Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, Ryszard Korbutowicz, Iwona
Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Zdzisław Synowiec,
Beata Ściana, Irena Zubel, Tomasz Ohly, Bogusław Boratyński
Ćwiczenie nr 4
Stabilizator napięcia z diodą Zenera
I.
Zagadnienia do samodzielnego przygotowania
-
Budowa złącza p-n oraz charakterystyka I-U
-
Charakterystyka prądowo-napięciowa diody Zenera.
-
Efekt Zenera i efekt powielania lawinowego - wyjaśnić na modelu pasmowym.
-
Parametry katalogowe diody stabilizacyjnej
-
Schemat i zasada działania stabilizatora napięcia z diodą Zenera
II. Program zajęć
-
Pomiar charakterystyki I-U diody Zenera.
-
Projekt układu stabilizatora napięcia
-
Pomiary współczynnika stabilizacji napięcia zbudowanego układu
III. Literatura
1.
Notatki z WYKŁADU
2.
W. Marciniak - Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone
3.
A. Świt, J. Pułtorak - Przyrządy półprzewodnikowe
4.
Poradnik Inżyniera Elektronika
Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą
urządzeń elektrycznych.
2
1
Wiadomości wstępne
1.1
Przebicie złącza p-n
Przy polaryzacji zaporowej złącza p-n zależność I-U daje się opisać wzorem
Shockley’a tylko dla ograniczonych wartości napięcia polaryzacji. Po przekroczeniu pewnego
napięcia krytycznego następuje przebicie złącza p-n, czyli gwałtowny wzrost natężenia
płynącego prądu, podczas gdy napięcie na złączu zmienia się w bardzo niewielkim stopniu.
Dwa podstawowe mechanizmy powodujące przebicie złącza to zjawisko Zenera i zjawisko
powielania lawinowego nośników.
Efekt Zenera polega na tunelowym przejściu elektronu (tzn. bez zmiany energii)
z pasma podstawowego do pasma przewodnictwa półprzewodnika. Występuje on przede
wszystkim w półprzewodnikach silnie domieszkowanych gdzie w cienkim obszarze warstwy
zubożonej złącza p-n, występuje silne pole elektryczne (
≈
10
8
V/m).
warstwa
zubo
ż
ona
p
n
W
C
W
V
W
W
F
W
g
Rys. 1. Model pasmowy złącza p-n z zaznaczonym efektem Zenera – tunelowe przejście
elektronu z pasma podstawowego do pasma przewodnictwa.
W
W
C
W
V
W
F
warstwa
zubo
ż
ona
p
n
W
g
Rys. 2. Model pasmowy złącza p-n z zaznaczonym zjawiskiem powielania lawinowego -
wzrost liczby nośników prądu w warstwie zaporowej.
Zjawisko powielania lawinowego polega na powielaniu nośników prądu w warstwie
zubożonej złącza p-n, w wyniku zderzeń elektronów z atomami sieci krystalicznej. Powoduje
to zerwanie wiązania kowalencyjnego i powstanie swobodnego elektronu oraz swobodnej
dziury. Efekt ten występuje w złączu słabo domieszkowanym kiedy grubość złącza znacznie
przekracza średnią drogę swobodną elektronu, a więc istnieje duże prawdopodobieństwo
uzyskania dużej energii przez elektron w polu elektrycznym złącza.
3
Przebicie złącza p-n wykorzystuje się w diodach stabilizacyjnych, zwanych też
diodami Zenera służących m.in. do budowy układów stabilizatorów napięcia.
1.2
Charakterystyka prądowo napięciowa diody Zenera
Podczas polaryzacji w kierunku przewodzenia krzemowa dioda Zenera zachowuje się
tak jak każda dioda, tzn. spadek napięcia na niej jest niewielki i wynosi ok. 0,6
÷
0,7 V. Przy
polaryzacji zaporowej, dla pewnej wartości napięcia – zależnej od konstrukcji diody
(domieszkowania) – występuje gwałtowny wzrost natężenia prądu i bardzo niewielka zmiana
napięcia. Tę właściwość wykorzystuje się stosując diodę Zenera jako element stabilizacyjny,
tzn. zapewniający prawie stałą wartość napięcia na zaciskach niezależną od natężenie
przepływającego prądu. Dla diod o napięciu przebicia w zakresie 2
÷
5 V dominuje efekt
Zenera, a dla diod o napięciu przebicia powyżej 10V dominuje zjawisko powielania
lawinowego.
