DSCF0776

DSCF0776



151


42 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne

kierunku emitowanego promieniowania. W rezultacie uzyskiwany jest efekt wzmocnienia optycznego strumienia laserowego. Jedno ze zwierciadeł jest optycznie półprzepuszczalne. Promień świetlny opuszcza laser przez niewielki otwór wykonany w tym zwierciadle.

Strumień świetlny emitowany przez diodę laserową wzrasta w przybliżeniu liniowo w funkcji prądu przewodzenia diody.

Laser VCSEL

Właściwości wzmocnienia optycznego promieniowania laserowego wykorzystano w konstrukcji lasera typu VCSEL1 (rys. 1). Laser VCSEL jest skonstruowany w taki sposób, że zarówno nad, jak i pod powierzchnią złącza emitującego promieniowanie usytuowano cały stos rezonatorów optycznych.

Lasery VCSEL są stosowane do budowy nadajników światłowodowych układów transmisji danych cyfrowych o prędkościach dochodzących do 3 Gbit/s.

W porównaniu z innymi laserami, lasery półprzewodnikowe wymagają zasilania stosunkowo niewiel- pyS 2. Oznakowanie ostrzegawcze produktów wykorzys-kimi wartościami prądu. Również sprawność łase-    tujących lasery

rów półprzewodnikowych jest stosunkowo wysoka

i wynosi ok. 20 %. Znaczna ilość ciepła wydzielanego w złączu diody laserowej ogranicza ciągłą moc promieniowania diody do poziomu kilkuset mW. Osiągnięcie wyższych mocy jest możliwe przez odpowiednie chłodzenie diod lub przez emisję krótkich wysokoenergetycznych impulsów świetlnych (praca impulsowa). Tryb pracy impulsowej pozwala na osiągnięcie mocy impulsowej rzędu kilkudziesięciu watów (tab. 1 na poprzedniej stronie).

Strumień świetlny diody laserowej może być łatwo modulowany z częstotliwościami modulacji w paśmie GHz. Pozwala to na zastosowanie diod laserowych w szybkich układach transmisji danych, odtwarzaczach płyt kompaktowych, w systemach alarmowych i zabezpieczających, niwelatorach, wskaźnikach świetlnych, aparatach cyfrowych, generatorach efektów wizualnych, noktowizorach, aparaturze medycznej. urządzeniach do obróbki termicznej materiałów.

Promieniowanie laserowe może być niebezpieczne dla człowieka. Może spowodować uszkodzenie wzroku lub poparzenia skóry. Dlatego szczególnie ważne jest stosowanie się do przepisów bezpiecznego posługiwania się laserami, które są zawarte w odpowiednich zaleceniach Unii Europejskiej i w normach krajowych.

Źródła promieniowania są podzielone na pięć klas: I, II, Ilia, lllb i IV. Kryterium podziału jest wartość maksymalna mocy emitowanego promieniowania. Każde urządzenie laserowe powinno być oznakowane specjalnym żółtym trójkątnym znakiem ostrzegawczym oraz tabliczką znamionową podającą klasę promieniowania (rys. 2). Dodatkowo urządzenia laserowe muszą być wyposażone w odpowiednią instrukcję opisującą sposób bezpiecznego posługiwania się laserem.

Przyrządy i urządzenia laserowe klasy I (np. wskaźniki laserowe są całkowicie bezpieczne).

3 Vvrtical Cay/fy Surfeco Emitting Laser - laser o emisji pionowej przez otwór


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
DSCF0761 (2) 136 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny Rozróżnienie układów o stałym
DSCF0762 (2) WĘ 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nym wprowadzeniu (domieszkowani
DSCF0763 (2) 138 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektrony dla uproszczenia atomy przedstawio
DSCF0764 139 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne lencyjnego) do pasma przewodzenia
DSCF0765 140 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne krzem o przewodnictwie typu N elek
DSCF0768 (2) 14; 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nego wynika ze zjawiska przewo
DSCF0770 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Efekt Zenera jest wykorzystywany w pra
DSCF0771 146 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Diody mocy Do konstrukcji diod
DSCF0772 147 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niewielka zmiana napięcia polaryzu
DSCF0773 148 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niem termicznym diody. Najprostszy
DSCF0774 149 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Janoda Si02 —.warstwa zaporowa Rys
DSCF0775 150 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Tab. 1. Półprzewodnikowe diody
DSCF0777 152 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny4.2.3 Tranzystory4.2.3.1 Tranzystor
DSCF0778 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Schemat rozpływu prądów w tran
DSCF0779 154 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Charakterystyka wejściowa
DSCF0780 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 155 4.2 Półprzewodnikowe elementy i uk
DSCF0781 156 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Obszar pracy tranzystora N
DSCF0782 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 157 Pole obszaru pracy jest zależne od
DSCF0783 158 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Współczynniki korekcyjne p

więcej podobnych podstron