Politechnika Świętokrzyska w Kielcach
Laboratorium elektroniki
Ćwiczenie nr 6	Temat: Badanie źródeł prądowych			Zespół: 1) Piotr Szczerek 2) Marcin Tkacz 3) Karol Witecki
Data wykonania ćwiczenia: 30.12.1998 r.		Data oddania sprawozdania: 16.11.1998 r.	Ocena:

1) Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zasadami działania źródeł prądowych zbudowanych na bazie tranzystora bipolarnego oraz tranzystora polowego.

2)Schemat pomiarowy:

3)Tabele pomiarowe:

E_c=16V

R_E=667 

Dioda Zenera 7V5

a) Źródło prądowe zbudowane na bazie tranzystora bipolarnego z diodą Zenera

R0		10	100	270	470	680	750	850	1020	1100	1270	1470	1680	1750	2000
IB	[A]	24	24,2	25	26	28,5	29	71
IR0	[A]	10,9	10,8	10,9	10,8	10,8	10,8	10,3	8,38	7,72	6,7	5,8	5,1	5	4,35
Uz	[V]	8,18	8,17	8,18	8,17	8,17	8,17	8,17	8,11	8,09	8,06	8,04	8,04	8,04	8,04

R₀=270 

EC	[V]	1	2	3	4	5	6	7	8
IB		0	3	21	63	-	-	-	-
IR0	[mA]	0,04	1,1	2,4	3,4	3,76	4,39	5,0	5,59
UZ	[V]	0,59	1,4	2,4	3,6	4,25	5,11	5,95	6,77
EC	[V]	9	10	11	12	13	14	15	16
IB		-	71	28	28	27,5	26,5	26	26
IR0	[mA]	6,17	9,75	10,29	10,4	10,52	10,67	10,77	10,37
UZ	[V]	7,58	7,75	7,82	7,87	7,94	8,03	8,09	8,15

R₀=750 

EC	[V]	1	2	3	4	5	6	7	8
IB	[	0,5	38	-	-	-	-	-	-
IR0	[mA]	0,16	1,12	1,33	1,63	1,98	2,29	2,62	2,86
UZ	[V]	0,7	1,68	2,34	3,11	3,97	4,75	5,61	6,21
EC	[V]	9	10	11	12	13	14	15	16
IB		-	-	-	-	-	-	71	29
IR0	[mA]	3,2	3,65	5,07	6,11	7,5	8,7	10,3	10,72
UZ	[V]	7,07	7,65	7,77	7,8	7,9	8,0	8,1	8,15

b) Źródło prądowe zbudowane na bazie tranzystora bipolarnego z rezystorem w gałęzi
baza-uziemienie

R0		10	100	270	470	680	750	1000	1,1K	1,27K	1,47K	1,68K	1,75K	2K
IB	[A]	23,5	23,5	24	25	27	27,5	-	-	-	-	-	-	-
IR0	[mA]	10,76	10,74	10,71	10,69	10,64	10,62	9,39	8,79	8,05	7,26	6,56	6,44	5,81
Uz	[V]	8,02	8,02	8,02	8,01	8,0	8,0	7,14	6,81	6,37	5,9	5,49	5,42	5,05

R₀=270 

EC	[V]	1	2	3	4	5	6	7	8
IB		0	1	3	4	6,5	8	9,5	11
IR0	[mA]	0	0,26	1,12	1,59	2,59	3,22	3,86	4,47
UZ	[V]	0,4	0,79	1,41	1,74	2,44	2,88	3,33	3,74
EC	[V]	9	10	11	12	13	14	15	16
IB		13	14,5	17	18	20	21,5	23,5	26
IR0	[mA]	5,28	5,98	6,92	7,42	8,44	8,99	9,78	10,59
UZ	[V]	4,3	4,79	5,43	5,77	6,48	6,85	7,41	7,97

R₀=750 

EC	[V]	1	2	3	4	5	6	7	8
IB	[	0	1	3	4,5	6,5	8,5	10	12,5
IR0	[mA]	0	0,37	1,08	1,65	2,37	3,18	3,86	4,6
UZ	[V]	0,14	0,88	1,4	1,8	2,31	2,87	3,35	3,85
EC	[V]	9	10	11	12	13	14	15	16
IB		14,5	16	18	20	22	24	26	28
IR0	[mA]	5,36	6,01	6,67	7,58	8,27	8,93	9,66	10,38
UZ	[V]	4,39	4,83	5,3	5,92	6,4	6,88	7,36	7,85

c) Źródło prądowe zbudowane na bazie tranzystora polowego z bez rezystora w gałęzi źródła.

