Objekt badań	U	Log U	I	Log I	R	T
	V	-	µA	-	MΩ	̊C
Warystor zbudowany z tlenku cynku (ZnO)	150	2.18	0.0343	-1.4652	4378	Temperatura pokojowa	3.6413
	200	2.30	0.0464	-1.3330	4306		3.6341
	250	2.40	0.0593	-1.2270	4216		3.6249
	300	2.48	0.0719	-1.1432	4172		3.6203
	350	2.54	0.0816	-1.0881	4287		3.6322
	400	2.60	0.1029	-0.9874	3886		3.5895
	450	2.65	0.1241	-0.9063	3627		3.5595
	500	2.70	0.1496	-0.8250	3342		3.5240
	550	2.74	0.1792	-0.7468	3070		3.4871
	600	2.78	0.2116	-0.6744	2835		3.4526
	650	2.81	0.2661	-0.5750	2443		3.3879
	660	2.82	0.2750	-0.5607	2400		3.3802
	670	2.83	0.2866	-0.5428	2338		3.3688
	680	2.83	0.3009	-0.5216	2260		3.3541
	690	2.84	0.3148	-0.5020	2192		3.3408
	700	2.85	0.3288	-0.4831	2129		3.3282
Warystor zbudowany z węglika krzemu (SiC) d = 22 mm	50	1.70	20	-4.6990	2.500	Temperatura pokojowa	0.3979
	100	2.00	48	-4.3188	2.000		0.3010
	150	2.18	88	-4.0555	1.700		0.2304
	200	2.30	143	-3.8447	1.400		0.1461
	250	2.40	225	-3.6478	1.100		0.0414
	300	2.48	345	-3.4622	0.870		-0.0605
	350	2.54	513	-3.2899	0.680		-0.1675
	400	2.60	760	-3.1192	0.530		-0.2757
	450	2.65	1200	-2.9208	0.375		-0.4260
	500	2.70	1750	-2.7570	0.290		-0.5376
Warystor zbudowany z węglika krzemu (SiC) d = 11 mm	50	1.70	35	-4.4559	1.430	Temperatura pokojowa	0.1553
	100	2.00	100	-4.0000	1.000		0.0000
	150	2.18	225	-3.6478	0.670		-0.1739
	200	2.30	447	-3.3497	0.450		-0.3468
	250	2.40	790	-3.1024	0.320		-0.4949
	300	2.48	1330	-2.8761	0.230		-0.6383
	350	2.54	2200	-2.6576	0.160		-0.7959
	400	2.60	3600	-2.4437	0.110		-0.9586
	450	2.65	5650	-2.2480	0.080		-1.0969
	500	2.70	8300	-2.0809	0.060		-1.2218
			150
											150	2E-05	7.50		250	5.2E-05		350	0.000108
											150	5.5E-05	2.73		250	0.00016		350	0.00036
											150	0.0001	1.50		250	0.000266		350	0.00058
											150	0.000185	0.81		250	0.000483		350	0.00102
											150	0.00038	0.39		250	0.00101		350	0.00214
											150	0.00045	0.33		250	0.00121		350	0.00235
											150	0.00038	0.39		250	0.00103		350	0.002
											150	0.00033	0.45		250	0.00095		350	0.00185
										Objekt badań	T	U₁	R(U₁)	U₂	R(U₂)	U₃	R(U₃)
											̊C	V	MΩ	V	MΩ	V	MΩ
										Warystor zbudowany z węglika krzemu (SiC) d = 11 mm	24	150	7.50	250	4.81	350	3.24
											30		2.73		1.56		0.97
											40		1.50		0.94		0.60
											50		0.81		0.52		0.34
											60		0.39		0.25		0.16
											70		0.33		0.21		0.15
											80		0.39		0.24		0.18
											90		0.45		0.26		0.19
			250							350