrotnym napiciowym-szeregowym (z uwzgldnieniem szumów), b) ukBad z zastpczymi zródBami szumów Poniewa| rezystancja wyj[ciowa czwórnika sprz|enia zwrotnego jest równa zeru, wic 400 ui2 = ui2 (17.47) k Warto[ ii2 wyznaczamy przy rozwartych wej[ciach obu ukBadów. Przy rozwartym wej[ciu ukBadu (rys.17.15b) sygnaB zwrotny nie oddziaBywa na wej[cie wzmacniacza, zatem dla równo[ci szumów na wyj[ciu otrzymujemy ii2 = ii2 (17.48) k Z równo[ci (17.47) i (17.48) wynika, |e na wej[ciu obu ukBadów bez sprz|enia zwrotnego, jak równie| ze sprz|eniem zwrotnym, stosunek sygnaBu do szumu ( S N ) pozostaje bez zmiany. W ukBadzie ze sprz|eniem zwrotnym wystpi zmniejszenie wzmocnienia zarówno dla sygnaBu u|ytecznego jak i dla szumu, zatem stosunek sygnaBu do szumu na wyj[ciu wzmacniacza pozostanie taki sam jak w ukBadzie bez sprz|enia zwrotnego. Na rys.17.16a podano praktyczny sposób realizacji ujemnego sprz|enia zwrotnego napiciowego-szeregowego. SygnaB zwrotny otrzymywany jest z dzielnika rezystancyjnego RE , RF , przy czym dla celów analizy wBa[ciwo[ci szumowych ukBadu, w szereg z ka|d rezystancj wBczono zródBo napiciowe reprezentujce jego szumy termiczne. 2 ue = 4 k T RE "f (17.49) u2 = 4 k T RF "f f 2 2 a) b) k k 2 2 2 2 Rys.17. 16. a) wzmacniacza z ujemnym sprz|eniem zwrotnym napiciowym- szeregowym (uwzgldniajcy zródBa szumów), b) ukBad z zastpczymi zródBami szumów 2 2 Zastpcze generatory szumów uik , iik reprezentuj szumy wzmacniacza bez sprz|enia zwrotnego. W ukBadzie pokazanym na rys.17.16b zastpcze zródBa szumów ui2 oraz ii2 reprezentuj caBkowity zastpczy szum wej[ciowy 401 wzmacniacza z ujemnym sprz|eniem zwrotnym. Do wyznaczenia ui2 zwieramy wej[cia obu ukBadów z rys.17.16 i porównujemy szumy wyj[ciowe. ZaBó|my przy tym, |e rezystancja wyj[ciowa wzmacniacza Ro << RF . RF RE ui = uik + iik R + ue + uf (17.50) RF + RE RF + RE przy czym R = RF||RE ZakBadajc, |e poszczególne skBadowe szumów s niezale|ne oraz wykorzystujc zale|no[ (17.50), otrzymujemy ui2 = ui2 + ii2 R2 + 4 k T R "f (17.51) k k Analizujc stan rozwarcia obwodów wej[ciowych obu ukBadów z rys.17.16, otrzymujemy ii2 = ii2 (17.52) k Z równania (17.51) wynika, |e zwiksza si [redniokwadratowa warto[ napicia szumów zastpczego zródBa napiciowego, zatem zwikszy si stosunek sygnaBu do szumu ( S N ) na wej[ciu ukBadu ze sprz|eniem zwrotnym. W takim samym stopniu wzro[nie ten stosunek na wyj[ciu ukBadu. Podobne rozwa|ania mo|emy przeprowadzi dla wzmacniacza z ujemnym sprz|eniem zwrotnym innego typu. Ogólnie mo|na stwierdzi, |e we wzmacniaczu z ujemnym sprz|eniem zwrotnym stosunek sygnaBu do szumu ( S N ) na wej[ciu ukBadu jest wikszy ni| w ukBadzie bez sprz|enia zwrotnego, wskutek pewnej dodatkowej porcji szumu cieplnego generowanego w elementach sprz|enia zwrotnego. 17.6. PARAMETRY SZUMOWE UKAADÓW ELEKTRONICZNYCH Najcz[ciej stosowanym parametrem opisujcym wBa[ciwo[ci szumowe elementu aktywnego lub ukBadu elektronicznego jest wspóBczynnik szumów F (ang. noise factor). Jest on definiowany jako stosunek caBkowitej mocy szumów na wyj[ciu ukBadu w pa[mie "f do mocy szumów na wyj[ciu pochodzcych z szumów termicznych rezystancji zródBa sygnaBu. PoN F =e" 1 (17.53) k T "f kps gdzie kps jest skutecznym wzmocnieniem mocy. 402 Po podzieleniu licznika i mianownika