1442680984

1442680984



Systemy wbudowane


Przetworniki magnetorezystancyjne


GMR (ang. Giant Magnetoresistance)



o Sensory GMR budowane są jako pojedynczy układ dwóch warstw ferromagnetycznych rozdzielonych warstwą niemagnetyczną (ang. „Sandwich j oraz jako układy wielowarstwowe (ang. Multilayer) na rysunku.


Koncentrator


9 Wykonanie sensora. Dwa rezystory SAAR są ekranowane przed zewnętrznym polem magnetycznym - kompensują wpływ zmian temperatury. Układ zawiera dodatkowo koncentratory strumienia w postaci pasków permalłojowych, a w szczelinie między nimi umieszczone są dwa pozostałe rezystory SAAR.

Przykłady inteligentnych systemów pomiarowych (7)


Odmienne właściwości cienkich warstw wykorzystują sensory GMR. Zjawisko sprzężenia antyferromagnetycznego w super cienkich warstwach ferromagnetyka rozdzielonych warstwą nieferromagnetyczną zostało odkryte w roku 1986. Oznacza ono, w stanie swobodnym, antyrównolegle ustawienie wektorów magnetyzacji w sąsiadujących warstwach ferromagnetyka. Podjęte zostały intensywne badania tego zjawiska, które wkrótce przyniosły odkrycie dużych zmian rezystancji układu w zewnętrznym polu magnetycznym (GMR - Giant MagnetoResistance). Najlepsze wyniki uzyskano dla warstw Fe/Cr, Co/Cu oraz Py/Cu (Py=Ni80Fe20). Badane układy warstw charakteryzowały się umiarkowanymi polami nasycenia (wektory TT) od 2,4 do 80 kA/m oraz zmianami rezystancji do ponad 20%. Dla warstwy ferromagnetyka Py znaleziono maksimum przy grubości 1,4 nm, a dla warstwy niemagnetycznej Cu wystąpiły dwa maksima - większe przy ok. 1 nm i mniejsze przy 2 nm.    Zewnętrzne pole wymusza obrót wektorów magnetyzacji. Największa

rezystancja występuje przy ustawieniu antyrównoległym wektorów, a najmniejsza przy równoległym.

7



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Systemy wbudowane Przetworniki magnetorezystancyjne Sensory pola magnetycznego pozwalają na realizac
Systemy wbudowane 1.4. Skrypty konsolidatora Konsolidator (ang. linker) to program który w trakcie p
Procesory ARM w systemach wbudowanychDefinicje podstawowe (3)★ Pamięć komputerowa (ang. Computer
Procesory ARM w systemach wbudowanychDefinicje podstawowe (4)* Komputer SoC (ang. System-on-Chip) Uk
Systemy wbudowane Przetworniki bezwładnościowe Elementy bezwładnościowe sensora; a) zasada
Systemy wbudowane Przetworniki bezwładnościowe Przykłady struktur akcelerometrów dwuosiowych -
Systemy wbudowane Przetworniki ciśnienia Dwutlenek krzemu Warstwa aktywna, membrana (krzem typu
Systemy wbudowane Przetworniki ciśnienia 27x29x1 2mm 10.10.2mni £ • m
Systemy wbudowanePrzetworniki magnetorezystancyjneAMR (ang. Anisotropic Magnetoresistance) TFF kieru
Nowe odkrycia - efekt GMR /historia i zasada/ Zjawisko GMR (ang. Giant Magnetoresistance) odkryte we
Nowe odkrycia - efekt GMR /historia i zasada/ Zjawisko GMR (ang. Giant Magnetoresistance) odkryte we
Systemy wbudowane języka programowania (np. cc 1 dla języka C) przetwarza pliki źródłowe do postaci
EgJfcnn m Fundacja Rozwoju Systemu EdukacjiTemat: Pole magnetyczne wokół przewodnika z prądem. Cel

więcej podobnych podstron