Sprawozdanie z ćwiczenia nr 7: „Tranzystor unipolarny”.

1. Charakterystyki wyjściowe tranzystora przy U_GS = const.

Dla U_GS=3,9 [V]:

ID[mA]	10	39	81	100	120	150	180	200	220	253
UDS [V]	0,034	0,137	0,315	0,40	0,55	0,22	3,65	8,65	11,02	15,01

Dla U_GS=4,1 [V]:

ID[mA]	12	39	82	100	151	206	253	303	321	355
UDS [V]	0,043	0,145	0,304	0,371	0,570	0,800	1,02	1,36	1,57	3,62

Dla U_GS=4,2 [V]:

ID[mA]	13	42	80	104	149	197	255	300	345	397	417
UDS [V]	0,05	0,15	0,31	0,38	0,55	0,74	0,98	1,19	1,42	1,87	2,38

Dla U_GS=5 [V]:

ID[mA]	11	38	82	97	151	202	250	298	348	399	504	596
UDS [V]	0,03	0,12	0,26	0,31	0,47	0,62	0,77	0,92	1,09	1,26	1,64	1,96

1. Charakterystyki przejściowe tranzystora przy U_DS=const.

Dla U_DS=0,5 [V]:

UGS [V]	1,14	2,01	2,94	3,5	3,72	4,05	4,17	4,45
ID [mA]	0	0	0	15	60	137	139	146

Dla U_DS=1 [V]:

UGS [V]	1	2	3	3,54	3,76	4	4,17	4,46
ID [mA]	0	0	0	23	53	182	255	294

Dla U_DS=1,5 [V]:

UGS [V]	1	2	3	3,49	3,72	4,04	4,21	4,5
ID [mA]	0	0	0	15	62	251	383	450

Wnioski:

• Wraz ze wzrostem wartości napięcia dren-źródło U_DS wzrasta wartość prądu drenu I_D.

• Im większa stała wartość napięcia bramka-źródło U_GS tym większy wzrost prądu drenu I_D przy wzroście napięcia dren-źródło U_DS. Jednakże charakterystyki wyjściowe do pewnego punktu niemalże się pokrywają, więc gwałtowniejszy przyrost prądu I_D dla większego napięcia U_GS jest zauważalny dopiero, gdy napięcie U_DS osiągnie pewną wartość (w tym przypadku kolejne charakterystyki przestały się pokrywać kolejno dla napięć 4,2 [V]; 8,2 [V]

i 10 [V]).

• Na charakterystykach przejściowych można zauważyć, że prąd drenu I_D będąc w zależności od napięcia bramka-źródło U_GS przez pewien czas pozostaje zerowy. Dosyć gwałtowna zmiana następuje dopiero, gdy napięcie U_GS osiągnie wartość ok. 3 [V].

• Im większa wartość napięcia dren-źródło U_DS tym wyraźniejsza reakcja prądu I_D przy wzroście napięcia U_GS – prąd I_D osiąga większe wartości.