wyra|enia (17.53) przez moc 2 dysponowan sygnaBu Ps dysp = Eg 4 Rg , otrzymujemy Psdysp Sin k T "f Nin F = (17.54) kps Ps dysp = So No PoN W powy|szej zale|no[ci Sin Nin oraz So No s stosunkiem sygnaBu do szumów odpowiednio na wej[ciu i na wyj[ciu czwórnika (rys.17.17). S , N S , N Rys.17.17. Moc sygnaBu i szumu na wej[ciu i wyj[ciu czwórnika WspóBczynnik szumów jest wikszy od jedno[ci i jest miar pogorszenia si stosunku sygnaBu do szumu spowodowanego przez szumy wzmacniacza. W czwórniku przedstawionym na rys.17.17 wej[ciowa moc szumów Nin pochodzi od rezystancji zródBa sterujcego, za[ wyj[ciowa moc szumów No reprezentuje wszystkie zródBa szumów czwórnika, wraz z moc szumów rezystancji zródBa sterujcego, przeniesion na wyj[cie ukBadu. WspóBczynnik szumów mo|e by tak|e wyra|ony za pomoc wielko[ci ui2 oraz ii2 , tj. [redniokwadratowych warto[ci napicia i prdu zastpczych zródeB szumowych na wej[ciu czwórnika. Gdy wszystkie zródBa szumów s przeniesione do obwodu wej[ciowego, to wspóBczynnik szumów mo|e by okre[lony jako stosunek caBkowitego [redniokwadratowego zastpczego szumu na wej[ciu do [redniokwadratowej warto[ci szumów termicznych zródBa sygnaBu. Wykorzystujc zale|no[ci (17.36) i (17.54) otrzymujemy 2 2 ugT + ui2 + ii2 Rg uiN 2 ui2 ii2 F = = = 1 + + (17.55) 2 2 1 4 k T Rg "f ugT ugT 4 k T "f Rg 2 gdzie ugT - [redniokwadratowa warto[ napicia szumów termicznych rezystancji Rg zródBa sterujcego. Minimalna warto[ wspóBczynnika szumów F wystpuje dla optymalnej rezystancji generatora Rg opt . Obliczajc pochodn dF dRg 403 z równania (17.55), otrzymujemy ui2 2 Rgopt = (17.56) ii2 Podstawiajc Rg opt do równania (17.55) oraz przyjmujc "f =1Hz, otrzymujemy minimaln warto[ wspóBczynnika szumów F ui2 ii2 Fmin = 1 + (17.57) 2 k T Najmniejszy wspóBczynnik szumów wystpuje dla impedancji zródBa, która jest zwykle ró|na od impedancji wej[ciowej (sprz|onej), a wic przy niedopasowaniu energetycznym na wej[ciu ukBadu. Z tego wzgldu projektowanie maBosygnaBowego wzmacniacza wymaga pewnego kompromisu pomidzy jego wBa[ciwo[ciami szumowymi a wzmacniajcymi. Przy analizie wzmacniaczy o maBym poziomie szumów definiuje si zastpcz rezystancj szumów i zastpcz temperatur szumów. Zastpcza rezystancja szumów R jest to taka warto[ rezystancji, dla której szum cieplny jest równy co do wielko[ci zastpczemu wej[ciowemu szumowi wzmacniacza. Porównujc szum cieplny z szumami wzmacniacza (rys.17.10) otrzymujemy 2 4 k T Rn "f = ui2 = ui2 + ii2 Rg (17.58) N Std 2 ui2+ii2 Rg Rn = (17.59) 4kT "f Zastpcza rezystancja szumów nie jest zwizana ani z rezystancj wej[ciow wzmacniacza, ani te| z rezystancj zródBa sygnaBu. Zastpcz temperatur szumów Tn nazywamy tak warto[ temperatury rezystancji zródBa, przy której rezystancja ta generowaBaby szum cieplny o warto[ci równej zastpczemu wej[ciowemu szumowi wzmacniacza. Porównujc oba szumy (por. wzór 17.58), otrzymujemy 2 (17.60) 4 k Tn Rn "f = ui2 = ui2 + ii2 Rg N Std zastpcza temperatura szumów 2 ui2 + ii2 Rg T = (17.61) n 4 k Rg "f 404 Je|eli szumy wzmacniacza zostan okre[lone w temperaturze T (zwykle 290K), to Tn = F - 1 (17.62) ( ) T

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Moc i ciepło w układach elektroniczncych
17 WYZNACZANIE KRZYWEJ ELEKTROKAPILARNEJ DLA RTĘCI

więcej podobnych podstron