POLITECHNIKA LUBELSKA w LUBLINIE |
|
LABORATORIUM Ćwiczenie Nr 2 |
||
Nazwisko : Gładyszewski Grądzki Jończyk |
Imię : Sławek Marcin Kuba |
Semestr IV |
Grupa E.D.4.4 |
Rok akadem. 1997/98 |
Temat ćwiczenia: Badanie właściwości impulsowych tranzystora |
|
|
Data wykonania 6.03.1998 |
Ocena |
Wyznaczanie wartości prądu bazy na granicy nasycenia.
IBmin=0,1mA dla UCE=0,5V
IB=0 dla UCE=10,5V
IE=7,8mA
β== 77
Tabela 1.
Kf |
IB |
Uz |
- |
mA |
V |
1 |
0,1 |
0,49 |
2 |
0,2 |
0,82 |
4 |
0,4 |
1,49 |
8 |
0,8 |
2,76 |
16 |
1,6 |
5,33 |
2.Praca tranzystora w układzie przełącznika.
Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym.
Tabela 2.
KF |
UZ |
td |
tn |
tp |
to |
- |
V |
ms |
ms |
ms |
ms |
1 |
0,49 |
0 |
90 |
0 |
125 |
2 |
0,82 |
10 |
90 |
0 |
50 |
4 |
1,49 |
20 |
90 |
0 |
20 |
8 |
2,76 |
35 |
100 |
0 |
10 |
16 |
5,33 |
57,5 |
100 |
0 |
5 |
Badanie wpływu pojemności przyspieszającej na czasy przełączenia tranzystora.
Tabela 3.
CB |
KF |
td |
tn |
tp |
to |
pF |
- |
ms |
ms |
ms |
ms |
|
1 |
0 |
70 |
0 |
50 |
|
2 |
0 |
35 |
0 |
20 |
100 |
4 |
5 |
20 |
0 |
10 |
|
8 |
7,5 |
10 |
0 |
5 |
|
16 |
7,5 |
5 |
0 |
0 |
|
1 |
0 |
25 |
0 |
30 |
|
2 |
0 |
20 |
0 |
20 |
500 |
4 |
7,5 |
10 |
0 |
7,5 |
|
8 |
10 |
5 |
0 |
5 |
|
16 |
5 |
5 |
0 |
0 |
Wyznaczanie wartości napięć sterujących, przy których Kf osiąga założone wartości.
Tabela 4.
Kf |
IWE |
Uz |
- |
mA |
V |
1 |
0,1 |
1,54 |
2 |
0,2 |
1,9 |
4 |
0,4 |
2,6 |
8 |
0,8 |
4 |
16 |
1,6 |
6,78 |
5. Wyznaczanie wartości czasów przełączania.
Tabela 5.
KF |
UZ |
td |
tn |
tp |
to |
- |
V |
ms |
ms |
ms |
ms |
1 |
1,54 |
0 |
250 |
0 |
15 |
2 |
1,9 |
0 |
50 |
0 |
20 |
4 |
2,6 |
0 |
20 |
10 |
20 |
8 |
4 |
0 |
10 |
17,5 |
20 |
16 |
6,78 |
0 |
5 |
30 |
20 |
Wykres 1. (do tabeli 2)
Wykres 2. (do tabeli 3 dla C=100pF)
Wykres 3. (do tabeli 3 dla C=500pF)
Wykres 4. (do tabeli 5)
Wnioski:
Zwiększając współczynnik przesterowania tranzystora tym samym zwiększamy prąd bazy. A więc zwiększamy ilość ładunków pompowanych w obszar bazy zmniejsza to więc czas narastania ponieważ im większy prąd tym mniej czasu potrzeba aby wprowadzić w obszar wystarczającej ilości ładunków aby doszło do nasycenia tranzystora. Wiąże się to jednak z przedłużeniem czasu przeciągania oraz opadania ponieważ aby wprowadzić te tranzystor ponownie w stan odcięcia należy te nadmiarowe ładunki odprowadzić z obszaru bazy.
Innym sposobem jest dodanie dodatkowego kondensatora którym zwieramy rezystor ograniczający prąd bazy dzięki czemu skracamy stałą czasową zapełniania przez ładunki obszaru bazy.