I
U
I
Zmin
I
Zmax
P
max
hiperbola mocy
admisyjnej
U
Zmin
U
Zmax
1
2
1
2
I
I
U
U
dI
dU
r
z
−
−
≅
=
U
Z
I
1
U
1
U
2
I
2
Rys. 3. Charakterystyka diody Zenera przy polaryzacji zaporowej
Na rysunku 3 przedstawiono charakterystykę diody Zenera spolaryzowanej
w kierunku zaporowym wraz z jej podstawowymi parametrami:
U
Z
– napięcie Zenera,
I
Zmin
– minimalny prąd wsteczny (przy mniejszych wartościach prądu dioda nie
ma właściwości stabilizacyjnych),
I
Zmax
– maksymalny prąd wsteczny (przy większych wartościach prądu dioda
może ulec uszkodzeniu),
r
z
– rezystancja dynamiczna diody w zakresie przebicia złącza.
Przykładowe oznaczenie diody Zenera: BZP 620 - C3V3
Pierwsza litera oznacza materiał, z jakiego wykonana została dioda (B – krzem), litera
druga mówi o rodzaju diody (Z – dioda Zenera), litera trzecia, opcjonalna (P – wykonanie
polskie). Kolejne trzy cyfry oznaczają typ diody. Czwarta litera oznacza tolerancję
nominalnego napięcia przebicia (U
Znom
) diody:
C - tolerancja 5%
czyli: U
Z
= U
Znom
± 5%U
Znom
D - tolerancja 10%
U
Z
= U
Znom
± 10%U
Znom
Ostatnie trzy znaki mówią o nominalnym napięciu stabilizacji diody, 3V3 – oznacza
3,3 V (znak V oznacza przecinek). Zwykle napięcie nominalne podawane jest dla 0,1 I
Zmax
.
4
1.3
Projekt stabilizatora z diodą Zenera
Na rys. 4 pokazano podstawowy schemat układu stabilizatora opartego na diodzie
Zenera. Na rys. 5 przedstawiono charakterystykę prądowo-napięciową diody dla polaryzacji
zaporowej (2), charakterystykę I-U rezystora obciążenia R
0
(1) oraz wynikową
charakterystykę I-U układu z obciążeniem R
0
dołączonym równolegle do diody Zenera na
wyjściu układu stabilizatora (3). Całkowity prąd w rezystorze R
s
jest sumą prądu płynącego
przez diodę i obciążenie. Linią przerywaną naniesiono proste pracy wynikające z możliwych
do przyjęcia wartości rezystora szeregowego R
s
oraz szczytowych wartości napięcia
wejściowego, tzn. amplitud
∆
U
we
(napięcia tętnienia) „nałożonych” na poziom napięcia
stałego U
we
. Linie te definiują dopuszczalny zakres położenia faktycznej prostej pracy.
Chwilowa wartość punktu pracy znajduje się zawsze w punkcie przecięcia prostej pracy i
charakterystyki I-U diody.
Zadaniem układu jest zmniejszenie amplitud napięcia wejściowego (
∆∆∆∆
U
wy
) do
niewielkich amplitud (
∆∆∆∆
U
wy
) napięcia wyjściowego, które jest napięciem stabilizowanym.
Rys. 4. Schemat układu stabilizatora opartego na diodzie Zenera
Rys. 5. Charakterystyka prądowo-napięciowa stabilizatora z diodą Zenera
Zmiana napięcia wejściowego U
we
o
±∆
U
we
powoduje zmianę położenia punktu pracy
na charakterystyce wypadkowej stabilizatora. Aby układ stabilizował punkt pracy powinien
“poruszać się” w dopuszczalnym zakresie prądów I
zmax
÷
I
zmin
. Poniżej wartości I
zmin
układ
≈
±
∆
∆
∆
I
Zmin
I
Zmax
R
S min
R
S max
U
we
U +
we
U -
we
U
we
U
we
1
2
3
1
2
3
charakterystyka obciążenia
charakterystyka diody Zenera
charakterystyka wypadkowa
I
U
1
R
0
prosta
pracy
5
traci własność stabilizacji (zmiana kształtu charakterystyki diody), zaś powyżej wartości I
zmax
występuje niebezpieczeństwo termicznego zniszczenia diody (przekroczenie mocy
dopuszczalnej). Wartość rezystora szeregowego R
s
decyduje o nachyleniu faktycznej prostej
pracy, a więc decyduje o prawidłowej pracy stabilizatora.
Zadanie właściwego zaprojektowania stabilizatora sprowadza się głównie do
problemu prawidłowego dobrania wartości R
s
(przy danych wartościach R
0
, U
Z
i U
we
).
Jakość stabilizacji napięcia charakteryzuje współczynnik stabilizacji zdefiniowany
jako stosunek względnej zmiany napięcia wyjściowego do względnej zmiany napięcia
wejściowego, czyli:
we
we
wy
wy
U
U
U
U
k
∆
∆
=
Oczywiste jest że, im k ma mniejszą wartość tym lepsza
jest stabilizacja układu (typowe wartości: k=0,02
÷
0,05).