R0	[]	100	270	470	680	750	1k	1,1k	1,27k	1,47k
I0		7,4	7,39	7,38	7,4	7,38	7,38	7,4	7,38	7,33
R0	[]	1,68k	2k	2,7k	4,7k	6,8k	7,5k	8,2k	9,1k	10k
I0		7,21	6,7	5,4	3,23	2,24	2,03	1,85	1,69	1,54

R₀=470 

EC	[V]	1	2	3	4	5	6	7	8
IR0	[mA]	0,65	1,48	2,35	3,18	4,03	4,75	5,42	6,01
EC	[V]	9	10	11	12	13	14	15	16
IR0	[mA]	6,56	6,9	7,12	7,19	7,26	7,29	7,32	7,36

R₀=1 k

EC	[V]	1	2	3	4	5	6	7	8
IR0	[mA]	1,12	2,3	3,76	4,87	6,07	6,8	7,22	7,38
EC	[V]	9	10	11	12	13	14	15	16
IR0	[mA]	7,45	7,47	7,48	7,46	7,46	7,4	7,34	7,3

d) Źródło prądowe zbudowane na bazie tranzystora polowego z rezystancją w gałęzi źródła.

R0	[]	100	270	470	680	750	1k	1,8k
I0		3,51	3,52	3,52	3,5	3,52	3,52	3,5
R0	[]	2,7k	4,7k	6,8k	7,5k	8,2k	9,1k	10k
I0		3,47	2,99	2,17	1,96	1,83	1,62	1,5

R₀=470 

EC	[V]	1	2	3	4	5	6	7	8
IR0	[mA]	0,55	1,47	2,41	3,03	3,29	3,4	3,43	3,45
EC	[V]	9	10	11	12	13	14	15	16
IR0	[mA]	3,46	3,48	3,48	3,49	3,5	3,5	3,5	3,51

R₀=1 k

EC	[V]	1	2	3	4	5	6	7	8
IR0	0,84	0,19	0,84	1,62	2,25	2,69	3,15	3,44	3,41
EC	[V]	9	10	11	12	13	14	15	16
IR0	[mA]	3,44	3,46	3,47	3,48	3,5	3,5	3,51	3,52

4) Wykresy

Wykres zależności prądu obciążenia od obciążenia.

Wykres zależności prądu obciążenia od napięcia zasilającego

Wykres zależności prądu od napięcia zasilającego

Wykres zależności prądu obciążenia od obciążenia.

Wykres zależności prądu obciążenia od napięcia zasilającego

Wykres zależności prądu obciążenia od napięcia zasilającego

5)Uwagi i wnioski:

Doświadczenie dotyczyło badań charakterystyk źródeł prądowych zbudowanych na tranzystorze bipolarnym oraz polowym w zależności od obciążenia oraz od wartości napięcia zasilającego.

Pierwszy badany układ, zbudowany na bazie tranzystora bipolarnego, umożliwiał stabilizację prądową w zakresach badanego obciążenia od 10 do 1k [ dla układu z diodą Zenera oraz w zakresach od 10 do 850 [ dla układu z rezystancją R₂.

Drugi układ, zbudowany na bazie tranzystora polowego, umożliwiał stabilizację prądową w badanych zakresie od 100 do 1500 [.dla układu bez rezystancji R_S oraz w zakresach
od 100 do 3k [ dla układów z rezystancją R_S.

Na podstawie przeprowadzonych doświadczeń dotyczących schematów różnych źródeł prądowych można stwierdzić, że źródła prądowe zbudowane na podstawie tranzystora polowego mają lepsze charakterystyki niż źródła zbudowane na tranzystorze bipolarnym.

Pozwalają na zbudowanie źródeł prądowych mogących pracować z odbiornikami o większej rezystancji.

---