Politechnika Śląska Instytut Elektroniki |
Rok akademicki 2008/2009 semestr zimowy |
|
|
Laboratorium Elektroniki dla Informatyków (WSZ INF sem. 4) |
|
|
|
Tranzystor bipolarny (cz. 2) |
|
|
|
|
Sekcja: I |
Ćwiczenie wykonano: |
Skład sekcji: |
05 - 03 - 2009 Czwartek Godzina 19:30 |
Michał Kowal Damian Nalepka Paweł Student
Wykonanie: wspólne |
|
|
|
|
|
|
Zadanie 1. Sporządzić wykresy charakterystyk wejściowych, wyjściowych, przejściowych i zwrotnych dla tranzystora BC211 podpiętego w układ ze wspólnym emiterem. Policzyć parametry małosygnałowe dla prądu Ib = 40 µA i Uce = 5V.
Parametry małosygnałowe:
- impedancja wejściowa przy zwartym wyjściu:
-admitancja wyjściowa przy rozwartym wejściu:
-współczynnik oddziaływania wstecznego przy rozwartym wejściu:
-współczynnik wzmocnienia prądowego przy zwartym wyjściu:
Zadanie 2. Do układu z poprzedniego ćwiczenia wpiąć opornik o wartości 1kΩ. Dla stałego napięcia Ucc sporządzić dwa wykresy dla prądu Ic i Uce zależne od prądu Ib. Pomiary przeprowadzić dla podpięcia normalnego i inwersyjnego tranzystora. Obliczyć wzmocnienie prądowe dla podpięcia normalnego i inwersyjnego. Sprawdzić czy tranzystor jest symetryczny.
Wzmocnienie dla podpięcia normalnego:
Wzmocnienie dla podpięcia inwersyjnego:
Wnioski:
Tranzystor nie jest symetryczny
Złącze nie jest równo domieszkowane, złącze przy kolektorze jest domieszkowane lepiej
Przy różnych prądach baz Ib uzyskuje się różne punkty pracy
5