lab 4, STUDIA, SEMESTR IV, Badania struktury i własnosci materiałów


Wpisujemy mplik do workspace:

licz= [1];

mian=[3 5 1 1];

Tp=0.2;

[A,B,C,D]=tf2ss(licz,mian) %- zamiana Go na opis stanowy

[Ad,Bd,Cd,Dd]=c2dm(A,B,C,D,Tp,'zoh') %- dyskretyzacja;"metoda" patrz help

n=size(Ad,1) %- rząd macierzy Ad (aby uniknąć " Nic nie wiem o systemie przy wprowadzani biegunów

Hs=ctrb(Ad,Bd) %- macierz obserwowalności;det(X)- wyznacznik X

b=eig(Ad) %- wartości własne zI-Ad

0x01 graphic

Wartości biegunów -

bz =

0.9244 + 0.0733i 0.9244 - 0.0733i 0.3276

>> Mian=poly(bz)

Mian =

1.0000 -2.1764 1.4656 -0.2817

>> K=place(Ad,Bd,bz)

K =

2.8153 2.7295 0.7643

>>

K=place(Ad,Bd,bz)% - obliczenie macierzy wzmocnienia K

F=Ad-Bd*K

dstep(F,Bd,Cd,Dd)

K =

2.8154 2.7294 0.7638

F =

0.2331 -0.5257 -0.1862

0.1192 0.9447 -0.0197

0.0145 0.1962 0.9987

0x01 graphic

Us=0.304

Us=0.304

F=Ad-Bd*K

dstep(F,Bd/Us,Cd,Dd)

0x01 graphic

W simulinku:

0x01 graphic

Na oscyloskopie:

0x01 graphic

Po zmianie parametrow Go bez zmiany korektora

licz= [1];

mian=[2.4 4 0.8 0.8];

Tp=0.2;

[A,B,C,D]=tf2ss(licz,mian) %- zamiana Go na opis stanowy

[Ad,Bd,Cd,Dd]=c2dm(A,B,C,D,Tp,'zoh') %- dyskretyzacja;"metoda" patrz help

W mlabie:

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

Wracamy do poprzednich wartości K i zmieniamy plik w symulinku:

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

Zmniejszamy mianownik podanej funkcji o 20% w dół:

mian=[2.4 4 0.8 0.8]

0x01 graphic

Wprowadzamy obserwator stanu:

Wyznaczamy b(z) z rmod:

Wartości biegunów -

bz =

0 0.1 + 0.0840i 0.1- 0.0840i

Do m-pliku:

L=place(Ad',Cd',[0.05+0.00540 0.05-0.00540 0])'

Bz doregulowane recznie

0x01 graphic

Wykres z oscyloskopu dla transmitancji pocztkowej:

0x01 graphic

Wykres dla transmitancji po zmianie parametrów o -20%

0x01 graphic

0x01 graphic



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Lab 1 Badanie struktury, STUDIA, SEMESTR IV, Badania struktury i własnosci materiałów
bsiwm lab3, STUDIA, SEMESTR IV, Badania struktury i własnosci materiałów
zagadnienia na kolos, STUDIA, SEMESTR IV, Badania struktury i własnosci materiałów, bsiwm
bsiwm lab1, STUDIA, SEMESTR IV, Badania struktury i własnosci materiałów
Analiza spektroskopowa w mikroobszarach, ۞ Płyta Studenta Politechniki Śląskiej, Semestr 4, Bsiwm -
Analiza dyfrakcyjna w transmisyjnym mikroskopie elektronowym, ۞ Płyta Studenta Politechniki Śląskiej
MK warstwowe.odpowiedzi, STUDIA, SEMESTR IV, Materiały kompozytowe
Clebsch, STUDIA, SEMESTR IV, Wytrzymałość materiałów, wytrzymalosc materialow
Część wprowadzająca, Materiały STUDIA, Semestr III, Badania marketingowe, od OLI badania marketingow
Rodzaje badań, Materiały STUDIA, Semestr III, Badania marketingowe, od OLI badania marketingowe
Projekt Daria, Inżynieria Środowiska materiały, Studia, SEMESTR IV, Projekty, Sieci cieplne, projekt
kwestionariusz itp, Materiały STUDIA, Semestr III, Badania marketingowe, od OLI badania marketingowe
kodowanie, Materiały STUDIA, Semestr III, Badania marketingowe, od OLI badania marketingowe
Sieci cieplne - Obliczenia, Inżynieria Środowiska materiały, Studia, SEMESTR IV, Projekty, Sieci cie
MK warstwowe.odpowiedzi, STUDIA, SEMESTR IV, Materiały kompozytowe
Kolokwium z?dań Struktury i Własności Materiałów
mocek, wshiu poznan, semestr IV, badania rynku
Zarzadzanie i systemy jakosci - sciaga I, STUDIA, SEMESTR IV, Podstawy zarządzania, pz, Zarzadzanie,
TECHNIKA MIKROPROCESOROWA (1), Edukacja, studia, Semestr IV, Technika Mikroprocesorowa

więcej podobnych podstron