Laboratorium elektroniki - Ćwiczenie 02, Politechnika Lubelska, Studia, sem III, materiały, Teoria Obwodów1, Elektrotechnika i eletronika (wykłady, ćwiczenia), mgr inż. Krzysztof Stypulkowski


Wyższa Szkoła Techniczno-Ekonomiczna

w Warszawie

Laboratorium Elektroniki

Ćwiczenie nr 2

BADANIE TRANZYSTORA

Do użytku wewnętrznego

Warszawa 2005

A. Cel ćwiczenia.

wyjściowych IC = f(UCE) przy IB = const.

wejściowych IB = f(UBE) przy UCE = const.

przejściowych IC = f(IB) przy UCE = const.

wyjściowych ID = f(UDS) przy UGS = const.

przejściowych ID = f(UGS)

B. Program ćwiczenia.

  1. Wyznaczenie h21 E przy UCE = const. w funkcji IC dla: UCE = 2 V oraz UCE = 8 V

Uwaga: Nie wolno przekraczać prądu kolektora 0x01 graphic
oraz max prądu bazy IB

  1. Wyznaczenie i wykreślenie mocy wydzielonej na tranzystorze: P = IB UBE + IC UCE w funkcji współczynnika nasycenia S, gdzie 0x01 graphic

dla: UZAS < UCE max i 0x01 graphic

Uwaga: Nie wolno przekraczać max prądu bazy IB

  1. Wykreślenie rodziny charakterystyk wejściowych tranzystora bipolarnego

  2. Wykreślenie rodziny charakterystyk wyjściowych tranzystora bipolarnego

  3. Wykreślenie rodziny charakterystyk przejściowych tranzystora bipolarnego

  4. Wykreślenie rodziny charakterystyk wyjściowych tranzystora unipolarnego

  5. Wykreślenie rodziny charakterystyk przejściowych tranzystora unipolarnego

C. Część pomiarowa.

1) Tranzystor bipolarny

W celu zdjęcia charakterystyk tranzystora (w układzie OE) należy skorzystać z układu jak na rys. 1.

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic

0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

Rys. 1. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego w układzie OE.

a) Wyznaczyć rodzinę charakterystyk wyjściowych tranzystora BD 137 IC = f(UCE) przy IB= const.

Tabela 1

UCE [V]

0,05

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

IC [mA]

0,9

1

5

8

10

15

Dla IB=100 [μA]

Tabela 2

UCE [V]

0,05

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

IC [mA]

0,9

1

5

8

10

15

Dla IB=200 [μA]

Tabela 3

UCE [V]

0,05

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

IC [mA]

0,9

1

5

8

10

15

Dla IB=300 [μA]

Tabela 4

UCE [V]

0,05

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

IC [mA]

0,9

1

5

8

10

15

Dla IB=400 [μA]

b) Wyznaczyć charakterystykę wejściową tranzystora BD 137 IB = f(UBE) przy UCE= const.

Wyznaczyć charakterystykę przejściową tranzystora BD 137 IC = f(IB) przy UCE= const.

Tabela 5

IB [μA]

5

10

15

30

50

100

250

500

750

1000

UBE [V]

Ic [mA]

Dla UCE= 5 [V]

Tabela 6

IB [μA]

5

10

15

30

50

100

250

500

750

1000

UBE [V]

Ic [mA]

Dla UCE= 10 [V]

Tabela 7

IB [μA]

5

10

15

30

50

100

250

500

750

1000

UBE [V]

Ic [mA]

Dla UCE= 12 [V]

c) Wyznaczyć rodzinę charakterystyk wyjściowych tranzystora BC 140 IC = f(UCE) przy IB= const.

Tabela 8

UCE [V]

0,02

0,05

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

IC [mA]

0,8

0,9

1

1,5

2

4

Dla IB=100 [μA]

Tabela 9

UCE [V]

0,02

0,05

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

IC [mA]

0,8

0,9

1

1,5

2

4

Dla IB=200 [μA]

Tabela 10

UCE [V]

0,02

0,05

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

IC [mA]

0,8

0,9

1

1,5

2

4

Dla IB=300 [μA]

d) Wyznaczyć charakterystykę wejściową tranzystora BC 140 IB = f(UBE) przy UCE= const.

Wyznaczyć charakterystykę przejściową tranzystora BC 140 IC = f(IB) przy UCE= const.

