4962384666

Rys. 2.5. Struktura prostownika jednopotówkowego z obciążeniem pojemności owo-rezystancyjnym

Kondensator C gromadzi energię podczas przewodzenia diody i oddaje ją, gdy dioda nie przewodzi (rys. 2.6).

U2/K Ładowanie Rozładowanie

Rys. 2.6. Przebiegi napięć i prądów prostownika jednopołówkowego z obciążeniem poj emnościowo-rezystancyjnym

Przy dodatniej półfali napięcia wejściowego, gdy U2 > Uo kondensator C jest doładowywany ze stałą czasową t/ = R’f C, gdzie: R 'f, jest sumą rezystancji przewodzącej diody i uzwojenia transformatora. Po czasie t2, któremu odpowiada kąt 62, wartość napięcia zasilającego U2 zrównuje się z wartością napięcia Uo kondensatora i ładowanie ustaje. Kiedy napięcie U2 < Uo dioda D przestaje przewodzić i kondensator C rozładowuje się przez rezystancję obciążenia Ro ze stałą czasową r_r = Ro C. Przebieg napięcia Uo na obciążeniu wynika z ładowania i rozładowania kondensatora. Przebieg prądu obciążenia Io jest proporcjonalny do przebiegu napięcia obciążenia Uo. Natomiast prąd płynący przez diodę ma kształt impulsów o kącie przepływu 0 = 62-0],

Im większa stała czasowa r_r, tym wolniej rozładowuje się kondensator C - mniejsze tętnienia. Przy dużych pojemnościach C prostowanie zbliża się do prostowania szczytowego Uo dąży do Uo2m- Istnieją również negatywne skutki stosowania dużych pojemności C. Im większa pojemność, tym prąd płynie krótszymi impulsami o większym natężeniu. Skutkuje to wzrostem strat mocy na grzanie rezystancji obwodu P = i² R ’_F.

Układ prostowniczy dwupołówkowy z obciążeniem pojemnościowo-rezystancyjnym

Na rysunku 2.7 przedstawiono schemat ideowy prostownika dwupołówkowego z obciążeniem pojemnościowo-rezystancyjnym.

Rys. 2.7. Struktura prostownika dwupołówkowego z obciążeniem pojemnościowo-rezystancyjnym

16