Układ zastępczy stabilizatora dla składowej zmiennej napięcia
∆
U (czyli tętnienia,
które stabilizator ma zmniejszyć) ma postać jak na rys. 6. Dioda Zenera jest przedstawiona za
pomocą jej modelu zastępczego dla małych sygnałów, czyli rezystancji r
z
.
Rys. 6. Układ zastępczy stabilizatora dla składowej zmiennej napięcia
Rezystancje R
s
oraz równolegle połączone r
z
||R
0
tworzą dzielnik napięcia. Na podstawie
analizy powyższego układu można napisać, że:
z
o
o
z
s
z
o
o
z
we
wy
r
R
R
r
R
r
R
R
r
U
U
+
⋅
+
+
⋅
=
∆
∆
Zwykle r
z
<< R
o
, a R
s
>> r
z
, tak więc można napisać, że
s
z
we
wy
R
r
U
U
≈
∆
∆
Wstawiając powyższe wyrażenie do wzoru na k otrzymujemy:
wy
we
s
z
U
U
R
r
k
⋅
=
Na podstawie tego wzoru widać, że układ ma tym lepsze własności stabilizacyjne im wartość
rezystancji szeregowej R
s
jest większa, a wartość rezystancji dynamicznej r
z
diody - mniejsza.
Wartość rezystancji dynamicznej r
z
możemy obliczyć na podstawie zmierzonej
charakterystyki diody (jak na rys. 3) lub w przypadku stałego nachylenia charakterystyki:
r
U
U
I
I
z
Z
Z
Z
Z
=
−
−
max
min
max
min
R
S
R
0
r
Z
U
wy
U
we
∆
∆
6
Gdy napięcie zasilające wyniesie U
we
+
∆
U
we
wtedy prąd płynący przez układ jest
maksymalny, a wartość rezystancji R
S
nie może być mniejsza od R
Smin
:
(
)
o
z
Z
z
we
we
S
R
U
I
U
U
U
R
+
−
∆
+
=
max
min
gdzie:
U
R
z
o
- prąd obciążenia
U
Z
- nominalne napięcie stabilizacji
Gdy napięcie zasilające wyniesie U
we
-
∆
U
we
, to wówczas prąd płynący przez układ
jest najmniejszy a wartość rezystancji ograniczającej prąd nie może być większa od wartości
R
Smax
(
)
O
Z
Z
Z
we
we
S
R
U
I
U
U
U
R
+
−
∆
−
=
min
max
Obliczenia określają dozwolony zakres wartości rezystora R
S
. Dla uzyskania możliwie
małych wartości k wybieramy wartość rezystora możliwie bliską wartości R
Smax
.
Należy jednak pamiętać iż duża wartość rezystora R
S
jest okupiona dużym spadkiem
napięcia na nim i stratą mocy w stabilizatorze. A więc należy szukać kompromisu.
Założenia projektowe:
Aby zaprojektować stabilizator przyjmujemy następujące założenia:
U
we
~ 1,5 U
Z
gdzie: U
z
pożądane napięcie stabilizowane (w naszym przypadku
napięcie Zenera dostępnej diody)
∆
U
we
=
±
10%U
we
I
Zmax
= P
max
/U
Z
I
Zmin
- określane na podstawie charakterystyki
R
o
≈
1
÷
10 k
Ω
2
Kolejność zadań do wykonania
1.
Pomiar charakterystyki I-U wyznaczonej diody Zenera w zakresie zaporowym i
wyznaczenie parametrów charakterystycznych, w tym U
Z
, I
Zmin
oraz r
z
.
2.
Obliczenie rezystancji szeregowej R
s
i spodziewanej wartości współczynnika k.
3.
Montaż układu stabilizatora.
4.
Podłączenie zasilania i pomiary przebiegów napięciowych na oscyloskopie.
5.
Obliczenia współczynnika stabilizacji układu dla dwóch wartości rezystancji
obciążenia R
o
(np.: 1k, 10k).
7
3
Pomiary i obliczenia
3.1
Pomiar charakterystyki I-U diody Zenera i wyznaczenie napięcia przebicia U
z
oraz rezystancji dynamicznej r
z
.
Podstawową metodą wykorzystywaną do pomiaru charakterystyk prądowo-napięciowych jest
metoda techniczna. Układ pomiarowy przedstawiono na rys.7. Zasilacz napięciowy wymusza
przepływ prądu w obwodzie Dokonując odczytów wartości prądów i napięć w kolejnych
punktach charakterystyki sporządzamy tabelę wyników i tworzymy wykres zależności I=f(U).
