3262347661

I

Rys. 3.3. Schemat układu pomiarowego metody TPM.

Zmiany potencjału nieoświetlanej powierzchni względem elektrody oświetlanej jest określony zależnością V=q^d /s_rSo. W trakcie dyfuzji ciepła przez próbkę ulega zmianie grubość próbki d i gęstość ładunku powierzchniowego q_s, spowodowane rozszerzalnością cieplną materiału i zmianą przenikalności elektrycznej próbki. Zmiany te wpływają na zmianę AVi V. Gdy pomiar zlFjest wykonywany w chwili t\, kiedy impuls ciepła właśnie wniknął w próbkę oraz w chwili czasu ti, gdy impuls jednorodnie rozłożony jest w próbce (temperatura próbki ustalona na całej jej szerokości), to otrzymuje się zależność r tsV(t )

7 ⁼ "aF() ’ ^w której r-jest średnią głębokością ładunku. Proces ten ilustruje rysunek 3.4.

16