Tabela 11

IB [μA]

5

10

15

30

60

90

120

150

180

210

UBE [V]

Ic [mA]

240

270

300

Dla UCE= 5 [V]

Tabela 12

IB [μA]

5

10

15

30

50

75

100

150

200

250

300

UBE [V]

Ic [mA]

Dla UCE= 10 [V]

Tabela 13

IB [μA]

5

10

15

30

50

75

100

125

150

175

200

UBE [V]

Ic [mA]

Dla UCE= 12 [V]

2) Tranzystor unipolarny

W celu zdjęcia charakterystyk tranzystora należy skorzystać z układu jak na rys. 2.

0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

Rys. 2. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych tranzystora unipolarnego.

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

Rys. 3. Schematy zasilania tranzystorów unipolarnych:

  1. normalnie wyłączony, kanał typu ``n``

  2. normalnie włączony, kanał typu ``n``

a) Zdjąć charakterystykę wyjściową tranzystora BSV 81 ID = f(UDS) przy UGS= const.

Tabela 14

ID [mA]

0,01

0,1

0,2

0,3

0,5

0,8

1

1,3

1,5

2

UDS [V]

2,5

3

5

8

10

12,5

15

16

18

20

22

24

Dla UGS= 0 [V]

Tabela 15

ID [mA]

0,01

0,1

0,2

0,3

0,5

0,8

1

1,3

1,5

2

UDS [V]

2,5

3

5

8

10

12,5

15

16

18

20

22

24

Dla UGS= 0,5 [V]

Tabela 16

ID [mA]

0,01

0,1

0,2

0,3

0,5

0,8

1

1,3

1,5

2

UDS [V]

2,5

3

5

8

10

12,5

14

16

Dla UGS= 1 [V]

Tabela 17

ID [mA]

0,01

0,1

0,2

0,3

0,5

0,8

1

1,3

1,5

UDS [V]

2

3

4

5

Dla UGS= 1,5 [V]

b) Zdjąć charakterystykę przejściową tranzystora ID = f(UGS) dla UDS=const.

Tabela 18

UGS [V]

ID [mA]

D. Wyposażenie.

Elementy układu:

Rezystor 1 kΩ.........................................szt. 2

Tranzystor BD 137................................szt. 1

Tranzystor BUZ11A ............................szt. 1

Sprzęt pomiarowy:

Cyfrowy miernik uniwersalny................szt. 6

Źródło zasilania:

Zasilacz ................................szt. 2

Akcesoria:

Płyta montażowa.....................................szt. 2

Komplet przewodów...............................szt. ...

8

8

V

R

A

V

A

UBE

UCE

+

+

-

-

Zasilacz

Zasilacz

IC

IB

Zasilacz

Zasilacz

+

+

-

-

R

ID

UDS

UGS

V

V

A

ID

D

G

+

+

a)

b)

+

+

G

D

ID



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Laboratorium elektroniki - Ćwiczenie 01, Politechnika Lubelska, Studia, sem III, materiały, Teoria O
Laboratorium elektroniki - Ćwiczenie 04, Politechnika Lubelska, Studia, sem III, materiały, Teoria O
Laboratorium elektroniki - Ćwiczenie 03, Politechnika Lubelska, Studia, sem III, materiały, Teoria O
Laboratorium elektroniki - Ćwiczenie 05, Politechnika Lubelska, Studia, sem III, materiały, Teoria O
Metoda prądów oczkowych, Politechnika Lubelska, Studia, sem III, materiały, Teoria Obwodów1, kabelki
stany nieustalone w obwodach RLC zasilanych ze źródła napięcia stałego, Politechnika Lubelska, Studi
BUEE alfabetycznie, Politechnika Lubelska, Studia, sem III, Bezpieczeństwo użytkowania urządzeń elek
bezpieczenstwo calosc 2, Politechnika Lubelska, Studia, sem III, Bezpieczeństwo użytkowania urządzeń
Czwórniki, Politechnika Lubelska, Studia, sem III, pen
Autentyczne dialogi pilotów, Politechnika Lubelska, Studia, sem III
strona piotrka, Politechnika Lubelska, Studia, sem III, pen, METODY NUMERYCZNE, metody numeryczbe st
rozniczki, Politechnika Lubelska, Studia, sem III
metrologiia, Politechnika Lubelska, Studia, sem III
Metro egzam, Politechnika Lubelska, Studia, sem III, Egzamin metrologia

więcej podobnych podstron