DSCF0794 (2)

DSCF0794 (2)



4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 169

Wzmacniacze te są przeznaczone do wzmacniania mocy sygnałów przemiennych w zakresie pasma częstotliwości do 100 kHz. Schemat prostego tranzystorowego wzmacniacza niskich częstotliwości przedstawiono na rys. 1. Wzmacniacz ten składa się z dwóch tzw. stopni wzmacniających. W pierwszym stopniu, zwanym przedwzmacniaczem, następuje wzmocnienie napięciowe sygnału wejściowego. W drugim stopniu, zwanym stopniem końcowym. następuje wzmocnienie mocy sygnału i dopasowanie rezystancji wyjściowej wzmacniacza do rezystancji obciążenia.

Projektowanie napięciowego stopnia wzmacniającego powinno być poprzedzone właściwym doborem punktu pracy tranzystora T1. W odróżnieniu od zastosowań przełączających punkt pracy tranzystora dobierany jest w obszarze jego pracy liniowej. Dla uzyskania możliwie szerokiego zakresu zmian napięcia wyjściowego i jednocześnie niskiego poziomu zniekształceń nieliniowych punkt pracy A tranzystora (rys. 2) dobierany jest tak, aby napięcie kolektora było w przybliżeniu równe połowie napięcia zasilania Ub.

Punkt pracy tranzystora napięciowego stopnia wzmacniającego powinien być dobrany w taki sposób, aby napięcie wyjściowe tego stopnia miało składową stałą o wartości w przybliżeniu równej połowie napięcia zasilania stopnia.

Właściwy punkt pracy może być dobrany przez zmianę rezystancji rezystora nastawnego R2 (rys. 1).

Dla tak dobranego rezystora zmianom napięcia wejściowego AU i w granicach ±0,03 V odpowiada zmiana napięcia wyjściowego AU2 w granicach ±2,7 V. Gdyby nominalny punkt pracy Uce = 4,5 V został dobrany np. na poziomie 7,0 V, to wówczas napięcie wyjściowe wzmacniacza uległoby ograniczeniu wynikającemu z faktu, że napięcie wyjściowe nie może być wyższe niż nominalne napięcie zasilania (Ub = 9,0 V). W wyniku ograniczenia sygnału pojawiają się zniekształcenia sygnału wyjściowego, zwane zniekształceniami nieliniowymi. Zniekształcenia te mogą powstać również wówczas, gdy punkt pracy wzmacniacza przesunie się poza obszar wyznaczony przez punkty A, i A2 na prostej obciążenia wpisanej w charakterystykę wyjściową tranzystora (rys. 2). Prosta obciążenia jest prostą przechodzącą przez dwa charakterystyczne punkty położone na charakterystyce wyjściowej tranzystora (rys. 2). Jeden z punktów jest położony na osi UCe> drugi na osi /c- Odcięta punktu przecięcia przez prostą obciążenia osi UCE jest równa nominalnemu napięciu zasilania l/b. Rzędna punktu przecięcia przez prostą obciążenia osi /c jest równa teoretycznej wartości prądu maksymalnego, który może popłynąć przez obciążenie w warunkach gdy UCE = 0 (rys. 1 i rys. 2). Obszary pracy wykraczające poza te punkty leżą zbyt blisko punktu przegięcia charakterystyki (punkt A,) lub zbyt blisko nieliniowej części charakterystyki wejściowej tranzystora (punkt A2).


O,* 9V


f] R4 f

1C2 R6 f

J 4,7kQ|

J25//F 15kol


V1: BC107 V2: BC140 z radia- Rtorem 100 kQ

.C1..25//F

l,+ R2? 10 kpy

u' - 4

0.6V(

E 4^5V j

[\

_L

R3 f1 15 kQ I

l R5 f3

I 03 *

J 5Q//F]


L


przedwzmacniacz

--1 stopień —


dopasowanie rezystancji |

2t


Rys. 1. Schemat prostego, dwustopniowego wzmacniacza tranzystorowego niskich częstotliwości

Rys.

2. Ilustracja obszaru pracy wzmacniacza niskich częstotliwości z tranzystorem typu BC107


Wzmacniany sygnał (napięcie wejściowe) doprowadzany jest do bazy tranzystora T1 przez kondensator C1. Sprzężenie pojemnościowe umożliwia wyeliminowanie wpływu składowej stałej sygnału sterującego na położenie punktu pracy tranzystora T1. Jednocześnie wywołuje to efekt ograniczenia dolnej częstotliwości granicznej wzmacniacza wynikający z dużej impedancji sprzężenia pojemnościowego w zakresie niskiej częstotliwości.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
DSCF0770 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Efekt Zenera jest wykorzystywany w pra
DSCF0778 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Schemat rozpływu prądów w tran
DSCF0780 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 155 4.2 Półprzewodnikowe elementy i uk
DSCF0782 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 157 Pole obszaru pracy jest zależne od
DSCF0786 (2) 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 161 4.2 Półprzewodnikowe elementy
DSCF0788 (2) 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 163 diod napięcie maksymalne pomię
DSCF0790 (2) 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Jeśli złącze bramka-źródło nie jes
DSCF0792 (2) 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 167 Zakres liniowej pracy tranzyst
DSCF0795 (2) 170 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Pasmo przenoszenia wzmacniaczy
DSCF0761 (2) 136 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny Rozróżnienie układów o stałym
DSCF0762 (2) WĘ 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nym wprowadzeniu (domieszkowani
DSCF0763 (2) 138 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektrony dla uproszczenia atomy przedstawio
DSCF0764 139 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne lencyjnego) do pasma przewodzenia
DSCF0765 140 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne krzem o przewodnictwie typu N elek
DSCF0768 (2) 14; 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nego wynika ze zjawiska przewo
DSCF0771 146 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Diody mocy Do konstrukcji diod
DSCF0772 147 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niewielka zmiana napięcia polaryzu
DSCF0773 148 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niem termicznym diody. Najprostszy
DSCF0774 149 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Janoda Si02 —.warstwa zaporowa Rys

więcej podobnych podstron