data 23.03.2011 godzina 12:00

rok akademicki: 2010/2011 semestr: 2

grupa: 3 - X2

SPRAWOZDANIE Z ĆWICZEŃ

W LABORATORIUM ELEKTRONIKI

ĆWICZENIE NR 3

TEMAT: Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych

Sylwia Kobus – 164373

Paweł Ozimiński – 164426

Jakub Czerwiński – 164325

Wstęp

Celem naszego ćwiczenia było poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza jak i zapoznanie się z układami stabilizacji punktu pracy.

W ramach powyższego doświadczenia mieliśmy do wykonania trzy następujące zadania:

• Wybór punktu pracy tranzystora

• Badanie wpływu temperatury na punkty pracy tranzystora

• Badanie w różnych układach polaryzacji wpływu zmiany tranzystora na położenie punktu pracy
  
  

Wykonanie ćwiczenia

1)

Na początku dokonaliśmy pomiarów optymalnego punktu położenia pracy z obciążeniem oraz bez obciążenia metodą graficzną wyniki przedstawiają następujące wykresy:

Następnie obserwowaliśmy na ekranie oscyloskopu przebieg napięcia na wejściu i wyjściu wzmacniacza oraz poprzez regulację potencjometrem prądu pracy i określaliśmy położenie punktu pracy odczytując napięcie U_CE, wyniki pomiarów przedstawia następująca tabela:

	wejściowe	UCE
bez obciążenia	3,35V	6,39V
z obciążeniem	5,29V	2,65V

Przy dołączonym obciążeniu w punkcie pracy optymalnym dla pracy bez obciążenia można otrzymać amplitudę niezniekształconego sygnału co najwyżej wynoszącą 6,16V.

Wnioski:

Udało nam się wyznaczyć punkt pracy tranzystora w którym element pracuje optymalnie i stabilnie.

Optymalny punkt położenia pracy otrzymany metodą graficzną, zarówno dla sytuacji z obciążeniem jak i bez obciążenia ma zbliżone wartości do tych które otrzymaliśmy dzięki dokonaniu pomiarów na oscyloskopie. W sytuacji bez obciążenia napięcie U_CE zwiększa się w porównaniu z wejściowym a w sytuacji z obciążeniem maleje.

2)

Kolejnym naszym zdaniem było zbadać wpływ temperatury na położenie punktu pracy w różnych układach polaryzacji. Najpierw dokonaliśmy pomiarów U_CE temperaturze pokojowej a następnie podczas grzania. Wyniki znajdują się w tabeli poniżej:

UCE
	temperatura pokojowa	grzanie
M2	5,33V	4,82V
M4	5,54V	5,07V

Wnioski:

Z otrzymanych pomiarów wywnioskować można że zwiększenie temperatury w obu układach powoduję zmniejszenie napięcia jednak pierwszy układ polaryzacji( M2 ) jest bardziej wrażliwy na temperaturę ponieważ różnica między napięciami w temperaturze pokojowej i podczas grzania jest większa niż ta otrzymana w drugim układzie( M4 ). W układzie pierwszym( M2 ) temperatura ma większy wpływ na punkt pracy tranzystora.

3)

Ostatnią częścią ćwiczenia było przeprowadzenie pomiaru napięcia U_CE włączając do każdego z układów kolejno dwa tranzystory o różnych współczynnikach wzmocnienia prądowego tranzystorów β (β_T1 = 95, β_T2 = 180).

Wyniki pomiarów w poniższych tabelach:

Współczynnik βT1 = 95
	UCE
A	6,67V
B	5,51V
C	6,20V

Współczynnik βT2 = 180
	UCE
A	2,73V
B	5,33V
C	4,15V

Wnioski:

Zauważyć można że podłączając do układu tranzystor o mniejszym współczynniku wzmocnienia prądowego otrzymujemy większe napięcia w każdym z układów polaryzacji. Układ A oraz C jest bardziej wrażliwy na zmianę współczynnika β ponieważ różnica pomiędzy napięciami jest o wiele większa niż

w układzie C. Zmiana współczynnika β ma więc wpływ na położenie punktu pracy.