POLITECHNIKA CZĘSTOCHOWSKA
LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI
Ćwiczenie 4
Temat. Wzmacniacz tranzystorowy napięciowy.
Cel ćwiczenia.
Celem ćwiczenia jest praktyczne zapoznanie się z budową i działaniem jednostopniowego tranzystorowego wzmacniacza napięciowego oraz określenie wpływu poszczególnych elementów składowych wzmacniacza na jego własności.
Tabele pomiarowe.
1) Wpływ pojemności sprzęgającej CS1 na ch-kę częstotliwościową wzmacniacza.
F [kHz] |
0,02 |
0,05 |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
20 |
Uwagi |
Uwe [mV] |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
przebieg wy. |
Uwy [V] |
13 |
12,5 |
13 |
13 |
14 |
14 |
14 |
14 |
14 |
14 |
odwrócony |
2) Wpływ pojemności sprzęgającej CS2 na ch-kę częstotliwościową wzmacniacza.
F [kHz] |
0,02 |
0,05 |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
20 |
Uwagi |
Uwe [mV] |
190 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
przebieg wy. |
Uwy [V] |
1,4 |
3,8 |
7,2 |
10,4 |
13 |
14 |
14 |
14 |
14 |
14 |
zgodny |
3) Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego na ch-kę częstotliwościową wzmacniacza.
F [kHz] |
0,02 |
0,05 |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
20 |
Uwagi |
Uwe [mV] |
185 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
przebieg wy. |
Uwy [mV] |
330 |
350 |
350 |
350 |
350 |
350 |
350 |
350 |
350 |
350 |
zgodny |
4) Wpływ pojemności CE1 bocznikującej RE na ch-kę częstotliwościową wzmacniacza.
F [kHz] |
0,02 |
0,05 |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
20 |
Uwagi |
Uwe [mV] |
185 |
190 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
przebieg wy. |
Uwy [mV] |
340 |
420 |
580 |
960 |
1950 |
3300 |
5700 |
9800 |
10500 |
11000 |
spóźn. o 900 |
5) Wpływ pojemności CE2 bocznikującej RE na ch-kę częstotliwościową wzmacniacza.
F [kHz] |
0,02 |
0,05 |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
20 |
Uwagi |
Uwe [mV] |
190 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
przebieg wy. |
Uwy [V] |
8,5 |
12 |
12,5 |
13 |
13 |
13 |
13 |
13 |
13 |
13 |
zgod. odwr. |
6) Wpływ zależnego od częst. Sprzężenia zwrotnego z kolektora na bazę na ch-kę częstotliwościową wzmacniacza przy włączonej pojemności CS2.
F [kHz] |
0,02 |
0,05 |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
20 |
Uwagi |
Uwe [mV] |
190 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
190 |
180 |
160 |
przebieg wy. |
Uwy [V] |
12 |
13 |
13,5 |
13,5 |
13,5 |
13,5 |
13 |
12,5 |
12 |
10 |
zgodny |
7) Zależność wzmocnienia napięciowego wzmacniacza od wartości RE przy częstotliwości sygnału 1kHz.
Pozycja PK |
E5 |
E4 |
E3 |
E2 |
E1 |
E0 |
RE [] |
12 |
34 |
81 |
241 |
571 |
1061 |
Uwe [mV] |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
Uwy [V] |
13,5 |
7,6 |
3,6 |
1,38 |
0,59 |
0,34 |
8) Wpływ sposobu polaryzacji bazy na wzmocnienie napięciowe i ch-kę częstotliwościową wzmacniacza przy braku sprzężenia zwrotnego w emiterze.
F [kHz] |
0,02 |
0,05 |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
20 |
Uwagi |
Uwe [mV] |
180 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
przebieg wy. |
Uwy [V] |
0,84 |
2,75 |
5,1 |
7,6 |
9,4 |
10 |
10,2 |
10,2 |
10,2 |
10,2 |
spóźn. o 450 |
Obliczenia.
Wzmocnienie napięciowe możemy obliczyć ze wzoru:
lub
IV. Charakterystyki.
1) Charakterystyki częstotliwościowe z pomiarów w pkt. 1,2,3,8
kondensator CS2 w obwodzie sprzężenia (tabela 1)
kondensator CS1 w obwodzie sprzężenia (tabela 2)
brak sprzężenia zwrotnego w emiterze (tabela 8)
(tabela 3)
linia przerywane określają dolne częstotliwości graniczne dla odpowiednich charakterystyk
2) Charakterystyki częstotliwościowe z pomiarów w pkt. 4,5
pojemność CE1 bocznikuje RE
pojemność CE2 bocznikuje RE
Charakterystyka częstotliwościowa otrzymana na podstawie pomiarów w pkt. 6
4) Zależność wzmocnienia od rezystancji emiterowej przy f = 1 kHz
charakterystyka teoretyczna
charakterystyka otrzymana z pomiarów (tabela 7)
Uwagi i wnioski.
W ćwiczeniu tym badaliśmy wpływ dołączonych do tranzystora elementów biernych na wzmocnienie napięciowe jednostopniowego wzmacniacza tranzystorowego. Ujemne sprzężenie zwrotne zmienia impedancję wejściową wzmacniacza, a także rozszerza jego pasmo przenoszenia. Zastosowanie w obwodzie sprzężenia kondensatorów czyli elementów o impedancji zależnej od częstotliwości pozwala na dowolne kształtowanie charakterystyki częstotliwościowej co widać na wykresie 1. W takim przypadku współczynnik ujemnego sprzężenia zwrotnego przyjmuje różne wartości dla różnych częstotliwości. Często stosuje się ujemne sprzężenie zwrotne w celu stabilizacji punktu pracy tranzystora (np. przez zastosowanie rezystancji emiterowej). Włączenie pojemności CE równolegle z rezystancją RE pozwala uniknąć zmniejszenia wzmocnienia wzmacniacza w zakresie częstotliwości akustycznych (charakterystyka 2).Nie udało się określić pasma B przenoszenia wzmacniacza na charakterystyce 3 gdyż charakterystyka nie przecięła swojej dolnej częstotliwości granicznej.