2500335798

2500335798



[59]    Maria MOŻYSZEK: "Modelowanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych przy pomocy rezystancji wklęsłych i wypukłych”, 20.03.1980

[60]    Piotr SZCZEPAŃSKI: “Sformułowanie równań stanu dla liniowych układów aktywnych”. 02.04.1980

[61]    Małgorzata POLANKIEWICZ: “Zagadnienia pomiaru pojemności dyfuzyjnej w bipolarnych przyrządach dużej mocy”, 06.05.1980

[62]    Andrzej LESZCZYŃSKI:    “Zastosowanie programu NAP-2 do analizy układów

tyrystorowych”, 29.05.1981

[63]    Mirosław SAMUJŁŁO: "Makromodele wzmacniaczy operacyjnych dla komputerowej analizy sieci programem NAP2”, 02.07.1981

[64]    Jarosław MELON: “Metody komputerowego formułowania równań układów elektronicznych".

11.02.1982

[65]    Andrzej MACIEJCZYK: "Wpływ makromodelu tyrystora na dokładność i szybkość obliczeń układów' falownikowych”, 23.06.1982

[66]    Krzysztof LEŚNY: “Rozwiązywanie macierzowych równań układów elektronicznych”,

29.06.1982

[67]    Zbigniew MIŁOSZ: “Metody identyfikacji parametrów przyrządów półprzewodnikowych”,

06.09.1982

[68]    Michał KANDEL: “Makromodelowanie cyfrowych układów scalonych w programie NAP2”,

07.01.1983

[69]    Krzysztof LUBOWIECKI: “Wykorzystanie techniki macierzy rzadkich do formułowania i rozwiązywania równań liniowych stanu”, 03.05.1983

[70]    Monika MICHALAK: “Komputerowa analiza właściwości dynamicznych nieliniowych elektronicznych metodą bilansu harmonicznych”, 06.12.1983

[71]    Wojciech SZTOMBKA: “Wpływ efektu samonagrzewania na pracę tranzystora bipolarnego".

06.12.1983

[72]    Mirosław ROGOZIŃSKI:    "Program projektowania filtrów aktywnych RC metodą

łańcuchowego łączenia sekcji elementarnych”, 14.12.1983

[73]    Michał PIERUŃ: “Zastosowanie uniwersalnych programów analizy komputerowej do symulacji układów' elektronicznych”, 09.02.1984

[74]    Mirosław' KOPEĆ: “Swobodnoformatowa w ersja programu PAUT i jej wykorzystanie do nalizy wybranych układów tyrystorowych”, 09.02.1984

[75]    Anna MACIEJCZAK-OLCZYK: “Wyznaczanie stanów ustalonych w układach nieliniowych”.

27.08.1984

[76]    Sławomir MATUSIAK: “Numeryczne obliczanie charakterystyk statycznych i dynamicznych diod PiN”, 27.08.1984

[77]    Jan KORZENIEWSKI: “Zmodyfikowana metoda węzłowa w komputerowej analizie układów ”,

29.08.1984

[78]    Maciej KAZMIERCZAK: “Modelling and simulation of power bipolar transistor using PACTE software”, 29.09.1993

[79]    Mariusz PRYĆ: “Three dimensional reconstruction of teeth from serial cross sections”,

29.09.1993

[80]    Witold MARAŃDA: "Optymalizacja układów elektronicznych z zastosowaniem programu MINUIT dla komputerów klasy IBM PC”, 30.09.1993

[81]    Tomasz JĘDRZEJCZAK: “Projektowanie wzmacniaczy' operacyjnych w technologii CMOS",

10.11.1993

[82]    Waldemar GWIAZDOWSKI: ‘Tranzystor IGBT. Problemy jego modelowania w programie PSPICE”, 10.11.1993

[83]    Włodzimierz SIKORSKI: 'Tranzystor SIT i tyrystor SITh. Proste modele programowe dla programów NAP2 i PSPICE”, 02.12.1993

[84]    Tomasz WALCZAK: 'Tyrystor MCT. Prosty7 model dla programu PSPICE”, 09.12.1993

[85]    Paweł KAJAK: "Model tranzystora bipolarnego dużej mocy dla programu NAP2 i SPICE oparty na prostej identyfikacji jego parametrów ”, 22.12.1993

[86]    Grzegorz DYBAŁA: “Pomiar współczynnika fali stojącej metodą hanodynową”, 27.06.1994



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
[59]    Maria MOŻYSZEK: "Modelowanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
WYKŁADY: Zasada działania i charakterystyki elementów półprzewodnikowych: diody prostownikowej,
Laboratorium Podstaw Elektroniki - „Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych" Tabela
Laboratorium Podstaw Elektroniki — „Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych" 2.
Laboratorium Podstaw Elektroniki — „Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych” Rys. 23.
Laboratorium Podstaw Elektroniki — „Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych” ustawić
Laboratorium Podstaw Elektroniki — „Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych” 2.2.3.
Laboratorium Podstaw Elektroniki — „Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych” Jeżeli
Laboratorium Podstaw Elektroniki — „Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych” URmax =
Laboratorium Podstaw Elektroniki — „Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych”< 0 <
Laboratorium Podstaw Elektroniki — „Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych” Aby
Laboratorium Podstaw Elektroniki — „Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych” Do opisu i
Laboratorium Podstaw Elektroniki - „Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych" Aby
Rys. 6.43. Rozpraszacze ciepła dla elementów półprzewodnikowych mocy a) rozpraszacze, b) charakterys

więcej podobnych podstron