8812711151

12 Podstawy energoelektroniki - laboratorium

3. Najważniejsze parametry dynamiczne tranzystora IGBT 3.1. Parametry czasowe

Aby umożliwić porównanie różnych tranzystorów, dla tranzystorów IGBT - podobnie jak dla innych przyrządów półprzewodnikowych - określa się tradycyjne parametry czasowe (patrz rys. 6):

■ czas opóźnienia przy załączaniu fd(on) - jest to czas, jaki upływa od osiągnięcia przez narastające napięcie mge 10% wartości ustalonej Ucg* do osiągnięcia przez narastający prąd ic 10% wartości ustalonej Jo;

■ czas narastania prądu tr - jest to czas, w którym prąd ic narasta od 10% do 90% swojej wartości ustalonej L;

■ czas opóźnienia przy wyłączaniu tdfoff) - jest to czas, jaki upływa od osiągnięcia przez opadające napięcie mge 90% wartości ustalonej Ugg+ do osiągnięcia przez opadający prąd ic 90% wartości ustalonej L>;

■ czas opadania prądu ti - jest to czas, w którym prąd ic opada od 90% do 10% swojej wartości ustalonej L;

■ czas załączania ton - odcinek od początku czasu td(on> do końca czasu U;

• czas załączania toff - odcinek od początku czasu td(ofo do końca czasu tt.