8002823876

Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą...

Temperatura [K]

Rys. 10. a) Korelacyjna powierzchnia widmowa dla warstwy epitaksjalnej 4H-SiC otrzymana metodą DLTS. Linią ciągłą zaznaczono krzywe Arrhcniusa wyznaczone na podstawie analizy widma Laplace'a. b) Przekrój powierzchni widmowej dla szybkości emisji nośników ładunku e„ równej 1260 s¹, linią przerywaną zaznaczono widmo DLTS uzyskane za pomocą spektrometru DLS-81 dla szybkości emisji nośników ładunku równej 226 s'¹. Fig. 10. a) Correlation spectral surface for the 4H-SiC epitaxial layer obtained by capacitance transient spectroscopy. The solid linę indicates the Arrhenius plots estimated from the Laplace spectnun analysis. b) Cross-section of the spectral surface for the carrier emission ratę e, equal to 1260 s~' the dashed linę presents the DLTS spectra obtained by using the DLS-81 spectrometer for the carrier emission ratę e_n equal to 226 s'¹.

emisji - temperatura co poprawia czytelność obrazowania struktuiy defektowej oraz poprawia dokładność wyznaczenia krzywych Arrheniusa danych równaniem

\n(Tle_n)=(EjkT)+\n(    (1)

w któiymŁ T oznacza temperaturę. e_n - szybkość emisji elektronów', E_a - energię aktywacji termicznej, k - stalą Boltzmana, a_n - przekrój czynny na wychwyt elektronów a y_n - stalą materiałową.

Wynik przeprowadzenia analizy metodą korelacyjną danych pomiarowych uzyskanych dla warstwy epitaksjal-

Temperatura [KJ

Rys. 11. a) Prążki widmowe Laplace’a dla warstwy epitaksjalnej 4H-SiC otrzymane metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej. Linią ciągłą zaznaczono krzywe Arrheniusa wyznaczone na podstaw ie analizy widma Laplace'a. b) Przekrój powierzchni widmowej dla szybkości emisji nośników ładunku e_n równej 1260 s"¹.

Fig. 11. a) Laplace spectral fringes for the 4H-SiC epitaxial layer obtained by capacitance transient spectroscopy. The solid linę indicates the Arrhenius plots estimated from the Laplace spectrum analysis. b) Cross-section of the spectral surface for the carrier emission ratę e_n equal to 1260 s'¹.

nej 4H-SiC przedstawiono na Rys. lOa. Rys. lOb przedstawia natomiast przekrój tej powierzchni widmowej dla szybkości emisji e_n równej 1260 s¹.

Na Rys. lOa widocynz jest szeroki prążek widmowy związany ze zmianą stałej czasowej niestacjonarnego przebiegu pojemności. Można zauważyć, że szybkość emisji zwiększa się wraz ze zmianą temperatury', jednak ze względu na dużą szerokość połówkową prążka widmowego trudno wyznaczyć krzywą Arrheniusa związaną z tą zmianą szy bkości emisji. Biorąc pod uwagę Rys. lOb widoczne jest, że powyższe widmo składa się z sygnałów pochodzących z przynajmniej dwóch poziomów pułapkowych, których nie można było rozróżnić za pomocą miernika DLS-81.

16

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE (Electronic Materials), T. 41, Nr 3/2013