4962384685

19. Podaj podstawowe parametry tranzystorów typu MOSFET.

Parametry statyczne:    Parametry dynamiczne:

- napięcie progowe Ut    - transkonduktancja g_mm

-    prąd drenu Ioss (U_Gs = 0)    - pojemność wejściowa C„_es

-    rezystancja w stanie włączenia r_dsoN    - pojemność wyjściowa C„_yS

-    maksymalny prąd bramki I_Gmax    - pojemność zwrotna C„_s

-    prąd drenu w stanie odcięcia Iomin    - pole wzmocnienia fs

- czas włączenia t_on

Parametry graniczne:    - czas wyłączenia t₀ff

-    maksymalne napięcie źródło dren U_Dsmax

-    maksymalny prąd drenu I_Dmax

-    maksymalne napięcie bramka - źródło U_GSma_X

-    moc strat Pmax

20. Narysuj statyczne modele nieliniowe tranzystorów typu MOSFET.

NORMALNIE WYŁĄCZONY KANAŁN

NORMALNIE WYŁĄCZONY KANAŁP

NORMALNIE WŁĄCZONY KANAŁN

k(U^-U_ry

k(u_BS-u_;y

NORMALNIE WŁĄCZONY KANAŁ P

21. Narysuj układy polaryzacji tranzystorów typu MOSFET.

22. Jaki jest wpływ temperatury na parametry tranzystorów JFET i MOSFET?

1.    Złączowe - temperatura wpływa na prąd zerowy złącza PN, powodując zmniejszanie sie rezystancji

wejściowej tranzystora.

2.    Temperatura wpływa na wartość U_P - napięcie to zmienia sie ze wsp. Temperaturowym równym około -

2.3 mV/°C

3.    Temperatura wpływa na ruchliwość nośników w kanale. Wzrost temperatury - spadek ruchliwości -

spadek konduktancji wyjściowej i przejściowej tranzystora, spadek częstotliwości granicznej

23. Narysuj małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora MOSFET. Scharakteryzuj jego elementy.

f_T - częstotliwość odcięcia (cut-ofl) wyznaczana przy I_ul = g_mU , tj. przy zwartym wyjściu