117827973

Przyrządy i układy mocy - Ćwiczenie 3B. Tranzystor MOSFET (5.4)

czas opadania (prądu głównego) £_r(_sw) - ff(_sw) = 0,5 ps. Indeks „sw” (switch) został dodany, aby uniknąć pomyłki z parametrami przebiegu sterującego, o którym zakładamy, iż jest idealny, tj. t_T = tf= 0. Jak widać, parametry klucza (U₀„, t_r, tf) zostały przyjęte raczej jako maksymalne z możliwych w stosunku do współcześnie uzyskiwanych.

Rys. 3. Przebiegi wielkości elektrycznych w układzie przetwornicy obniżającej przy założeniu: U\ = 20 V,

U₀ = 10 V, Ri = 10 Qf_p = 100 kHz, U_on = 1 V, fy_sw) = <f(_sw) = 0,5 ps: linia kreskowa - układ o działaniu ciągłym; linia ciągła - układ o działaniu przełączającym (sterowanie impulsowe)

Przebiegi w układzie z rys. Ib w obu przypadkach sterowania - ciągłego i impulsowego, przedstawiono na rys. 3. W pierwszym przypadku przebieg sterujący tg jest stały, a jego poziom wynika z konieczności uzyskania prądu 1 A i spadku napięcia 10 V (patrz paragraf 2.2.b). W drugim przypadku prąd /'b ma przebieg impulsowy i dzieli okres przełączania na dwa takty:

1)    tranzystor załączony - wówczas u_c = U₀„ = 1V (zgodnie z założeniem), więc w obwodzie płynie prąd k, = (I/j - U₀„)/Rl = 1,9 A. Przepływ tego prądu powoduje rozpraszanie w tranzystorze mocy o wartości Ap_c = U_onio = 1,9 W;

2)    tranzystor wyłączony - wówczas = łotr = 0 (zgodnie z poczynionym wyżej założeniem, prawie zawsze uprawnionym), a więc również Uq = Rik = 0 (do