Krzywa t

1

- stan odcięcia – odpowiada położeniu A punktu pracy.

Prosta t

4

- stan nasycenia – odpowiada położeniu B punktu pracy.

Prosta t

2

- obszar pracy aktywnej - do chwili osiągnięcia napięcia na

kolektorze U

CE

= U

CEsat.

Prosta t

3

– odpowiada położeniu B

1

punktu pracy.

Wejście w tzw. głębokie nasycenie prowadzi do podwyższenia koncentracji

nośników mniejszościowych (elektronów) w bazie, do poziomu ograniczonego
przebiegiem t

4

.

W wyniku wstrzykiwania nośników przez złącze emiterowe oraz

kolektorowe, w bazie gromadzi się ładunek przesterowania.

x

n

p

Emiter

Kolektor

Baza

0

W

B

N

N

P

ładunek przesterowania

t

2

t

1

t

3

t

4

koncentracja

równowagowa

Zmiany rozkładów koncentracji elektronów w bazie tranzystora

podczas procesu włączania.