Mierniki prądu i napięcia (multimetry cyfrowe) mogą być podłączone łączem RS-232 do
komputera i za pomocą programu REJESTRATOR wyniki pomiarów mogą być zapamiętane
i przetworzone na wykres charakterystyki I-U (zapoznaj się z instrukcją dotyczącą tego
programu). W tej konfiguracji układu stosujemy zasilacz z liniowym narostem napięcia w
czasie. W przypadku diody Zenera interesuje nas przede wszystkim zakres napięć, w którym
obserwujemy gwałtowny wzrost prądu w kierunku zaporowym.
Zasilacz z narostem
napięcia U=f(t)
badana
dioda
10
Ω
mA
V
V
Rys. 7 Układ do pomiaru charakterystyki I-U diody Zenera.
Procedura:
1. Odczytać w danych katalogowych parametry dopuszczalne badanej diody.
2. Obliczyć maksymalny prąd wsteczny diody I
Zmax
wynikający z maksymalnej mocy
admisyjnej diody. Ustawić ograniczenie prądu zasilacza na około 0,4 I
Zmax
aby uniknąć
nadmiernego nagrzewania elementu (praktycznie wystarczy zmierzyć charakterystykę I-U
do wartości prądu 40mA). W tym układzie ograniczenie stanowi natężenie prądu diody,
wobec tego nastawione maksymalne napięcie zasilacza może i powinno przekraczać napięcie
Zenera danej diody. W ten sposób charakterystyka będzie zmierzona do wartości ograniczenia
prądowego i zobrazuje cały obszar pracy diody. Gdy ustawienie zakresu napięcia będzie za
małe (np. równe napięciu nominalnemu U
Z
), zmierzymy tylko fragment charakterystyki
diody.
3. Zmierzyć charakterystykę I-U w układzie przedstawionym na rys. 7 i wykreślić wykres w
zakresie normalnej pracy diody Zenera.
4. Na sporządzonym wykresie (uzyskanym wydruku) charakterystyki I-U zaznaczyć
zakres napięć pracy wynikający z wartości I
Zmin
i I
Zmax
. Wyznaczyć parametry diody:
U
Z
oraz r
z
. Nanieść także punkt mocy dopuszczalnej diody.
5. Sprawdzić czy dioda spełnia pod względem tolerancji napięcia U
Z
dane katalogowe dla
danego typu diody.
8
3.2
Obliczenie i pomiary układu stabilizatora napięcia z diodą Zenera.
Procedura:
1. Wykonać obliczenia rezystora R
s
oraz przewidywanego współczynnika stabilizacji wg.
wskazówek podanych w p. 1.3 oraz uwzględniając wyniki pomiarów, p. 3.1.
2. Połączyć obwód jak na rys.8. Generator z transformatorem separującym (na płytce) stanowi
ź
ródło tętnień dodawanych do stałego napięcia zasilacza. Stanowi to dobrą symulację
napięcia, które zapewnia prostownik z filtrem pojemnościowym (układ zasilacza znany z
Ć
w. 3). Ustawić napięcie zasilacza DC U
we
=1,5 U
Z.
Ustawić sygnał (sin, f<400Hz) z
generatora tak aby uzyskać tętnienia na wejściu U
B
=
∆
U
we
=
±
10%U
we
Rys.8 Schemat montażowy układu stabilizatora napięcia
3. Wykonać pomiary przebiegów napięciowych na wejściu stabilizatora U
we
=U
B
(CH1)
i na wyjściu stabilizatora U
wy
=U
C
(CH2) - porównaj także schematy z rys.4 i rys.6.
W celu obserwacji i pomiaru przebiegów całkowitego napięcia (DC tętnień) ustawić wejścia
kanałów w trybie DC.
W celu dokładnego pomiaru tętnień ustawić wejścia kanałów w trybie AC. Ustawić
odpowiednie narzędzia pomiarowe ekranu (menu Measure) do wyznaczenia wielkości
amplitudy napięcia tętnień U
pp
.
Przebiegi oscyloskopowe zapamiętać i wydrukować (jeśli oscyloskop jest połączony z
drukarką lub z komputerem aplikacją DSO3000). Do wydruku usunąć kolor (tylko B&W).
Opisać uzyskane wydruki przebiegów.
4. Obliczyć współczynnik stabilizacji napięcia, k .
Wykonać powyższe pomiary dla dwóch wartości obciążenia R
o
. (jeśli czas pozwoli).
4
Wnioski
Podsumowanie wyników opracowanych na załączonych i uzupełnionych odręcznie
charakterystykach i przebiegach sygnałów napięciowych.