372 (21)

- 372

Tranzystory połowę

Są to jednak uściślenia formalne, więc pominiemy je w dalszych rozważaniach. A więc (6.22) można przepisać w postaci

Pozostaje tjdko określić zależność ładunku Q_B od napięć U_GS, U_DS. Jeżeli pominiemy tę część ładunku Q_B, która jest zawarta w obszarze słabo domieszkowanym (odcinek b na rys. 6.13, 6.15) oraz przyjmiemy, że praktycznie biorąc b «a, to można zastosować model kondensatora płaskiego. Przyjmuje się więc, że ładunek Q_b jest gromadzony niejako w okładce kondensatora płaskiego, przy czym odległość między okładkami jest równa a. Ten kondensator jest polaryzowany niejednakowo wzdłuż kanału, a mianowicie przy źródle napięcie na okładkach wynosi U_GS, ale przy drenie jest ono równe (U_GS — U_DS). Przyjmiemy, że ładunek Q_B jest proporcjonalny do wartośei średniej napięcia bramka-kanał

= C₉(^-y_cs)    (6.25)

przy czym

C_g=2-(6.26)

liczba 2 wynika z symetrii kanału.

Po podstawieniu (6.25) do (6.24) uwzględniając, że

U_P =    (6.27)

otrzymuje się

Id = Ą (U_GS-U_p)U_DS--^f-]    (6.28)

przy czym p = 0_DSO/U_p.

Korzystając z (6.23), (6.27) przepiszemy współczynnik p w innej postaci /? = -p-<?₉

Można też wprowadzić pojęcie pojemności 0*. obliczanej na jednostkę powierzchni {€'* = = C_gj2ZL) i wówczas uwzględniając (6.26) otrzymuje się

o _ ^ZC*

^p L

Reasumując

0    _ (*DSO _    _ y-n^Gg    /g OQl

¹    U_p L²    L    ' ' '

Zobaczymy dalej, że równanie (6.28) jest słuszne również dla tranzystora MIS, co ma bardzo duże znaczenie, gdyż pozwala ujednolicić metody analizy dla obu rodzajów tranzystorów (PNFET i MISFET).