Technologia

grubowarstwowa

Thick-film technology

Zalety

Highly reliable due to reduction of soldering
(compared to FR4)
Uniform thermal distribution within the circuit, good thermal conductivity (20W/mK compared to 0,25 W/mK for FR4)
High long-term stability and reliability
First choice for RF technology
(ε

r

=9.9, independent of frequency in large ranges)

High integration level
Laser trim of resistors to individual value, trim factor up to 20 and above (absolute & relative trims)
Resistors with tight tolerances and temperature coefficients
Active laser trim of application parameters (voltage, current, frequency a.o.) enables use of economical components

Pasty

PASTES
(Printing accuracy ≥ ±50 µm)
Conductive layers:
Material:
AgPd, AgPt, Au
Square resistivity:
5mR to 35mR
Width / Interspaces:
150μm
Dielectric (Insulators):
Breakdown voltage:
650 - 2000 V (dependent on pastes and design)
Number of prints:
2 - 3
Total thickness:
typically 40μm
Resistors:
Range standard:
0R5 ... 50Mohm
Geometries:
minimum 0.4 x 0.4 mm
Tk (non aligned):
<50ppm, <100ppm (dependent on pastes)
Working voltage/Pv:
dependent on geometry
Overglaze:
low temperature encapsulation ( green)/ high temperature encapsulation / passivation layer with screen process printing

Podłoża

Materiał: Al

2

O

3

, 96%

Standardowe wymiary:
4" x 4" bis 4" x 5" (20x30 lub 30x50
mm)
Grubość: 0,63, 1mm (także inne, wg
specyfikacji)
Przewodność cieplna: 20 W/mK
Względna przenikalność elektryczna:
9,5

Podłoża metalowe
emaliowane

Główne procesy technologiczne

Sito

Podłoże

Rakla
Pasta

Pasta
po na-
drukowaniu

Wypał
w 850

o

C

Warstwy cienkie a grube

Charakterystyka

Cienkie warstwy (typowe) Grube

warstwy (typowe)
Grubość warstw (µm) 0.01 - 1

5 - 40

Szerokość ścieżki przew./odstęp (µm) < 25

25
Procesy technologiczne zróżnicowane i łączone łączone i
zróżnicowane
Koszt urządzeń

duży mały

Materiały przewodzące Au, Al, Cu, ITO Au, Pt-Au, Cu, Ag, Pd-Ag, Pt-Ag

Materiały dielektryczne

polyimide, SiO

2

, Si

3

N

4

Al

2

O

3

, szkło,

ceramika, BaTiO

3

Materiały rezystywne NiCr, TaN

RuO

2

, Bi

2

Ru

2

O

7

Podłoża

Al

2

O

3

, AlN, BeO, SiC, szkło, Si, kwarc, szafir

Al

2

O

3

, AlN

Procesy technologiczne

fotomaski

Sitodruk

Procesy technologiczne

wypał

korekcja

montaż

Procesy technologiczne

Montaż doprowadzeń (pinów)

Hermetyzacja

Sitodruk

Proces sitodruku

Piec tunelowy

Profil temperaturowy wypału

Przebieg procesów

P

o

d

ło

ża

P

a

st

y:

•

p

rz

e

w

o

d

zą

ce

•

re

zy

st

yw

n

e

•

d

ie

le

k

tr

yc

zn

e

S

it

a

Sitodruk
suszenie
wypał
każdej
jednostki

Kontrola jakości
wstępna na próbkach

K

o

re

k

c

ja

la

se

ro

w

a

k

a

żd

e

g

o

e

le

m

e

n

ty

Kontrola jakości:

•sitodruku

•korekcji

M

a

g

a

zy

n

Elementy grubowarstwowe

LTCC

LTCC - przekrój

Green-tape