background image

 

 

WYDZIAŁ 

ELEKTRYCZN

Y

Jakub Dawidziuk

POLITECHNIK

BIAŁOSTOCK
A

Temat i plan 
wykładu

Diody półprzewodnikowe

1. Polaryzacja diod w kierunku 

przewodzenia i zaporowym

2. Charakterystyki prądowo-napięciowe

3. Model diody

4. Parametry techniczne diod

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKIA – Jakub Dawidziuk 

wtorek 27 kwietnia 2021

background image

 

 

Polaryzacja w kierunku przewodzenia i 

zaporowym oraz prądy w złączu

background image

 

 

Symbole graficzne

background image

 

 

Polaryzacja diody

background image

 

 

Polaryzacja w kierunku przewodzenia

background image

 

 

Polaryzacja w kierunku zaporowym

background image

 

 

Charakterystyka-

Charakterystyka-

właściwości

właściwości

U

U

D

D

 = 

 = 

napięcie 

napięcie 

polaryzacji

polaryzacji

I

I

D

D

 = 

 = 

prąd 

prąd 

diody

diody

I

I

S

S

 = 

 = 

prąd 

prąd 

nasycenia

nasycenia

U

U

BR

BR

 = 

 = 

napięcie 

napięcie 

wsteczne 

wsteczne 

(przebicia) 

(przebicia) 

U

U

 = 

 = 

napięcie 

napięcie 

bariery 

bariery 

potencjału

potencjału

U

U

D

D

I

I

D

D

(mA)

(mA)

(nA)

(nA)

U

U

BR

BR

~

~

U

U

I

I

S

S

background image

 

 

Charakterystyka prądowo-napięciowa 

diody

Zakres 

zaporowy

Zakres 

przewodzenia

background image

 

 

Charakterystyki diody 

germanowej 

i krzemowej

background image

 

 

Model diody

background image

 

 

Model obwodowy diody

Model obwodowy diody

Model diody 

Model diody 

idealnej z barierą 

idealnej z barierą 

potencjału

potencjału

Napięcie bariery potencjału jest to 

Napięcie bariery potencjału jest to 

napięcie na diodzie, przy którym 

napięcie na diodzie, przy którym 

zaczyna płynąć prąd przez diodę.

zaczyna płynąć prąd przez diodę.

  

  

Przykład

Przykład

: V

: V

 = 0.3 

 = 0.3 

V

V

 (typ

 (typ

owe dla diody germanowej

owe dla diody germanowej

)

)

. Określić 

. Określić 

wartość

wartość

 I

 I

D

D

 

 

jeżeli

jeżeli

  V

  V

A

A

 = 5 

 = 5 

V

V

 (

 (

napięcie zasilające

napięcie zasilające

).

).

0 = V

0 = V

A

A

 – I

 – I

D

D

R

R

S

S

 - V

 - V

 

 

I

I

D

D

 = V

 = V

A

A

 - V

 - V

 

 

 =  4.7 V  = 94 mA   

 =  4.7 V  = 94 mA   

           

           

R

R

S

S

         50 

         50 

 

 

V

V

V

V

A

A

I

I

D

D

R

R

= 50 

= 50 

+

+

_

_

V

V

+

+

+

+

background image

 

 

Dioda w obwodzie prądu 

przemiennego

background image

 

 

Rodzaje diod półprzewodnikowych

background image

 

 

Parametry diod małej mocy

Typowe dane dla diody germanowej i krzemowej 
wynoszą:

- dioda krzemowa I

S

=10 pA, mU

T

=30 mV, 

I

Fmax

=100 mA,

- dioda germanowa I

S

=100 nA, mU

T

=30 mV, 

I

Fmax

=100 mA.

Z charakterystyki można odczytać wartości 
napięcia przewodzenia U

F

 dla prądu 

przewodzenia I

F

=0,1·I

Fmax

. Dla diody germanowej 

napięcie przewodzenia jest równe 0,4V, a dla 
diody krzemowej 0,7V.

background image

 

 

Parametry diod prostowniczych

background image

 

 

Obudowy diod i mostków

background image

 

 

Elementy 

półprzewodnikowe

background image

 

 

Stabilizatory parametryczne stosowane są 
zazwyczaj tylko przy małych mocach 
wyjściowych i niezbyt wygórowanych 
wymaganiach jakościowych. 
Charakteryzują się one małą sprawnością , 
a ich współczynniki stabilizacji mają 
umiarkowaną wartość przy zmianach 
obciążenia i napięcia wejściowego. 
Wartość napięcia stabilizowanego jak i 
prądu wyjściowego zależą głównie od 
parametrów elementu nieliniowego. Jest to 
istotna wada tego typu układów ponieważ 
w przypadku konieczności zmiany tych 
wielkości, konieczna jest wymiana 
elementu nieliniowego (diody Zenera).

