POLITECHNIKA RADOMSKA		LABORATORIUM ELEKTRONIKI		Data:
Imię i nazwisko:			Grupa:	Rok akademicki:
Nr ćwiczenia: 8	Temat : DIODA I TRANZYSTOR W UKŁADACH PRZEŁĄCZAJĄCYCH			OCENA:

1. 
   Schemat obwodu wejściowego tranzystorowego klucza nasyconego z pojemnością przyspieszającą

2. 
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   Schemat tranzystorowego klucza quasi-nasyconego.

3. Przebiegi czasowe napięć w układzie klucza tranzystorowego przy przełączaniu

t_d- czas opóźnienia

t_n- czas narastania t_s- czas przeciągania

t₀- czas opadamia.

Tabele pomiarowe.

Tranzystor wolny (częstotliwość mała)
Przebieg napięcia na kolektorze
td	tn	ts	to
μs	μs	μs	μs
0,83	1,29	0,48	1,08	Bez kondensatora oraz diody
0,3	0,3	0,15	0,78	Z kondensatorem
0,86	1,23	0,25	1,12	Z diodą
0,31	0,39	0,09	0,88	Z kondensatorem oraz diodą

Tranzystor wolny (częstotliwość mała)
Przebieg napięcia bazy
td	ts+to
μs	μs
1,38	1,54	Bez kondensatora oraz diody
0,36	0,05	Z kondensatorem
1,33	1,33	Z diodą
0,37	0	Z kondensatorem oraz diodą

Tranzystor wolny (duża częstotliwość )
Przebieg napięcia na kolektorze
td	tn	ts	to
μs	μs	μs	μs
0,82	1,25	0,4	1,08	Bez kondensatora oraz diody
0,33	0,4	0,19	0,87	Z kondensatorem
0,83	1,24	0,26	1,13	Z diodą
0,38	0,55	0,2	0,74	Z kondensatorem oraz diodą

Tranzystor wolny (duża częstotliwość )
Przebieg napięcia bazy
td	ts+to
μs	μs
1,25	1,4	Bez kondensatora oraz diody
0,43	0,09	Z kondensatorem
1,2	1,38	Z diodą
0,45	0,04	Z kondensatorem oraz diodą

Tranzystor szybki (częstotliwość mała)
Przebieg napięcia na kolektorze
td	tn	ts	to
μs	μs	μs	μs
0,17	0,14	0,26	0,59	Bez kondensatora oraz diody
0,08	0,12	0,056	0,08	Z kondensatorem
0,202	0,14	0,058	0,52	Z diodą
0,094	0,06	0	0,67	Z kondensatorem oraz diodą

Tranzystor szybki (częstotliwość mała)
Przebieg napięcia bazy
td	ts+to
μs	μs
0,73	0,36	Bez kondensatora oraz diody
0,212	0,022	Z kondensatorem
0,762	0,134	Z diodą
0,224	0,02	Z kondensatorem oraz diodą

Tranzystor szybki (duża częstotliwość )
Przebieg napięcia na kolektorze
td	tn	ts	to
μs	μs	μs	μs
0,184	0,128	0,314	1	Bez kondensatora oraz diody
0,06	0,11	0,1	0,69	Z kondensatorem
0,185	0,140	0,06	0,645	Z diodą
0,14	0,070	0	0,665	Z kondensatorem oraz diodą

Tranzystor szybki (duża częstotliwość )
Przebieg napięcia bazy
td	ts+to
μs	μs
0,72	0,40	Bez kondensatora oraz diody
0,26	0,06	Z kondensatorem
0,715	0,135	Z diodą
0,29	0	Z kondensatorem oraz diodą

WNIOSKI:

W ćwiczeniu badaliśmy wpływ kondensatora bocznikującego rezystancję R_B (tzw. pojemności przyspieszającej) oraz odpowiednio dobranej diody półprzewodnikowej ,włączonej między bazę i kolektor tranzystora (tzw. klucza quasi-nasyconego ),na proces przełączania tranzystora .

W wyniku pomiarów okazało się, że czasy przełączania klucza tranzystorowego są rzędu kilkudziesięciu ...kilkuset ns.

Czasy te ulegają skróceniu przy zastosowaniu pojemności przyspieszającej w obwodzie wejściowym oraz przy zastosowaniu klucza quasi-nasyconego .

Przy zastosowaniu kondensatora czas trwania fazy opóźnienia skraca się , powoduje on jednak wzrost współczynników przesterowania. W rezultacie maleją czasy narastania i opadania ,a także czas przeciągania. Wadami klucza tranzystorowego z pojemnością przyspieszającą jest wzrost czasu biernego i możliwość występowania przepięć w obwodzie wyjściowym.

Natomiast przy zastosowaniu diody w układzie klucza tranzystorowego okazało się ,że nie ma fazy przeciągania ,czas wyłączania odpowiada czasowi opadania. Czas przełączania klucza quasi-nasyconego może być kilkakrotnie mniejszy od czasu przełączania klucza nasyconego. Wadą układu z diodą przyspieszająca jest duża wartość napięcia nasycenia ,możliwe jest także powstawanie przepięć.

Zastosowanie w układzie przełączającym pojemności oraz diody powoduje , że czasy przełączania są podobne jak w układzie klucza quasi-nasyconego lecz kondensator powoduje dalszy spadek długości czasów przełączania klucza tranzystorowego.

Czasy przełączania tranzystora szybkiego wraz z zastosowaną diodą bądź kondensatorem lub też obydwoma elementami ,są krótsze w porównaniu do czasów przełączania w analogicznych układach, w których zastosowano tranzystor wolny .

R g

C

R s

C we

U₀

Eg(t)

+U_CC

R_C

W_Y

W_E

R_C

Eg

+E_F

t

U_b

U_BEP

U_CES

t

t

U_WY

U_CC

t_s

t₀

t_d

t_n

---