|
|
|
|
|
Badanie charakterystyk tranzystora |
WSTP
Trioda póprzewodnikowa lub tranzystor jest kombinacj dwóch pooonych blisko siebie zcz p-n w jednym krysztale póprzewodnika. Rozróniamy dwa rodzaje tranzystorów warstwowych: tranzystory typu p-n-p. i tranzystory typu n-p-n. Tranzystor skada si z emitera, kolektora i bazy. Podczas pracy tranzystora na zcze emiter - baza podaje si niewielkie napicie w kierunku przewodzenia, a na zcze kolektor - baza stae napicie w kierunku zaporowym. Zmieniajc napicie emitera uzyskuje si zmiany prdu w obwodzie kolektora. Stosunek zmian prdu kolektora
do zmian prdu emitera
nosi nazw wspóczynnika wzmocnienia prdowego i oznaczony jest przez
przy Uk=constans.
Wspóczynnik
okrela jaka cz prdu emitera w postaci noników mniejszociowych w obszarze bazy dociera do kolektora. Opór elektryczny na zczu emiter - baza Reb jest may w porównaniu z oporem na zczu kolektor - baza Rkb poniewa pierwsze zcze spolaryzowane jest w kierunku przewodzenia a drugie w kierunku zaporowym. Niech pod wpywem róda sygnaów napicie na zczu emiterowym zmieni si o wielko
. Napicie to spowoduje zmian prdu emitera o
, gdzie
Zmieni si wówczas równie prd kolektora o
a zatem zmienia si bdzie napicie na zczu kolektorowym:
Wzmocnienie napiciowe wyniesie:
Podobnie mona wykaza, e wzmocnienie mocy Kp dla ukadu ze wspóln baz wynosi w przyblieniu
jest wic równe w przyblieniu iloczynowi wspóczynników wzmocnienia prdowego
i napiciowego
. W praktyce najczciej stosuje si trzy sposoby poczenia tranzystora:
ukad o wspólnej bazie -WB
ukad o wspólnym emiterze -WE
ukad o wspólnym kolektorze -WK
Charakterystyki tranzystorów podawane s zazwyczaj dla ukadu WE. W ukadzie WE mona otrzyma prócz wzmocnienia napicia i mocy take wzmocnienie prdu. Charakterystyki wejciowe tranzystora dla ukadu WE podaj zaleno prdu kolektora Ik od napicia midzy kolektorem i emiterem UKE dla rónych wartoci prdu bazy Ib. Wspóczynnik wzmocnienia prdu
jest w tym przypadku okrelony nastpujco:
przy UKE=const.
Gdzie
jest zmian prdu kolektora spowodowan zmian prdu bazy
.
Wspóczynnik
dla ukadu o wspólnej bazie WB zwizany jest z wspóczynnikiem
dla ukadu WE nastpujc zalenoci:
Przebieg wiczenia
Celem wiczenia jest pomiar statycznych charakterystyk tranzystora warstwowego i wyznaczenie kilku jego podstawowych parametrów.
Naley wykona pomiary nastpujcych charakterystyk:
Ik=f(UKE) dla ustalonych wartoci prdu bazy Ib.
Ik=f(Ib) dla ustalonych wartoci UKE.
Ib=f(UBE) dla ustalonych wartoci UKE.
Tabela pomiarowa
Ik=f(Ib)
UKR |
Ib |
Ik |
UKR |
Ib |
Ik |
5 |
0 |
0 |
10 |
0 |
0 |
5 |
51 |
3,3 |
10 |
50 |
3,7 |
5 |
100 |
7 |
10 |
100 |
7,8 |
5 |
150 |
11 |
10 |
150 |
12 |
5 |
200 |
15 |
10 |
200 |
16,2 |
5 |
250 |
19,1 |
10 |
250 |
20,6 |
5 |
300 |
23,1 |
10 |
300 |
24,9 |
5 |
350 |
27,3 |
10 |
350 |
29,3 |
5 |
400 |
31,5 |
10 |
400 |
33,6 |
5 |
450 |
35,7 |
10 |
450 |
38,1 |
5 |
500 |
39,9 |
10 |
500 |
42,4 |