3818438236

Teoria:

Tranzystory unipolarnej inaczej połowę, są to przyrządy półprzewodnikowe, ich działanie polega na sterowaniu prądem przez nie przepływającym za pomocą pola elektrycznego. Działanie tych tranzystorów zależy wyłącznie od przepływu nośników większościowych. Dlatego nazywa się go przyrządem unipolarnym, czyli wykorzystującym jeden typ nośników. Tranzystory te charakteryzują się dużą rezystancją wejściową nawet do kilkuset MQ.

Istnieją dwa typy tranzystorów polowych:

-    tranzystor połowy złączowy (JFET - Junction Filed Effect Transistor)

-    tranzystor połowy z izolowaną bramką (MOSFET Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Transistor)

Zasada działania:

Tranzystor połowy złączowy (JFET):

Widok ogólny struktury tranzystora JFET z kanałem typu m

Kanał typu n

Płytka półprzewodnika jest materiałem typu u, doprowadzono do tej płytki kontakty D - dren i S - źródło. Po oby jej obu stronach znajduje się elektroda zwana bramką - G. Źródło S jest elektrodą, przez którą nośniki większościowe wpływają do wnętrza płytki. Stanowią one prąd źródła I_s. Dren D jest elektrodą, przez którą nośniki opuszczają płytkę. Tworzą one prąd drenu I_D. Pomiędzy elektrody drenu i źródła doprowadzane jest napięcie U_Ds- Bramka G jest elektrodą sterującą. Pomiędzy bramką i źródłem przyłożone jest napięcie sterujące U os* tak aby złącze bramka- kanał było spolaryzowane w kierunku zaporowym