POLITECHNIKA CZĘSTOCHOWSKA

Laboratorium Elektroniki

Wzmacniacz napięciowy tranzystorowy

1.Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest praktyczne zapoznanie się z budową i działaniem jednostopniowego tranzystorowego wzmacniacza napięciowego oraz określenie wpływu poszczególnych elementów składowych wzmacniacza na jego własności.

2. Schemat pomiarowy:

3.Tabele pomiarowe:

Część 3.1

Włączony kondensator Cs2

f	kHz	0,02	0,05	0,1	0,2	0,5	1	2	5	10	20
Uwe	mV	21	22	22	22	22	22	21	21	21	21
Uwy	mV	1550	1700	1900	1750	1700	1750	1900	1900	1750	1800
ku		73,81	77,27	86,36	79,55	77,27	79,55	90,48	90,48	83,33	85,71

Włączony kondensator Cs1

f	kHz	0,02	0,05	0,1	0,2	0,5	1	2	5	10	20
Uwe	mV	125	125	21	22	22	22	22	21	21	21
Uwy	mV	300	1200	800	1200	1700	1900	1950	1900	1700	1700
ku		2,40	9,60	38,10	54,55	77,27	86,36	88,64	90,48	80,95	80,95

Część 4.2

f	kHz	0,02	0,05	0,1	0,2	0,5	1	2	5	10	20
Uwe	mV	65	75	75	75	75	80	80	75	75	75
Uwy	mV	120	130	125	130	125	130	130	130	125	125
ku		1,85	1,73	1,67	1,73	1,67	1,63	1,63	1,73	1,67	1,67

Część 3.6

f	kHz	0,02	0,05	0,1	0,2	0,5	1	2	5	10	20
Uwe	mV	21	21	21	21	21	20	20	20	20	20
Uwy	mV	80	180	360	640	110	1500	1700	1800	1800	1700
ku		3,81	8,57	17,14	30,48	52,38	75,00	85,00	90,00	90,00	85,00

Część 3.3

Włączony kondensator CE1

f	kHz	0,02	0,05	0,1	0,2	0,5	1	2	5	10	20
Uwe	mV	85	80	80	80	85	85	85	80	80	80
Uwy	mV	150	180	280	400	850	1400	2600	4100	5600	6400
ku		1,76	2,25	3,50	5,00	10,00	16,47	30,59	51,25	70,00	80,00

Włączony kondensator CE2

f	kHz	0,02	0,05	0,1	0,2	0,5	1	2	5	10	20
Uwe	mV	80	80	80	80	80	80	85	85	80	80
Uwy	mV	4000	4800	6800	7500	10000	11500	11000	11000	11000	11000
ku		50,00	60,00	85,00	93,75	125,00	143,75	129,41	129,41	137,50	137,50

Część 3.4

f	kHz	0,02	0,05	0,1	0,2	0,5	1	2	5	10	20
Uwe	mV	75	75	75	80	80	80	80	80	75	65
Uwy	mV	6600	7200	7600	7200	7200	7600	7600	7200	6600	5200
ku		88,00	96,00	101,33	90,00	90,00	95,00	95,00	90,00	88,00	80,00

Część 3.5

Pozycja PK		E5	E4	E3	E2	E1	0
RE		0	12	34	81	241	571
Uwe	mV	85	85	85	85	85	85
Uwy	mV	7600	3400	1600	600	240	140
ku		89,41	40,00	18,82	7,06	2,82	1,65
ku`		1000	150	52,9412	22,2222	7,46888	3,15236

3.1 Wpływ pojemności sprzęgających Cs1 i Cs2 na charakterystykę częstotliwościową wzmacniacza.

3.2 Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego na charakterystykę częstotliwościową wzmacniacza.

3.3 Wpływ pojemności C_­E1 i C_E2, bocznikujących rezystancję emiterową R­_E na charakterystykę częstotliwościową wzmacniacza.

3.4 Wpływ zależnego od częstotliwości sprzężenia zwrotnego z kolektora na bazę tranzystora na charakterystykę częstotliwościową wzmacniacza.

3.5 Zależność wzmocnienia nap. Wzmacniacza od wart. Rezystancji emiterowej przy f=1kHz.

3.6 wpływ sposobu polaryzacji bazy tranzystora na wzmocnienie nap. i charakterystykę częstotliwościową wzmacniacza prz braku sprzężenia zwrotnego w emiterze.

4.Opracowanie wyników i wnioski:

Dolna częstotliwość graniczna dla charakterystyk opisanych na tabelach :

3.1. (wł.Cs1) 0,15kHz

3.6 1kHz

Dla przypadków 3.1. (wł.Cs2) oraz 4.2. określenie dolnej granicznej częstotliwości jest raczej nie do określenia. Można stwierdzić , że badany wzmacniacz w całym zadanym zakresie częstotliwości posiada stały współczynnik wzmocnienia ku.

Przy charakterystyce opisanej na tabeli 3.4 dolna i górna częstotliwość graniczna (f_d , f_g) wynoszą odpowiednio:

f_d = 2,1kHz

f_g = 10kHz

Na tej podstawie można określić pasmo przenoszenia wzmacniacza B:

B= f_g - f_d = 7,9kHz

Charakterystykę teoretyczną zestawioną z charakterystyką wzmacniacza ,opartą na tabeli 3.5 stworzyliśmy w oparciu o wzór : ku`= -Rc/Re

Na charakterystykach dla tabel 3.3. wyraźnie widać działanie kondensatorów bocznikujących R_E. Ponadto można zauważyć , że im ta pojemność jest większa ,tym k_u jest bardziej stabilne oraz większe.

---