Diody Zenera. Stabilizatory 

parametryczne.

background image

 

 

Charakterystyka prądowo-napięciowa 

diody Zenera

U

F

I

F

U

I

1

U

R

I

R

background image

 

 

Z

U

ZK

U

Z

i

Z

u

Z

I

Z

i

Z

u

optymalny

punkt

pracy

MIN

I

MAX

I

MAX

P

Diody stabilizacyjne

background image

 

 

Charakterystyki diod Zenera

background image

 

 

Rezystancja 

różniczkowa

background image

 

 

Schematy zastępcze

background image

 

 

Charakterystyka prądowo-napięciowa 

diody Zenera

Zależność rezystancji 
dynamicznej 
diody od napięcia stabilizacji.

 

Minimalne 
rezystancje r

Z

 

występują dla 
diod Zenera o 
napięciu U

Z

około 7 V, a 
minimalne 
współczynniki 
temperaturowe 
dla diod 
onapięciu Zenera 
z przedziału U

Z

 = 

(5-6)V.

background image

 

 

Najprostszym stabilizatorem napięcia jest układ 
z wykorzystaniem diody Zenera. Takie i podobne 
układy nazywane są również stabilizatorami 
parametrycznymi.
Zmiany napięcia wejściowego ΔU

we

 pociągają za 

sobą zmiany prądu diody ΔI

D

, to jednak nie 

pociąga za sobą dużych zmian napięcia 
wyjściowego ΔU

wy

. Można przyjąć, że pozostaje 

ono stałe i równe napięciu Zenera U

Z

.

background image

 

 

Stabilizator z diodą Zenera

background image

 

 

Wartości katalogowe

U

Z

 - napięcie Zenera

r

z

 - rezystancja różniczkowa (Zenera)

I

zmax

 - prąd maksymalny

P

zmax

 – maksymalna moc rozproszenia

P

zmax

 = I

zmax

 U

z

 

background image

 

 

Stabilizator z diodą Zenera 

zasilany z sieci

background image

 

 

Dioda Zenera jako ogranicznik 

napięcia

background image

 

 

Obudowy diod Zenera

metalowe

background image

 

 

Złącze metal-półprzewodnik

Złacze metal - półprzewodnik

Charakterystyka pradowo - 
napieciowa

złacza metal – półprzewodnik 
może byc:

a) liniowa i symetryczna (złacze 
omowe)

kontakty i doprowadzenia 
przyrzadów pp

mała rezystancja

b) nieliniowa i niesymetryczna 
(złacze

prostujace)

dioda Schottky’ego

Rodzaj złacza zaley od:

- różnicy prac wyjscia 
elektronu z metalu i 
półprzewodnika

- stanów powierzchniowych 
półprzewodnika

background image

 

 

Złącze metal-półprzewodnik

background image

 

 

Charakterystyki diod 

Schottky’ego  

i diody pn w kierunku 

przewodzenia

background image

 

 

Złącze metal-półprzewodnik dioda 

Schottky’ego

Po „zetknięciu metalu i 
półprzewodnika” układ dąży do 
równowagi termodynamicznej 
poprzez przegrupowanie e-.

Ponieważ Wme > Wpp , to wiecej e- 
będzie przepływać z pp do me niż 
odwrotnie.

 po stronie me pojawia się cienka 
warstwa ładunku ujemnego, a po 
stronie pp znacznie szersza warstwa 
ładunku dodatniego, dipolowa 
warstwa ładunku przestrzennego

 bariera potencjału jest równa 
różnicy potencjałów wyjścia 
elektronów (Vme – Vpp)

 złacze prostujace => dioda 
Schottky’ego

A

K

background image

 

 

Złącze metal-półprzewodnik

Kierunek przewodzenia: „plus” do metalu, „minus” do pp 
typu n

 obniża się bariera potencjału i elektrony płyną z pp do me
 elektrony, które przeszły z pp do me w pierwszej chwili

obsadzają poziomy położone wysoko nad poziomem 
Fermiego i

dlatego nazywane są „gorącymi elektronami”; „gorące

elektrony” bardzo szybko (~10-13 ps) oddają swoją energię 
i stają się

częścią swobodnych elektronów w metalu

 „gorące elektrony” nie wykazują cech nośników

mniejszościowych (tak jak to było w złączu p-n)

 nie następuje gromadzenie nośników mniejszościowych
 „brak” pojemności dyfuzyjnej
 dobre właściwości impulsowe

background image

 

 

Złącze metal-półprzewodnik

Tranzystor 
Schottky’ego


Document Outline